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[实用新型]一种高频高压脉冲下聚酰亚胺电热老化多路同步测试装置-CN201921277219.0有效
发明人：王鹏;王跃淑 -专利权人：江苏维尔电气有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了电气测试领域内的一种高频高压脉冲下聚酰亚胺电热老化多路同步测试装置，包括单片机，所述单片机和高频高压脉冲电源相连，所述高频高压脉冲电源分别与测试模块和击穿保护控制单元相连，所述击穿保护控制单元与环境温度控制箱上的穿墙绝缘子相连所述穿墙绝缘子与设置在环境温度控制箱上的多路测试单元相连，所述环境温度控制箱与测试模块相连，所述测试模块分别与显示模块和记录模块相连，所述记录模块分别与显示模块和单片机相连；可以实现多路同时测量，确保单路击穿后电源输出波形的上升时间不会发生变化
一种高频高压脉冲聚酰亚胺电热老化同步测试装置

[实用新型]一种防高压击穿的耐压性光伏接线盒-CN202121395832.X有效
发明人：吕冰吉;吕春明 -专利权人：苏州春亿光伏有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防高压击穿的耐压性光伏接线盒，包括外套壳组件、外套壳组件内腔连接的用于保护电线的内套壳组件以及两个用于固定电线的压线机构，所述内套壳组件内壁还连接有多个供线脚缠绕的绕线柱，所述外套壳组件由上外套壳和通过铰链转动连接的下外套壳连接该防高压击穿的耐压性光伏接线盒，双重单独保护的设计，实现防高压击穿的效果。
一种高压击穿耐压性接线

[实用新型]灭虫灯的高压网栅结构-CN200620105676.8无效
发明人：徐昌春 -专利权人：徐昌春
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： A01M1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及利用高压电网诱杀各类害虫的灭虫灯，特别是一种灭虫灯的高压网栅结构，其由上绝缘环、绝缘底架配合立杆组成支架结构，下绝缘环沿环面仅固置一种极性的高压金属条，位于下绝缘环下方一段距离的绝缘底架固置另一极性的高压金属条两种极性的高压金属条的底端向内弯折并各焊连于各自的金属环，从金属环分别引出导体固置于下绝缘环或绝缘底架。本实用新型由于将两种极性的高压金属条的底端分别固置于上下层设置的下绝缘环或绝缘底架，正负绝缘子之间的距离拉大，提高了抗击穿性能；两种极性的高压金属条的底端向内弯折，高压网栅筒体的栅条之间向下方向无阻隔物，方便清虫，可避免嵌集在正负高压金属条根部之间的昆虫尸体被击穿而将正负高压短路的现象发生。
灭虫高压结构

[发明专利]一种高压FRD的截断型深槽结构及高压FRD的制作方法-CN201010516143.X无效
发明人：红梅 -专利权人：嘉兴斯达半导体有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种高压FRD的截断型深槽结构及高压FRD的制作方法，所述高压FRD的截断型深槽结构，它包括一带有PN结的FRD二极管，在其表面淀积有一层氧化层，在其PN结的两端光刻并深槽DRIE刻蚀然后淀积有二氧化硅；所述的深槽深度远大于结深，它的深度至少与击穿时平面结耗尽区宽度相当；所述的深槽内侧生长有至少一层氧化层；所述的制作方法是：第一制作完成FRD二极管的PN结；第二在其表面淀积一层氧化层作为深槽刻蚀的阻挡层，然后光刻并深槽DRIE刻蚀用作终端的深槽；第三为了消除深槽刻蚀的缺陷，在深槽内侧生长一层氧化层，然后淀积二氧化硅把深槽完全填满；第四继续FRD二极管后续的制造工艺；它具有提高了FRD器件的击穿电压，使击穿电压接近平面结的击穿电压
一种高压 frd 截断型深槽结构制作方法

