专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2685040个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种多层单晶硅薄膜的制备方法-CN201810075920.8有效
  • 党启森 - 沈阳硅基科技有限公司
  • 2018-01-26 - 2021-06-04 - H01L21/02
  • 一种多层单晶硅薄膜的制备方法,依次按照下述要求制备多层单晶硅薄膜:①首先,取两表面洁净的单晶硅片采用等离子激活技术处理硅片表面后,进行;②将键后的硅片,传送至在200‑300℃的温度退火炉内进行6‑10小时的退火,既防止了过渡区的产生又将此两硅片完成彻底键,③将退火后的键进行减薄处理以达到需求的目标厚度;④将减薄处理后的SOI,重新按照一单晶硅片与另一单晶硅片再次进行①‑③的操作本发明采用等离子激活技术处理过的硅片键合时键合力大,退火后键效果优良;各层界面无明显电阻过渡区;可以对各层单晶硅的厚度进行有效控制;其综合技术效果良好;具有较为巨大的经济价值和社会价值。
  • 一种多层单晶硅薄膜制备方法
  • [发明专利]ABS整流桥的焊接方法-CN201110389706.8无效
  • 邵东华 - 常州星海电子有限公司
  • 2011-11-30 - 2012-06-27 - B23K1/008
  • 本发明公开了一种ABS整流桥的焊接方法,在第一焊舟内填上芯粒和焊各一层,其中芯粒在下层焊片在上层,且芯粒P面朝上,填上芯粒和焊后,将第二焊舟盖在第一焊舟上;将两块结合的焊舟放入焊接炉中进行加热对焊和芯粒进行焊接,焊受热融化成锡球状并吸附在芯粒中央形成焊接点,将两块结合的焊舟出炉冷却后,将芯粒放入容器中以待使用;将上料和下料固定在定位板上,在上料和下料的平面上点上锡胶后,用吸笔将焊好的芯粒放于上料和下料上的平面点上进行固定,将上料和下料移至石墨舟上进行模。本发明通过对芯粒以单面焊的方式使芯粒获得准确定位,避免芯料偏位,焊接后的整流桥的电性能得到保证。
  • abs整流焊接方法
  • [实用新型]金属基板树脂塞孔的压结构-CN201620936243.0有效
  • 江碧天 - 江碧天
  • 2016-08-25 - 2017-02-22 - H05K1/05
  • 本实用新型提供了一种金属基板树脂塞孔的压结构,包括金属基板和与所述金属基板叠设的环氧树脂半固化,所述金属基板上设有塞树脂孔,所述塞树脂孔内设有树脂胶层,所述金属基板树脂塞孔的压结构设有贯穿所述环氧树脂半固化和所述树脂胶层的钻孔,所述钻孔与所述塞树脂孔的孔壁间隔设置,所述钻孔的孔壁上设有导电铜层。与相关技术相比,本实用新型提供的金属基板树脂塞孔的压结构可以有效解决树脂塞孔气泡以及导电铜层凹陷的技术问题,有效提升导电铜层的抗氧化性能,同时还可以提升金属基板树脂塞孔的压结构的导电性能。
  • 金属树脂结构
  • [发明专利]层压线路板上散热凸台的加工方法-CN202310031792.8在审
  • 罗安森;周建军;刘继民;常玉兵 - 珠海市深联电路有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-05-09 - H05K3/02
  • 本发明公开了一种层压线路板上散热凸台的加工方法,包括下列步骤:开窗,取一张双面覆铜皮的FR4子板,在内层铜皮上要插入散热凸台的位置进行开窗;开窗,将经过开窗步骤的FR4子板,采用激光从内层铜皮的开窗位置将FR4介质层烧至外层铜皮的内侧停止;制基板,选取铜板进行蚀刻,蚀刻时需使铜板的预设散热区形成散热凸台;叠板,将半固化和双面覆铜皮的FR4子板叠放在铜板上形成叠装整体;压,对叠装整体进行压,半固化则会溢胶到散热凸台的侧隙,由于被外层铜皮阻挡,半固化不会溢胶到散热凸台的上端;揭盖,压之后,在外层铜皮对应散热凸台位置利用激光揭盖,使散热凸台露出。
  • 层压线路板散热加工方法
  • [发明专利]一种低温晶片直接键方法-CN200510086420.7无效
  • 赵洪泉;于丽娟;黄永箴 - 中国科学院半导体研究所
  • 2005-09-14 - 2007-03-21 - H01L21/00
