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[发明专利]存储器结构-CN201510256696.9有效
发明人：丁达刚;王智彬 -专利权人：补丁科技股份有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构。所述存储器结构包含K条第一字线、M组第二字线与存储器单元阵列。K与M为正整数。每一组第二字线包含多条第二字线。所述存储器单元阵列包含M个存储体。每一存储体包含排列成多列与多行的多个存储器单元。所述M个存储体均耦接到所述K条第一字线但分别耦接到所述M组第二字线。所述M个存储体通过所述K条第一字线接收一组第一字线信号，及分别通过所述M组第二字线接收M组第二字线信号。每一存储体依据所述组第一字线信号及相对应的一组第二字线信号来进行数据存取。所述存储器结构可提供多个存储体，通过锁存型字线驱动电路来实现无缝读写操作，进而达成高带宽存取与高速随机存取的目的。
存储器结构

[发明专利]存储元件及其制造方法-CN202010384643.6在审
发明人：李智雄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种存储元件及其制造方法，其中存储元件包括：第一位线与第二位线，第一位线位于介电层上，第二位线位于所述第一位线上方；第一字线与第二字线，位于所述第一位线与所述第二位线之间；源极线，位于所述第一字线与所述第二字线之间；通道柱，贯穿所述第一字线、所述源极线与所述第二字线，且与所述第一位线、所述源极线及所述第二位线连接；以及电荷储存结构，包括：第一电荷储存结构，环绕所述第一字线的顶面与底面，并介于所述第一字线的侧壁与所述通道柱的侧壁的下部之间；以及第二电荷储存结构，环绕所述第二字线的顶面与底面，并介于所述第二字线的侧壁与所述通道柱的所述侧壁的上部之间。
存储元件及其制造方法

[发明专利]含有用于增强结构支撑的桥接件的三维存储器装置及其形成方法-CN202180087677.1在审
发明人：水野真太;饭塚健三;清水悟;和泉圭佑;樋上达也;寺泽佑仁;岛袋诚司;伊藤良介;张艳丽;J·阿尔斯迈耶;吉田佑介 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：第一字线区，其包含第一字线和连续绝缘层的第一交替堆叠；第一存储器堆叠结构，其竖直地延伸穿过所述第一交替堆叠；第二字线区，其包括第二字线和所述连续绝缘层的第二交替堆叠；第二存储器堆叠结构，其竖直地延伸穿过所述第二交替堆叠；多个电介质分离器结构，其位于所述第一字线区与所述第二字线区之间；以及至少一个桥接区，其位于所述多个电介质分离器结构之间以及所述第一字线区与所述第二字线区之间。所述连续绝缘层在所述第一字线区中的所述第一交替堆叠与所述第二字线区中的所述第二交替堆叠之间延伸穿过所述至少一个桥接区。
含有用于增强结构支撑桥接件三维存储器装置及其形成方法

[发明专利]字线布局及其形成方法-CN202110029389.2在审
发明人：林宗玮;廖俊谚;吴俊昇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文公开一种字线布局及其形成方法，该字线布局包括：第一字线组，位于基底上，且包括多个L型第一字线，每个第一字线具有互相连接的第一线段及第二线段，其中第一线段沿第一方向延伸，第二线段沿第二方向延伸，且第一方向垂直第二方向；第二字线组，位于基底上，且包括多个L型第二字线，每个第二字线具有互相连接的第一线段及第二线段，其中第一线段沿第一方向延伸，第二线段沿第二方向延伸，其中第一字线组与第二字线组并列设置，且沿平行于第一方向的对称轴互相对称；以及I型第三字线，设置于第一字线组与第二字线组的外侧，且沿第一方向延伸并跨过该对称轴。
布局及其形成方法

