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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法-CN201510395554.0有效
发明人：邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法-CN201310111615.7无效
发明人：王强;花国然;朱海峰;姚滢;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]液晶显示面板-CN201610317552.4在审
发明人：俞方正;曹梓毅;蔡正晔 -专利权人：友达光电（昆山）有限公司;友达光电股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明揭露一种液晶显示面板，包括第一基板、与第一基板相对的第二基板、液晶层、至少一第一电极结构以及至少一第二电极结构，液晶层设于第一基板与第二基板之间且具有复数个液晶分子，第一电极结构包括第一底电极、第一顶电极与第一绝缘层，第一绝缘层设于第一底电极与第一顶电极之间，第一底电极设于第一基板上，第一底电极的宽度小于第一顶电极的宽度；第一电极结构与第二电极结构交替排列于第一基板上，第一电极结构及第二电极结构用以施加平行于第一基板的电场至液晶层本发明中第一顶电极的宽度大于第一底电极的宽度，发生大角度偏折的光线会射向第一顶电极，使光线最终具有较小的偏折角度，减轻暗态漏光。
液晶显示面板

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010724793.7在审
发明人：康赐俊;单利军;刘宇;邱泰玮;王丹云;沈鼎瀛 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底电极和顶电极；位于所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底电极和顶电极之间的抓氧层，所述抓氧层位于所述阻变层之上，所述抓氧层的上轮廓为具有特定曲率的曲线，所述顶电极覆盖所述抓氧层。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种用于热顶窑炉的顶插电极-CN201611174262.5在审
发明人：李军;商树仑;褚善庆;王益平;吴伟 -专利权人：上海宝钢节能环保技术有限公司;秦皇岛昱仑玻璃设备有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C03B5/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于热顶窑炉的顶插电极，包括电极本体、保护套和密封部，保护套套在电极本体上，保护套的两端开口和电极本体之间的间隙通过密封部密封，保护套和电极本体之间填充惰性气体。本发明采用保护套结构完全不同于传统钼电极的水冷套结构，通过惰性气体防止电极本体被氧化，并且在更换顶插电极时，仅需将本顶插电极直接从窑炉顶部拔出更换即可。
一种用于热顶窑炉电极

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110054250.3在审
发明人：彭泰彦;魏惠娴;林函廷;杨心怡;陈玉树;张安胜;傅强;王辰戎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底上方形成第一金属间电介质(IMD)层；在第一IMD层上方形成底部电极层；在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)薄膜堆叠；在MTJ薄膜堆叠上方形成第一顶部电极层；形成覆盖第一顶部电极层的第一区域的保护掩模，第一顶部电极层的第二区域未被保护掩模覆盖；在保护掩模和第一顶部电极层上方形成第二顶部电极层；以及利用离子束蚀刻(IBE)工艺对第二顶部电极层、第一顶部电极层、MTJ薄膜堆叠、底部电极层和第一IMD层进行图案化以形成MRAM单元，其中，保护掩模在IBE工艺期间被蚀刻。
半导体器件方法

[发明专利]光伏电池及其制备方法-CN202011388307.5在审
发明人：张彼克;金井升 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光伏电池及其制备方法，光伏电池的制备方法包括：提供电池片基板；在电池片基板上形成牺牲电极，牺牲电极中具有牺牲材料，牺牲电极具有远离电池片基板的第一顶面；在电池片基板上形成钝化层，钝化层覆盖至少牺牲电极的部分区域，钝化层具有远离电池片基板的第二顶面，且第二顶面低于第一顶面或者第二顶面与第一顶面齐平；在牺牲电极的第一顶面形成初始电极，且初始电极还位于部分钝化层上；对牺牲电极和初始电极进行烧结处理以形成电池电极，其中烧结处理的烧结温度大于或等于牺牲材料的沸点
电池及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法和应用-CN201710448432.2有效
发明人：陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法和应用，有机电致发光器件包括：基板，包括像素电极区和辅助电极区；以及像素界定层，形成于所述像素电极区和所述辅助电极区之间；所述像素电极区包括：像素电极，有机功能层和顶电极；所述辅助电极区包括：辅助电极，导电层和间隔层；所述顶电极与所述导电层连接。上述有机电致发光器件通过在辅助电极上增设导电层以及倒梯形间隔层，顶电极可以通过导电层与辅助电极形成良好的电学连接，解决因使用开口mask导致辅助电极因被有机功能层覆盖而无法与顶电极之间形成有效连接的问题
有机电致发光器件及其制备方法应用

