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[实用新型]一种SDB工艺的测试结构-CN202021810675.X有效
发明人：张璐 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种SDB工艺的测试结构，用于检测单扩散区切断的工艺情况，所述测试结构包括至少一个基本单元：所述基本单元包括两个鳍式场效应晶体管：第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管；所述鳍式场效应晶体管包括若干根相邻的平行鳍部和横跨鳍部的栅极结构,鳍式场效应晶体管的源极和漏极分设在栅极结构两侧的鳍部上；所述第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管共用同一根栅极结构；单扩散区切断设置在第二鳍式场效应晶体管的栅极结构上，用于截断第二鳍式场效应晶体管的源极和漏极
一种 sdb 工艺测试结构

[发明专利]鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构-CN201010113999.2有效
发明人：李介文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构，其中操作方法包括：提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以于该鳍型场效应晶体管熔丝的该通道内形成穿透效应。上述方法还包括测定该鳍型场效应晶体管熔丝的一编程状态。
场效应晶体管操作方法以及集成电路结构

[发明专利]动态随机存取存储器单元-CN201110425199.9有效
发明人：沃纳·郑林 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器单元，包含：第一鳍式场效应晶体管以及第二鳍式场效应晶体管。所述第二鳍式场效应晶体管与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；存取晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第二鳍片；写入字元线；以及读取字元线，当所述读取字元线被施以高电位时，所述源极随耦晶体管使数据得以由所述第一鳍式场效应晶体管被读取出来。
动态随机存取存储器单元

[发明专利]垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成-CN201810128834.9有效
发明人：谢瑞龙;成敏圭;林宽容 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成，揭示用以在集成电路中集成垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的结构，以及用以在集成电路中集成垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的方法。形成自该第一装置区突出的第一半导体鳍片并形成自该第二装置区突出的第二半导体鳍片。通过使用该第一半导体鳍片形成垂直场效应晶体管，且通过使用该第二半导体鳍片形成鞍形鳍式场效应晶体管。使邻近该第二半导体鳍片的该第二装置区中的该沟槽隔离的顶部表面相对邻近该第一半导体鳍片的该第一装置区中的该沟槽隔离的该顶部表面凹入。
垂直场效应晶体管鞍形鳍式集成

[发明专利]具静电放电保护功能的芯片-CN201310346737.4有效
发明人：陈少平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具静电放电保护功能的芯片，其包括有二条电源轨线、一接脚、一P型鳍式场效应晶体管、一N型鳍式场效应晶体管、二个鳍式电阻、二个二极管与一静电放电单元。上述接脚依序通过其中一鳍式电阻与P型鳍式场效应晶体管而电性连接其中一电源轨线，并依序通过另一鳍式电阻与N型鳍式场效应晶体管而电性连接另一电源轨线。上述二个鳍式场效应晶体管的控制端皆用以接收传输信号。上述接脚亦通过上述二个二极管而分别电性连接上述二条电源轨线。此外，静电放电单元电性连接于上述二条电源轨线之间以形成一静电放电路径。
静电放电保护功能芯片

[发明专利]N型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510005631.7有效
发明人：李勇;居建华;陈林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层采用本发明的方法形成的N型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的性能。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法-CN202310856132.3在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。
一种场效应晶体管剂量辐射效应模型构建方法

[发明专利]混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件-CN202211730772.1在审
发明人：吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通
混合机制鳍型栅场效应晶体管器件

[发明专利]多栅极场效应晶体管结构及其制造方法-CN200810215910.6无效
发明人：保罗·帕特诺 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有鳍状结构的多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，该鳍状结构用于在其中形成该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道，该鳍状结构是在SOI型结构的埋入绝缘体上从所述SOI型结构的至少一个有源半导体层起形成的，所述方法包括以下步骤：提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板；以及在所述绝缘体上从所述半导体层起形成一鳍状结构，所述鳍状结构形成了用于该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道的区域本发明的目的是提供一种多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，其中，可以近乎理想地制备出这种多栅极场效应晶体管结构，从而解决几个相关问题。
栅极场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]P型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510006082.5有效
发明人：李勇;居建华;陈林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，P型鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；从鳍部顶部降低所述栅极结构两侧鳍部的高度；在剩余的所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层采用本发明的方法形成的P型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的P型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的P型鳍式场效应晶体管的性能。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910132739.7有效
发明人：泽田宪 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍场效应晶体管，该鳍场效应晶体管构造为至少包括第一鳍和第二鳍。在该鳍场效应晶体管中，第一鳍的阈值电压和第二鳍的阈值电压彼此不同。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种鳍片场效应晶体管及其制作方法-CN201410192918.0在审
发明人：何昭文;袁俊;郑召星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍片场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片结构；在所述鳍片结构上形成外延层；在所述外延层上形成栅极结构。根据本发明方法制作的鳍片场效应晶体管与根据现有技术制作鳍片场效应晶体管相比，在栅极和沟道之间具有大面积的接触区，同时，在达到了相同工作电流的情况下，本发明制作的鳍片场效应晶体管的尺寸比现有技术中鳍片场效应晶体管的尺寸更小
一种场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]包括鳍形的集成电路器件-CN201610122110.4有效
发明人：郑在烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述集成电路器件包括衬底，其具有从衬底突出的第一鳍形场效应晶体管体和第二鳍形场效应晶体管体。第一鳍形场效应晶体管体和第二鳍形场效应晶体管体分别在集成电路器件的第一区和第二区中具有各自不同的第一形状和第二形状。
包括集成电路器件

[发明专利]P型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310157812.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种P型鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述P型鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，所述半导体衬底上具有凸起的鳍部，鳍部侧壁和顶部表面具有栅极结构，所述栅极结构的侧壁具有侧墙；在栅极结构两侧的鳍部内具有凹槽；所述凹槽的侧壁和底部表面具有硅锗层；所述硅锗层表面具有阻挡层；所述阻挡层上具有金属层，所述金属层填充满凹槽，金属层、阻挡层和硅锗层构成P型鳍式场效应晶体管的源/漏区。相邻鳍式场效应晶体管的鳍部上的硅锗层不会发生桥接现象。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件-CN202110680897.7在审
发明人：陈彝梓;谢豪泰;叶哲儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：该方法包括：设置电路；选择该电路中的第一NMOS鳍式场效应晶体管；以及将具有第一鳍数量的第一NMOS鳍式场效应晶体管替换为具有第二鳍数量的第二NMOS鳍式场效应晶体管和具有第三鳍数量的第三NMOS鳍式场效应晶体管，其中，第二鳍数量与第三鳍数量之和等于第一鳍数量。
设计电路方法以及静态随机存取存储器器件

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