[发明专利]存储器的检测方法-CN202111314155.9在审
发明人：楚西坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的检测方法，涉及半导体技术领域，该存储器的检测方法包括向与第一字线连接的存储单元中写入第一存储数据，向与第二字线连接的存储单元中写入第二存储数据，第一存储数据与第二存储数据不同；启动第一字线，并保持开启第一预设时间段后关闭，第一预设时间段大于第一时间阈值。本申请利用增加第一字线的开启时间，以达到增加第一字线向第二字线泄漏电流的时间和泄漏的电荷量的目的，之后，通过获取与第一字线连接的连接存储单元的实际存储数据，并与第一存储数据进行对比，来准确判断第一字线与第二字线是否存在漏电，保证了相邻的字线之间漏电的检测准确性，进而提高了存储器的良率。
存储器检测方法

[发明专利]共享晶体管的字线驱动器以及相关的存储器装置和系统-CN202010837392.2有效
发明人： T·H·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：描述了共享晶体管的字线驱动器以及相关的存储器装置和系统。存储器装置包含耦合到第一字线的第一字线驱动器和耦合到第二字线的第二字线驱动器。所述存储器装置还包含晶体管，所述晶体管包括耦合到所述第一字线驱动器的输出端的第一端子，以及耦合到所述第二字线驱动器的输出端的第二端子。
共享晶体管驱动器以及相关存储器装置系统

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202210792429.3在审
发明人：锺嘉哲;郑群议;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种IC结构包括MTJ单元、晶体管、第一字线和第二字线。晶体管电耦合到MTJ单元。晶体管包括第一栅极端子和独立于第一栅极端子的第二栅极端子。第一字线电耦合到晶体管的第一栅极端子。第二字线电耦合到晶体管的第二栅极端子。MTJ单元的电阻状态取决于施加到第一字线的第一字线电压和施加到第二字线的第二字线电压，并且MTJ单元的电阻状态遵循与门逻辑或或门逻辑。根据本申请的其他实施例，还提供了制造集成电路结构的方法。
集成电路结构及其制造方法

[实用新型]一种可调节的一字线激光光源装置-CN202120725656.5有效
发明人：左明耀 -专利权人：广东奥普特科技股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型属于光学设备技术领域，具体公开了一种可调节的一字线激光光源装置，包括激光可调模组，激光可调模组设置有多个，激光可调模组包括一字线激光器、支架、固定块；一字线激光器固定安装于固定块上，固定块活动安装于支架上通过将固定块活动安装于支架上，可以实现一字线激光器在固定块和支架的上下调节，达到多条光线高度重合的目的，无需顾虑一字激光器的同心度误差，使多个一字线激光器的光斑重合性高、光斑线宽细、提高了光源的亮度；通过单个模组支架逐一调节，既可达到多条一字线光斑重合的目的，可大大节约成本，有效提高了光源性能。
一种调节一字线激光光源装置

[发明专利]具有改进的编程性能的存储器设备及其操作方法-CN201910057391.3在审
发明人：曹诚敏;李康斌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了操作存储器设备的方法，包括：对连接至多条字线中的第一字线的存储器单元执行第一编程操作；对连接至多条字线中的第二字线的存储器单元执行第一编程操作；将第一电平的导通电压施加到第一字线和第二字线；将低于第一电平的电平的电压施加到多条字线中的第三字线；对多个单元串中的部分单元串执行预充电操作；以及对连接至第一字线的存储器单元执行第二编程操作。
字线存储器单元编程操作操作存储器存储器设备编程性能导通电压电压施加预充电施加改进

[实用新型]一种目标物体轮廓检测系统-CN201820009281.0有效
发明人：汪晓波 -专利权人：长沙青波光电科技有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：一种目标物体轮廓检测系统，该目标物体轮廓检测系统包括导轨、一字线激光器、图像采集器、承载平台；其中，所述一字线激光器，设置于所述承载平台上，用于发射照射于所述目标物体表面的一字线激光；所述图像采集器，设置于所述承载平台上，用于采集所述一字线激光于所述目标物体表面所形成的轮廓图像；所述承载平台，与所述导轨可滑动地连接，用于承载所述一字线激光器和所述图像采集器沿所述导轨滑动。
承载平台目标物体轮廓一字线激光器图像采集器检测系统导轨目标物体表面一字线激光可滑动地轮廓图像滑动照射采集承载发射

