专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]横向高压半导体器件的耐高压结构-CN201410498711.6有效
  • 潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2014-09-25 - 2018-12-07 - H01L29/06
  • 本发明实施例提供了一种横向高压半导体器件的耐高压结构。该耐高压结构包括:第一导电类型的半导体衬底、第二导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区、低压端、高压端、场氧化层、第一多晶硅、和/或第一金属以及介质层。本发明实施例通过提高半导体中同一种掺杂元素的掺杂浓度,降低了耐高压结构的导通电阻,同时通过第二掺杂区指向第一多晶硅和/或第一金属的垂直方向的电力线,以及由第一多晶硅和/或第一金属指向第一掺杂区的垂直方向的电力线,使耐高压结构内部整体的电场分布较均匀,提高了耐高压结构的击穿电压,同时优化了耐高压结构的击穿电压与导通电阻。
  • 横向高压半导体器件结构
  • [发明专利]一种热态气体击穿特性的测试装置及方法-CN202010113909.3在审
  • 邓云坤;张颖;焦琳;王科;赵虎;田增耀;马仪;赵现平;彭晶 - 云南电网有限责任公司电力科学研究院
  • 2020-02-24 - 2020-06-05 - G01R31/12
  • 本申请公开一种热态气体击穿特性的测试装置及方法,装置包括:测试腔体、高压测试电源、温度控制模块、抽真空模块、充气模块、腔体外部冷却模块、数据监测模块和上位机控制系统;测试腔体的腔内设置有电极和至少一个石英灯,测试腔体的外壳接地;所述高压测试电源包括低压端和高压端,低压端接地,高压端与电极电连接;温度控制模块与石英灯电连接;抽真空模块和充气模块均与测试腔体连通;腔体外冷却系统与测试腔体的外壳连接;数据监测模块与高压测试电源和温度控制模块电连接;上位机控制系统与高压测试电源、抽真空模块、充气模块、腔体外部冷却模块和数据监测模块连接。以解决难以通过测试的方式获取数千摄氏度的热态气体的击穿特性的问题。
  • 一种气体击穿特性测试装置方法
  • [发明专利]一种基于多电源合成的真空灭弧室老炼装置-CN201710737634.9有效
  • 翟小社 - 西安交通大学
  • 2017-08-24 - 2019-07-23 - H01H11/00
  • 本发明公开了一种基于多电源合成的真空灭弧室老炼装置,低压直流源的电压输出端与IGBT芯片的集电极相连接,高压脉冲源的接地端及高压直流源的接地端均与真空灭弧室的一端相连接,真空灭弧室的另一端与高压直流源的高压端、高压脉冲源的高压端及IGBT芯片的发射极相连接,电流检测单元的输出端及电压检测单元的输出端均与信号检测及IGBT触发控制单元的输入端相连接,信号检测及IGBT触发控制单元的输出端与IGBT芯片的门极相连接,该装置能够实现对真空灭弧室的击穿及老炼,并且击穿过程中对电源的要求较低,老炼较为充分。
  • 一种基于电源合成真空灭弧室老炼装置
  • [发明专利]一种容性负载专用高压绝缘检测装置-CN202210158313.4有效
  • 张帅;单士忠;李玺 - 青岛艾测科技有限公司
  • 2022-02-21 - 2023-05-09 - G01R31/12
  • 本发明公开了一种容性负载专用高压绝缘检测装置,属于高压绝缘检测技术领域,其高压板采用四倍压整流电路来产生检测所需的直流高压,可以有效检出容性负载测试中发生的微击穿,采用可编程高压脉冲式检测方式具有检出率高能够全部检测出容性负载在生产环节出现的不良品,并且容性负载端电压到达设定值后,停止倍压整流电路工作,容性负载端电压自由跌落,相对于现有技术中的电压维持式测量方案,可以有效检测出容性负载绝缘阻抗低的情况,不仅兼具绝缘高压测量方案的优点,还能有效提升测试速度,测出容性负载出现的微击穿
  • 一种负载专用高压绝缘检测装置
  • [发明专利]硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法-CN201210432220.2有效
  • 程凯 - 程凯
  • 2012-11-02 - 2013-02-06 - H01L29/778
  • 本发明提供了一种硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法。该硅衬底上氮化物高压器件通过在漏极区域引入高电压耐受层,局部增加外延层的厚度来承担较高的压降,从而实现可以耐高击穿电压的器件。通过这种局部生长方法,不仅可以实现耐高击穿电压的器件,也可以避免整体材料过厚带来的氮化物外延层翘曲龟裂问题,保证材料生长质量,并且提高材料生长效率,降低成本。
  • 衬底氮化物高压器件及其制造方法
  • [实用新型]不会被高压击穿的火花塞-CN200720150957.X无效
  • 王鹏 - 王鹏
  • 2007-05-16 - 2008-04-30 - H01T13/20
  • 本实用新型涉及一种内燃机的火花塞,尤其是涉及一种适用于双燃料车型的不会被高压击穿的火花塞,包括接线螺母、金属壳、绝缘体、在绝缘体的前端侧内部孔中的中心电极和接地电极,其特征是:在上述绝缘体上配合一绝缘的热塑管;本实用新型结构简单、独特、使用方便、可以延长火花塞使用寿命且不会被高压击穿
  • 不会高压击穿火花塞
  • [其他]一种稳定的火花放电装置-CN87213731无效
  • 周汝生;贾凤清 - 中国科学院半导体研究所
  • 1987-09-28 - 1988-07-27 - H01T2/00
  • 一种能够保持稳定高压火花放电的装置,在两个放电电极之间设置一个触发电极,它经过一个附加的高值限流电阻与一个高压放电电极相连,触发电极与加一相对的放电电极更为接近,在环境温度与湿度以及电极状况发生变化时仍能实现它们之间小空气隙的击穿,从而触发两个放电电极之间较大空气隙的击穿,由于附加的高值限流电阻比连接在高压电源上的限流电阻大得多,使放电电流的主要部分经较大空气隙通过。
  • 一种稳定火花放电装置
  • [其他]一种稳定的高压放电装置-CN87213733无效
  • 周汝生;贾凤清 - 中国科学院半导体研究所
  • 1987-09-28 - 1988-08-31 - H01T2/02
  • 一种能够保持稳定高压火花放电的装置,在两个放电电极之间设置一个触发电极,它经过一个附加的高值限流电阻与一个高压放电电极相连,触发电极与另一相对的放电电极更为接近,在环境温度与湿度以及电极状况发生变化时仍能实现它们之间小空气隙的击穿,从而触发两个放电电极之间较大空气隙的击穿,由于附加的高值限流电阻比连接在高压电源上的限流电阻大得多,使放电电流的主要部分经较大空气隙通过。
  • 一种稳定高压放电装置

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