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[发明专利]电流测量装置-CN201480038714.X在审
发明人：山村精仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在短时间内精确地测量大范围的微小电流的电流测量装置。电流测量装置包括：对上述被测量电流进行积分并输出积分信号的积分电路(3)；输入从该积分电路输出的积分信号，计算与该积分信号的变化率成比例的低区侧电流测量值的低区侧电流测量部(4)；基于与从上述积分电路输出的积分信号的周期对应的脉冲信号，计算高区侧电流测量值的高区侧电流测量部(5)；利用上述脉冲信号将存储在上述积分电路中的电荷放电的电荷泵电路(7)；以及基于由上述低区侧电流测量部计算出的低区侧电流测量值和由上述高区侧电流测量部计算出的高区侧电流测量值，来决定上述被测量电流的测量值的测量值决定部(6)。
电流测量装置

[发明专利]高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法-CN202310266434.5有效
发明人：王俊;肖垚;苗霈;刘恒;张志成;李泉灵 -专利权人：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法，半导体发光器件包括：第一电流限制层至第M电流限制层，第m电流限制层位于第nt有源层和第nt隧道结之间；当M为偶数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第M/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M/2）+1电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增；当M为奇数时，第一电流限制层的绝缘区宽度至第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度递减，第（M+1）/2电流限制层的绝缘区宽度至第M电流限制层的绝缘区宽度递增。同时实现高功率和低发散角。
功率发散垂直发射半导体发光器件制备方法

[发明专利]显示装置-CN200410045655.7有效
发明人：宫川惠介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：通过使驱动TFT工作在饱和区，当EL元件退化时亮度不易降低。但会发生高电压、高功耗和发热等问题。在驱动TFT工作在饱和区的情况下，由于驱动TFT变化的缘故，亮度也会改变。考虑到上述问题，将高电流容量TFT用在高灰度级，低电流容量TFT用在低灰度级。高电流容量TFT用小Vgs就可以提供大电流，所以，它不易工作在线性区，即使当Vds降低时。低电流容量TFT在加有高Vgs时提供电流。在高Vgs的情况下，TFT特性的改变，特别是Vth改变的影响可以得以改善。
显示装置

[发明专利]一种具有双基区，双发射区的新型SiC GTO器件-CN202011203998.7在审
发明人：王俊;梁世维;邓雯娟;刘航志;俞恒裕 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公布了一种具有双基区，双发射区的新型SiC GTO器件，垂直方向从阳极至阴极依次包括：P+发射区、N型基区、P‑型漂移区、P型缓冲区及N+型衬底；且P+发射区连接器件阳极，N型基区连接器件门极，N+型衬底连接器件阴极；所述N型基区在纵向上至少为1层结构；所述P+发射区在纵向上至少为1层结构。本发明具有注入效率高，电流增益大，门极电流稳定性高，所需驱动电流小，驱动功率小等优点，适用于高压、高脉冲电流的应用场合。
一种具有双基区发射新型 sic gto 器件

[发明专利]有源区键合兼容高电流的结构-CN201410260705.7在审
发明人：约翰·T·加斯纳;迈克尔·D·丘奇;萨米尔·D·帕拉博;小保罗·E·贝克曼;戴维·A·德克罗斯塔;罗伯特·L·罗曼尼科;克里斯·A·迈克卡迪 -专利权人：英特塞尔美国公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种有源区键合兼容高电流的结构。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。
有源区键合兼容电流结构

[发明专利]有源区键合兼容高电流的结构-CN200410095946.7在审
发明人：约翰·T.·加斯纳;迈克尔·D.·丘奇;萨米尔·D.·帕拉博;小保罗·E.·贝克曼;戴维·A.·德克罗斯塔;罗伯特·L.·罗曼尼科;克里斯·A.·迈克卡迪 -专利权人：英特塞尔美国公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种在键合焊盘下具有电路的集成电路。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。一层或多层中间导电层形成于顶部导电层和衬底之间。绝缘材料层分离导电层。而且，绝缘层中的一层相对较硬且位于顶部导电层与最接近顶部导电层的中间导电层之间。器件形成在集成电路中。另外，至少最接近于顶部导电层的中间导电层适合于键合焊盘下的选择器件的实用互连。
有源区键合兼容电流结构

[发明专利]有源区键合兼容高电流的结构-CN201010586328.8无效
发明人：约翰·T.·加斯纳;迈克尔·D.·丘奇;萨米尔·D.·帕拉博;小保罗·E.·贝克曼;戴维·A.·德克罗斯塔;罗伯特·L.·罗曼尼科;克里斯·A.·迈克卡迪 -专利权人：英特塞尔美国公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种有源区键合兼容高电流的结构。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。
有源区键合兼容电流结构

[发明专利]一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法-CN202210184267.5在审
发明人：吴挺竹;刘时彪;赖寿强;陈金兰;卢霆威;高玉琳;郭自泉;陈忠 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法，是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区，ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内，从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内；然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层本发明从限制电流流向的角度出发，通过改变电流的流向，使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处，从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。
一种 mini micro led 芯片结构制备方法