[实用新型]存储晶体管的字线结构以及存储晶体管-CN201820938152.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储晶体管的字线结构，包括字线，字线包括第一字线部和第二字线部，第二字线部形成于第一字线部的上端面，且与第一字线部电连接，第二字线部的外侧壁与栅介质层之间以及第二字线部的上端面上分别覆盖有隔离绝缘层，隔离绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层形成于字线沟槽的内壁上，第二绝缘层形成于字线沟槽中，第二字线部的侧面距离至栅介质层的间隔由第一绝缘层在字线沟槽的内壁的保留厚度所界定和调整。第一字线部的基础上形成第二字线部，有效增加了字线厚度，降低字线电阻，提高栅极对沟道的控制能力。第一绝缘层和第二绝缘层防止形成漏电流，避免存储晶体管性能降低。本实用新型还提供了一种存储晶体管。
字线部绝缘层存储晶体管字线沟槽字线本实用新型隔离绝缘层绝缘层形成栅介质层字线结构内壁侧面距离控制能力性能降低字线电阻电连接漏电流上端面外侧壁上端沟道界定保留覆盖

[发明专利]一种字线缺陷的侦测装置与方法-CN201010198361.3无效
发明人：陈伟仁;陈和颖;杨连圣;吴书仁 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种侦测字线缺陷的方法，包含启动一第一字线以读取一预先储存于该存储单元的第一数据；以一预定时间，使该第一字线处于悬浮状态，然后写入与该第一数据互补的一第二数据至该存储单元；再度启动该第一字线，以从该存储单元读取一第三数据，以及比较该第二数据与该第三数据以判断该第一字线与一第二字线之间是否存在一电性连接路径。
一种缺陷侦测装置方法

[发明专利]非易失性存储器设备-CN202110078483.7在审
发明人：尹明远;尹在鹤;任载禹;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括处理电路，处理电路被配置为向第一字线施加子电压，基于连接到第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布确定期望的第一读取电压，向第二字线施加子电压，基于连接到第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布确定期望的第二读取电压，在同时读取连接到第一字线的第一存储器单元时向第一字线施加期望的第一读取电压，并且在同时读取连接到第二字线的第二存储器单元时向第二字线施加期望的第二读取电压，期望的第二读取电压与期望的第一读取电压不同。
非易失性存储器设备

[发明专利]存储元件及其制造方法-CN202010288755.1在审
发明人：李智雄;古绍泓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括：第一位线位于介电层上与第二位线位于所述第一位线上方；第一字线与第二字线，位于所述第一位线与所述第二位线之间；源极线，位于所述第一字线与所述第二字线之间；通道柱，贯穿所述第一字线、所述源极线与所述第二字线，且与所述第一位线、所述源极线及所述第二位线连接；以及电荷存储结构，包括上部，环绕在所述通道柱的上侧壁，介于所述第二字线与所述通道柱之间；以及下部，环绕在所述通道柱的下侧壁，介于所述第一字线与所述通道柱之间。
存储元件及其制造方法

[发明专利]存储器装置和包括存储器装置的电子系统-CN202110665530.8在审
发明人：郑基容;金在炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：提供了存储器装置和包括存储器装置的电子系统，所述存储器装置包括：基底；地选择线，位于基底上，切割部分切割地选择线；第一绝缘层和第一字线，直接堆叠在地选择线上方；以及第二绝缘层和第二字线，交替地堆叠在第一字线上，其中，第一字线包括从切割部分横向地偏移的第一部分和上覆切割部分的第二部分，第一字线的第一部分具有第一厚度，第一字线的第二部分具有比第一厚度小的第二厚度。
存储器装置包括电子系统