[发明专利]一种带有多种顶电极形状的薄膜体声波谐振器-CN202111583874.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种带有多种顶电极形状的薄膜体声波谐振器。所述薄膜体声波谐振器包括基体、布拉格反射层、底电极、压电层和顶电极；所述布拉格反射层设置于所述基体的安装槽中；所述底电极设置于所述布拉格反射层上方；所述压电层设置于所述底电极上方所述顶电极设置于所述压电层上方；所述顶电极包括三边形电极、四边形电极和五边形电极；所述三边形电极、四边形电极和五边形电极均包含三层电极区域，并且，所述三层电极区域的制作材料和形状均不形同。
一种带有多种电极形状薄膜声波谐振器

[发明专利]声波设备-CN202180080393.X在审
发明人：山根毅;帕特里克·特纳;文西斯拉夫·扬切夫;布赖恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种声波设备包括：支撑基板，包括顶表面和底表面以及空腔或气隙；压电层，在支撑基板上，并包括顶表面和底表面；以及电极，在压电层的顶表面上，并包括顶表面和底表面。电极的至少一部分在空腔或气隙上方，并且满足方程式0.002Tg≤0.5(Lb‑Ls)＜Te，其中，Ls是电极的顶表面的最大长度，Lb是电极的底表面的最大长度，Tg是压电层的顶表面和支撑基板的顶表面之间的距离，并且Te是电极的厚度。
声波设备

[发明专利]一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路的制备方法-CN201910138418.1在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路的制备方法，提供在两层Cu金属连线之间，其包括以下步骤：在存储单元阵列区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结结构单元、顶电极、顶电极接触和位线BL，底电极通孔、底电极、磁性隧道结结构单元、顶电极和顶电极接触依次对齐；在逻辑外围电路区域，则采用位线通孔和底电极通孔直接相连接的方式实现，位线通孔和底电极通孔对齐；最后，在存储单元阵列区域的顶电极接触和逻辑外围电路区域的位线通孔之上制作一层
一种磁性随机存储器存储单元及其外围电路制备方法

[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备-CN202011133757.X在审
发明人：庞慰;李葱葱;徐洋;梁兴宇;张孟伦 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；压电层；和顶电极，其中：底电极和/或顶电极的表面粗糙度Rq0.5nm；和/或在平行于谐振器的厚度方向的一个截面中，底电极和/或顶电极的与压电层接触的表面上的最高点与最低点之间在所述厚度方向上的距离小于本发明还涉及一种体声波谐振器的制作方法，所述谐振器包括基底，声学镜，底电极，压电层和顶电极，所述方法包括步骤：以沉积功率范围大于1KW的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。
声波谐振器及其制造方法滤波器电子设备

[发明专利]压电层带凹陷结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201910157916.0在审
发明人：庞慰;张孟伦;杨清瑞 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-03-02 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘，且在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合或者在所述顶电极的边缘的外侧。
压电凹陷结构声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]一种液滴发电机及其制作方法-CN202310916029.3在审
发明人：李龙;代靓君;姚强;邓保家;张盈;杨华夏;杨勃 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02N3/00 文献下载
摘要：本申请涉及纳米发电机领域，公开了一种液滴发电机及其制作方法，包括：准备底电极、电介质层和顶电极；对层叠的所述底电极、所述电介质层和所述顶电极进行加热，使所述底电极和所述电介质层之间以及所述电介质层和所述顶电极之间无缝熔合本申请中底电极和电介质层、电介质层和顶电极之间通过加热熔合在一起，底电极和电介质层、电介质层和顶电极之间不仅发生物理反应粘合在一起，同时在接触界面处还会发生化学键的相互结合。使得底电极、电介质层和顶电极之间结合更加牢固，不易发生脱离，提升液滴发电机的鲁棒性，同时，还可以提升液滴发电机的柔韧性，机械变形承受能力增加。
一种发电机及其制作方法

[发明专利]有机电致发光板及其制造方法-CN200910076434.9有效
发明人：孙力 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2009-01-04 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光板包括基板，以及在基板上由下至上形成的底电极、有机层、顶电极和密封层，其中：底电极、有机层和顶电极的边缘在至少一个方向上与基板的边缘之间的距离递增，且底电极、有机层和顶电极的边缘在至少另一个方向上与基板的边缘之间的距离递减；顶电极重合在底电极上方的部分形成在有机层的范围内；密封层覆盖在底电极、有机层和顶电极之上，且在距离递增的方向上露出至少部分底电极，在距离递减的方向上露出至少部分顶电极。
有机电致发光及其制造方法

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