[发明专利]一种高耐压电击穿橡胶材料的制备方法-CN201710412049.1在审
发明人：周海晓;周忠坤;张钱旺;胡余建;柴海滨;王兆响 -专利权人：宁波光明橡塑有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C08L23/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种橡胶材料的制备方法，具体是指设备一种用于制作做汽车点火线圈橡胶绝缘护套，抗20KV/mm电压击穿橡胶材料的一种高耐压电击穿橡胶材料的制备方法，采用三元乙丙橡胶，在配方中采用硫磺和过氧化二异丙苯的硫化体系以提高材料的抗击穿强度性能；在配方中加入碳酸钙，白炭黑和快压出炉黑，以提高材料的抗击穿强度性能；并配套以相应制备工艺的技术方案一种抗高压电击穿橡胶材料的制备方法，旨在制备出具备击穿强度大于20Kv/mm性能的橡胶材料，使所制作的汽车点火线圈橡胶绝缘护套制品提高抗击穿强度性能
一种耐压击穿橡胶材料制备方法

[发明专利]一种电压传输电路及相关电路结构-CN201810695495.2有效
发明人：郑世程;付丽银;刘飞;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，电压传输电路包括：主传输MOS管及防击穿保护器件；防击穿保护器件的输入端接入输入电压，防击穿保护器件的输出端连接主传输MOS管的第一端，主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及主传输MOS管的第二端外接负载，其中，防击穿保护器件用于将输入电压钳位预设电压后输出至主传输MOS管的第一端，预设电压小于输入电压。在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命
一种电压传输电路相关结构

[发明专利]一种电子束增材制造装置及方法-CN202110470366.5在审
发明人：郭超;李龙 -专利权人：天津清研智束科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B22F12/41 文献下载
摘要：本发明属于增材制造技术领域，公开了一种电子束增材制造装置及方法，电子束增材制造方法包括：在接地的成型缸的相对两侧设置正电极和负电极，在增材制造前，施加瞬时高压于所述正电极和所述负电极，以将所述成型缸上的粉末床电击穿本发明在完成铺送粉以后，通过在粉末床的两侧施加一个瞬时高压，以将粉末床电击穿，电击穿后的粉末床呈现沿水平方向的电导通状态，而粉末床处于接地状态，也就使得电子束扫描后的粉末上的电荷导至大地，也就有效避免“
一种电子束制造装置方法

[发明专利]一种高压交流电容器-CN202310064568.9在审
发明人：杨一民;蒋卫东;鞠方妮 -专利权人：无锡市法利安电气有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本发明公开一种高压交流电容器，属于电气设备技术领域。高压交流电容器采用卷绕方式制成心子，比平铺方式电容值提高一倍，能有效缩小体积；且电容单元由金属电极在内部串联，结构十分紧凑，所占空间小，有利于缩小外形尺寸，减少杂散电容的影响及外部电场的干扰；第一双面金属化薄膜和第二双面金属化薄膜均为金属化薄膜，当薄膜击穿时具有即刻自愈、恢复绝缘的特点，可以有效地消除由于薄膜电弱点击穿或局部放电击穿引起的绝缘失效，以保证电容器工作的稳定性和可靠性。
一种高压交流电容器

[发明专利]一种高压LDMOS器件及其制备方法-CN202211030612.6在审
发明人：陈涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种高压LDMOS器件及其制备方法，高压LDMOS器件包括：半导体衬底、埋氧区、P型阱区、源极区、P型基区、漏极区、漂移区、钝化层、介质层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及金属场板，介质层用于连接漏极电极和半导体衬底，通过增加介质层，可以形成一个MIS电容，使得漏极区附近的电场分布的更加均匀，从而优化漏极区的电场，提高器件的击穿电压，解决现有的器件击穿电压较低的问题。通过设置金属场板可以充分利用漏极区的耐压空间，把漏极区附近的电场引入器件内部，减轻漏极区附近的电场压力，提高器件的击穿电压，从而提成器件的耐压能力。
一种高压 ldmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种高压混合型沟槽肖特基二极管结构及其制造方法-CN202310654445.0在审
发明人：韩笑;许柏松;朱瑞;孟军;朱涛;崔鹏 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压混合型沟槽肖特基二极管结构及其制造方法。一种高压混合型沟槽肖特基二极管结构，包括N型衬底以及生长在衬底上表面的外延层，外延层上刻蚀出沟槽结构，沟槽结构包括内外设置的内区以及外区，内区的沟槽为交叉设置的原胞内部T型交叉结构，外区的沟槽为原胞外部环状结构本发明提高击穿电压，并改善击穿漂移异常，提高产品击穿稳定性。
一种高压混合沟槽肖特基二极管结构及其制造方法

