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[实用新型]一种电极自动打磨机的长度测量系统-CN201620050245.X有效
发明人：肖向前 -专利权人：重庆立洋机电设备制造有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电极自动打磨机的长度测量系统，包括顶料箱，贯穿顶料箱上部横向设有直线轴承，直线轴承内装配有直线轴，顶料箱的一侧设有顶料气缸，顶料气缸的活塞杆的端部与直线轴一端固定连接，顶料气缸的活塞杆未顶出时其端部位于顶料箱的一侧壁内，直线轴另一端固定连接有顶料杆。与现有技术相比，本实用新型使用时，顶料杆用于将电极推送上电极自动打磨机的主轴，推送时位移传感器测量顶料杆的位移量，经换算后得出电极长度，电极自动打磨机的控制系统依据此测量值决定车削起始点、车削量及加工后电极的等级，降低电极加工的不良率。
一种电极自动打磨长度测量系统

[发明专利]电阻器及其制造方法-CN99100926.6无效
发明人：山田博之;桥本正人;津田清二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-01-08 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：一种电阻器包括衬底、至少设置在衬底上表面上的一对第一顶电极层、与第一顶电极层电气连接的电阻层、至少覆盖电阻层的保护层和至少设置在一对第一顶电极层的上表面上的一对第二顶电极层。成对的第一顶电极层或第二顶电极层中至少有一对部分地延伸到衬底的侧表面。
电阻器及其制造方法

[发明专利]显示器件及其制备方法、显示装置-CN201911414745.1在审
发明人：史文;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：其中，显示器件，包括：基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区围绕所述显示区设置；像素电极，设置在所述基板的所述显示区上；发光功能层，设置在所述像素电极上；顶电极，设置在所述发光功能层上；走线电极，设置在所述基板的所述非显示区上；及连接电极层，连接所述走线电极与所述顶电极。该显示器件在基板的非显示区上设置走线电极，并通过电极连接层将顶电极和走线电极连接，从而不需要在显示区预留走线电极连接孔，不会降低像素开口率，且可以降低顶电极的电阻，提高顶电极的导电性，进而提高显示器件的显示性能
显示器件及其制备方法显示装置

[发明专利]带声学阻抗失配结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201910634090.2在审
发明人：张孟伦;庞慰;杨清瑞 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和电极支撑部，至少在压电层与顶电极之间形成间隙，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；沿所述顶电极的自由边缘的至少一部分，所述谐振器设置有声学阻抗失配结构。
声学阻抗失配结构声波谐振器滤波器电子设备

[实用新型]一种点焊机电极杆组件-CN201120144267.X有效
发明人：邹春华;邹金兰 -专利权人：广州（从化）亨龙机电制造实业有限公司
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： B23K11/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单点电阻焊接机中连接电极的点焊机电极杆组件，其包括电极杆、三通接头、电极、中心水管、压头、顶杆、弹簧，所述电极杆为具有基端和悬端的管状体，该电极杆内部具有直通孔、设于管状体悬端的锥孔，电极插接于该锥孔，所述压头滑动套设于三通接头内，所述顶杆设于直通孔内，所述弹簧是两端分别与顶杆和电极杆连接从而使顶杆的一端抵住压头的复位弹簧，所述顶杆的另一端与所述电极的插接端位置相对应并具有空隙。拆卸电极时，只需按压压头或轻敲压头就可通过顶杆将顶推力传递到电极的内端面，使电极更易从锥孔松开，拆卸过程简捷，同时可避免从侧面敲击电极，保证锥孔不变形，进而保护电极杆，延长其使用寿命。
一种点焊机电组件

[发明专利]电阻式非挥发性内存装置-CN201310096514.7有效
发明人：张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：上述电阻式非挥发性记忆体装置包括一底电极接触插塞；一底电极，设置于上述底电极插塞上，且与上述底电极插塞接触；一电阻转态层，设置于上述底电极上；一顶电极，设置于上述电阻转态层上；一顶电极接触插塞，设置于上述顶电极上，且与上述顶电极接触，其中上述底电极接触插塞和上述顶电极接触插塞沿一上视方向以一距离彼此隔开。本发明提供一种电阻式非挥发性记忆体装置通过电极接触插塞配置可使顶电极接触插塞远离于位于底电极接触插塞正上方的部分MIM叠层，以降低因底电极接触插塞顶面轮廓造成的元件电性影响，因而可降低元件的电阻转换阻值变异量
电阻挥发性内存装置