[发明专利]光发射机的驱动装置-CN200680016154.3有效
发明人：托斯腾·威匹耶斯基 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2006-09-25 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H04B10/155 文献下载
摘要：本发明提供一个调制驱动装置(310)，用来供应一个输出调制电流(250)以驱动一个光发射机(300)的一个光源(320)，输出调制电流(250)包括具有第一温度梯度特征的第一调制电流区(130)和具有第二温度梯度特征的第二调制电流区(140)，所述第一调制电流区(130)和所述第二调制电流区(140)是在第一温度范围和第二温度范围上供应调制电流，所述第二温度的温度比所述第一温度范围的温度高，所述第二温度梯度比所述第一温度梯度高。
发射机驱动装置

[实用新型]一种用于温升试验的连接端子板-CN201520645534.X有效
发明人：董俊;欧阳纯林;刘文娟;王燕;孔晓龙 -专利权人：昆明高海拔电器检测有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于温升试验的连接端子板，其特征在于：左安装板及右安装板上部设置有低电流区，低电流区上设置有若干插接孔，左安装板及右安装板下部设置有中电流区，中电流区上设置有若干单根铜排，中安装板中部设置有高电流区，高电流区上设置有若干连接铜排，连接铜排后端设置有固定板，连接铜排上部、下部分别设置有长铜排，连接铜排中部设置有短铜排，长铜排前端设置有两对螺栓，该设备结构合理规范使用方便，通过将不同电源设备上的端子组合在一起，形成明显的电流分区，通过环氧树脂承担重量，形成自然升温和自然降温的环境，能同时进行多组电器设备的温升试验，简单方便。
一种用于试验连接端子

[发明专利]一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件-CN202211172692.9在审
发明人：刘继芝;彭钰航 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种利用二次回滞特性的提高维持电流的高鲁棒性SCR器件。该结构与传统的SCR结构相比，调换了N型阱区中N型重掺杂区和P型重掺杂区的位置，提高了在其两端产生所需压降的电流。在N型阱区中加入了额外的N型浮空重掺杂区，增加了新的NPN电流通路，提高了寄生PNP管开启所需的电流。在N型阱区中加入了N型中等掺杂区，降低寄生PNP的发射结注入效率，抑制寄生PNP和寄生NPN之间的正反馈，从而提高SCR的维持电流。高维持电流使该新型SCR器件可以在高压集成电路中提供较强的防护能力。
一种利用二次提高维持电流高鲁棒性 scr 器件

[发明专利]一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管-CN201610599425.8有效
发明人：王向展;曹建强;马阳昊;夏琪;李竟春 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，具体为一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管。本发明中，通过源区与漏区之间设低K介质区增大源区与本征区之间电场，提高开态电流和抑制关态电流。设置掺杂层与衬底形成反偏的PN结，隔离源区—低K介质区—漏区与衬底的接触，降低TFET关态电流。以上提升开态电流与抑制关态的方式可相互组合与叠加。进而本发明提高了开态电流，并且与传统的CMOS工艺兼容，成本较低，实现了高的电流开关比。
一种增加电流开关场效应晶体管

[实用新型]一种发光二极管-CN201921896164.1有效
发明人：韩权威;戴志祥;李烨;沈媛媛;晋沙沙;陈亭玉;隗彪;孙旭;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：以及依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和透明导电层；第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；第二电极，位于透明导电层表面，通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接；其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有高电流密度区和低电流密度区，由低电流密度区向高电流密度区，透明导电层的覆盖面积逐渐增大。本实用新型减小第二导电型半导体层表面低电流密度区的透明导电层的覆盖面积，从而促使电流集中，以提高电流密度区的电流密度，从而提高发光二极管的亮度。
一种发光二极管

[发明专利]具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构-CN202210098555.9有效
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有高触发电流的SCR器件，其中，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱；低压第二导电类型阱和低压第一导电类型阱；第一N+区和第一P+区；第二N+区和第二P+区；低压第二导电类型阱与低压第一导电类型阱的交界位置处设置触发结构，触发结构包括交替设置的触发N+区与触发P+区；所有触发N+区均分别与第一N+区和第一P+区连接，且连接后形成SCR器件的阳极金属端；所有触发P+区均分别与第二N+区和第二P+区连接，且连接后形成SCR器件的阴极金属端。本发明还公开了一种具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构。本发明提供的具有高触发电流的SCR器件能够在不改变工艺的前提下提升触发电流。
具有触发电流 scr 器件静电放电电路结构

[发明专利]高电流触发的静电放电防护电路-CN01109790.6无效
发明人：陈伟梵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-24 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种高电流触发的静电放电防护电路。其电耦合于接点和参考电位,以释放接点上产生的静电放电电流。静电放电防护电路包含第一导电形的基底、第二导电形的阱区、第一导电形的第一掺杂区和第二导电形的第二掺杂区。阱区设于基底且电耦合于接点。第一掺杂区电浮动设于阱区表面。第二掺杂区设于基底,且电耦合于参考电位。接点的ESD电流提供电压使阱区与基底间接面崩溃,并触发阱区、基底和第二掺杂区构成的侧向双极性晶体管,释放静电放电电流。第一掺杂区于静电放电电流大于预定电流时,降低接点至参考电位的电位差。
电流触发静电放电防护电路

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