[发明专利]一种基于弧面电极放电的激光诱导击穿光谱检测系统-CN201310611350.7有效
发明人：王哲;侯宗余;袁廷璧;李政 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：一种基于弧面电极放电的激光诱导击穿光谱检测系统，属于激光诱导击穿光谱领域。特征在于在常规激光诱导击穿光谱系统的基础上增加了弧面电极放电装置。弧面电极放电装置由高压电源、电容、高压电缆、绝缘层和两个弧面电极组成。
一种基于电极放电激光诱导击穿光谱检测系统

[发明专利]双扩散场效应晶体管制造方法-CN200710094291.5无效
发明人：钱文生;刘俊文 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过增加晶体管栅极和漂移区重叠的面积，使晶体管的饱和电流得到大大的增加；而且利用延伸出来的栅极电位来改变漂移区表面电场的分布，达到提高击穿电压的目的；同时利用重叠区域栅极下面的厚二氧化硅来抑制因重叠区域引起的GIDL效应，降低器件的漏电流；而且，本发明所述方法还可使器件高压击穿的位置从横向结区域变为纵向结区域，也就是使得在高压下器件发生击穿的位置发生在最强的结的位置，从而提高了双扩散场效应晶体管的耐压特性。
扩散场效应晶体管制造方法

[实用新型]一种基于弧面电极放电的激光诱导击穿光谱检测系统-CN201320759255.7有效
发明人：王哲;侯宗余;袁廷璧;李政 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：一种基于弧面电极放电的激光诱导击穿光谱检测系统，属于激光诱导击穿光谱领域。特征在于在常规激光诱导击穿光谱系统的基础上增加了弧面电极放电装置。弧面电极放电装置由高压电源、电容、高压电缆、绝缘层和两个弧面电极组成。
一种基于电极放电激光诱导击穿光谱检测系统

[实用新型]一种高压交流电容器-CN202320116701.6有效
发明人：杨一民;蒋卫东;鞠方妮 -专利权人：无锡市法利安电气有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高压交流电容器，属于电气设备技术领域。高压交流电容器采用卷绕方式制成心子，比平铺方式电容值提高一倍，能有效缩小体积；且电容单元由金属电极在内部串联，结构十分紧凑，所占空间小，有利于缩小外形尺寸，减少杂散电容的影响及外部电场的干扰；第一双面金属化薄膜和第二双面金属化薄膜均为金属化薄膜，当薄膜击穿时具有即刻自愈、恢复绝缘的特点，可以有效地消除由于薄膜电弱点击穿或局部放电击穿引起的绝缘失效，以保证电容器工作的稳定性和可靠性。
一种高压交流电容器

[发明专利]一种微小间隙电弧观测方法及装置-CN202110817699.0在审
发明人：李化;张国豪;林福昌;李征;王哲豪;王雨橙;邱天;黄子钦;李浩波;梁伟朋 -专利权人：华中科技大学;国网上海市电力公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种微小间隙电弧观测方法及装置，属于高压测量领域。该观测方法为：向金属化膜施加压强，排出金属化膜之间的空气；向金属化膜施加击穿电压，金属化膜部分区域重叠，所述重叠部分在电压作用下发生击穿形成击穿区域产生电弧；产生的电弧所发射的光经反射成像，拍摄金属化膜击穿过程中电弧形貌变化的发展过程观测装置包括击穿试验平台及测量系统。通过本发明的观测装置，能够观测到微米级厚金属化薄膜击穿过程中电弧形貌变化的发展过程，便于研究自愈过程中电弧的发展机理，并可以拓展到其他微米级间隙放电观测领域；另外，本发明观测装置结构简单、可操作性强。
一种微小间隙电弧观测方法装置