  • 本发明涉及晶片直接键技术领域,提供的是一种利用低温键技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片,在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后,再对InP和Si分别进行表面除杂质离子、除碳和表面清水性处理,之后进行。再将经过的晶片对置于一真空温控加热加压炉系统内,施加一适当温度和适当压力的热处理,以驱除键界面的水气。之后对键进行减薄处理,再对晶片进行进一步不加压力的驱除界面残留气体的热处理,随后对键进行旨在提高界面键能的更高温度热处理。最后对键进行去InP衬底腐蚀。
  • 一种低温晶片直接方法
  • [发明专利]一种基于修整工艺的晶圆键方法-CN201711251256.X有效
  • 邹文 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2017-12-01 - 2019-07-02 - H01L21/60
  • 本发明提供一种基于修整工艺的晶圆键方法,属于半导体制造技术领域,包括:步骤S1、通过修整工艺,对一或两片晶圆进行修整处理以去除晶圆上的残留;步骤S2、通过键工艺,对两片晶圆进行键处理以使两片晶圆键;步骤S1中,通过修整工艺进行修整处理的具体步骤包括:步骤S11、通过一修整设备的研磨头对倒角上的残留进行研磨以去除残留;步骤S12、通过一酸液对晶圆进行至少一次清洗处理。本发明的有益效果:能够去除前制程工艺中产生的残留,避免在键工艺时残留剥落至晶圆表面使晶圆键后形成键缺陷,从而降低晶圆键空洞缺陷率,提高产品良率,改善产品性能。
  • 一种基于修整工艺晶圆键合方法
  • [发明专利]一种有树脂塞孔及沉头孔的双面铝基板制作方法-CN201310025691.6在审
  • 吴干风 - 深圳市万泰电路有限公司
  • 2013-01-22 - 2014-07-23 - H05K3/40
  • 其特征在于:包括以下步骤:开料:选取固定尺寸的铝基板;双面压保护膜:铝基板的双面压绿色PE膜;一次钻孔:先在垫木板上钻四个范围孔,打上销钉固定铝基材,再钻大孔、靶位孔,大孔比成品孔径单边大0.5mm;一次压:一次压板结构 第一次压填胶:把PP排在已钻孔铝基板的两边,按照1HOZ型号铜箔、17628型PP、1块铝基板、17628型PP以及1HOZ型号铜箔的排版顺序进行层压,其中铜箔光面对PP,利用7628型PP内的树脂塞大孔;采用本发明可以解决树脂塞孔及沉头孔的双面铝基板存在空洞导致短路,影响产品质量的问题。
  • 一种树脂沉头孔双面铝基板制作方法
  • [发明专利]一种厚铜印制电路板的填胶方法-CN202210670944.4在审
  • 凌家锋;聂汉周 - 长沙牧泰莱电路技术有限公司
  • 2022-06-15 - 2022-07-29 - H05K3/46
  • 一种厚铜印制电路板的填胶方法,包括以下步骤:1、对内层芯板添加棕化药水,在板面上形成棕化膜;2、对内层芯板所需填胶量进行计算,在内层芯板上方放置计算匹配的第一半固化,在内层芯板下方放置计算匹配的第二半固化,并在第一半固化的上方和第二半固化的下方均放置离型膜,进行第一次压,形成首次压芯板;3、将首次压芯板进行数控铣,铣去四周的溢胶;4、剥离去除首次压芯板上下部的玻纤层,保留树脂,得到填胶芯板;5、在填胶芯板之间放入半固化作为层间介质进行总卡压,半固化的厚度按设计要求进行设置。本发明解决了厚铜薄介质印制电路板生产过程中出现的压填胶不足及层间空洞的情况。
  • 一种印制电路板方法
  • [发明专利]电池系统-CN201710890858.3在审
  • 李文;沈庆丰;喻双喜;卓远;陈定川;周浩;陈鹏;张徐兵;邹振 - 无锡奥特维科技股份有限公司
  • 2017-09-27 - 2018-01-26 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种电池系统,包括旋转送料装置,用于将整片电池按照掰处理工序依序传送至检测工位、切割工位和下料工位;检测装置,设置于检测工位,用于对检测工位上的电池进行规检测;切割装置,设置于切割工位,用于在切割工位上的电池切出分割线;掰装置,用于从下料工位吸取经切处理的电池,并从掰工位将吸取的电池沿分割线掰断。本发明将检测装置以及切割装置分设于两个工位,可以同时进行电池的检测以及切操作,提高掰系统的工作效率。
  • 电池片掰片系统

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top