[发明专利]一种顶发射显示发光器件及其制备方法-CN201611225243.0有效
发明人：陈亚文 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种顶发射显示发光器件及其制备方法，包括基板、位于基板上的像素电极、位于基板上的辅助电极、以及位于基板上用于分隔像素电极和辅助电极的像素bank，所述像素bank覆盖像素电极边缘区域以及辅助电极边缘区域，所述辅助电极边缘区域的像素bank形成倒角状的tape角，所述辅助电极上方依次设置有功能层和顶电极，且倒角状的tape角下端的辅助电极与其上方的顶电极相连。本发明由于将辅助电极边缘区域的像素bank的tape角设置成倒角状，从而在蒸镀功能层时形成裸露的辅助电极区，随后在沉积的顶电极会覆盖暴露出来的辅助电极，从而形成顶电极与辅助电极的相连结构，本发明的结构大大简化的制作工艺
一种发射显示发光器件及其制备方法

[实用新型]一种芯片封装载板-CN202222484914.2有效
发明人：何忠亮;赵标;沈正;王成军 -专利权人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装载板，包括承载片、基板和复数个按矩阵布置在基板上的单元电路，承载片可剥离地粘贴在基板的底面上，单元电路之间包括栅格形的切割道；单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极；在竖直方向包括顶电极层、引线层和底电极层，顶电极布置在顶电极层中，底电极布置在底电极层中；引线层布置在顶电极层与底电极层之间，包括与单元电路电极对应的引线和复数根连接线，连接线布置在切割道中；引线的第一端与对应的电极连接本实用新型在电极蚀刻制作完成后，各电极通过引线层保持电连接，仍然可以方便地对电极进行电处理。
一种芯片装载

[发明专利]集成电路器件-CN202110184734.X在审
发明人：崔允荣;朴相在;李东均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：所述集成电路器件包括：位于基底上的下电极，下电极包括第一下电极部分和第二下电极部分，第一下电极部分沿垂直于基底的顶表面的第一方向延伸并且包括第一主区域和第一顶区域，第二下电极部分在第一下电极部分上沿第一方向延伸并且包括第二主区域和第二顶区域；第一顶支撑图案，围绕第一下电极部分的第一顶区域的侧壁的至少一部分；以及第二顶支撑图案，围绕第二下电极部分的第二顶区域的侧壁的至少一部分，第二下电极部分包括向外突出到第二顶支撑图案的突起。
集成电路器件

[发明专利]一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法-CN201510751121.4有效
发明人：王新强;盛博文;荣新;王平;唐宁;郑显通;马定宇;荀坤;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L31/065 文献下载
摘要：本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收
组分渐变底电极接触层顶电极吸收增强层结构太阳能电池钝化层衬底制备光电转换效率空穴太阳能电池材料生长太阳光谱可调控太阳光晶格势垒输运吸收侧面生长覆盖

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710837736.8有效
发明人：李岱萤;王超鸿;吴声柏;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一底电极、一半导体层、以及一顶电极。半导体层配置于底电极上。顶电极配置于半导体层上，其中半导体层环绕一部分的顶电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201711011769.3在审
发明人：郭一民;肖荣福;张云森;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在基底上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上沉积底电极接触和磁性隧道结多层膜，并在存储区域制作磁性隧道结记忆单元阵列；在逻辑区域底电极通孔上制作逻辑区域底电极接触和假磁性隧道结(dummy‑MTJ)单元；(3)制作逻辑区域顶电极通孔，并使逻辑区域顶电极通孔的尺寸大于假磁性隧道结单元的尺寸；(4)制作存储区域顶电极通孔，然后在逻辑区域顶电极通孔和存储区域顶电极通孔中填充顶电极通孔金属；(5)制作连接逻辑区域与存储区域的金属连线。
通孔逻辑区域底电极顶电极存储区域磁性隧道结制作磁性随机存储器单元阵列金属连线周边电路基底连线磁性隧道结单元记忆单元阵列表面抛光填充金属多层膜沉积填充制造金属

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202310955040.0在审
发明人：唐鹏宇;郝力强;穆欣炬;马中生;刘宏俊 -专利权人：义乌清越光电技术研究院有限公司;苏州清越光电科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：太阳能电池包括：衬底；透明电极层，透明电极层位于衬底之上，透明电极层包括多个透明电极，相邻两个透明电极之间形成间隔；多个导电连接体；发电功能层，被导电连接体隔为多个发电功能单元，每一发电功能单元设置在相邻两个导电连接体之间的区域；顶电极层，顶电极层包括多个顶电极，多个顶电极与多个发电功能单元一一对应设置，每一顶电极的一侧与对应的导电连接体接触设置，顶电极的另一侧与导电连接体不接触。本发明设计的太阳能电池制造工艺简单，降低了对发电功能单元下方的透明电极造成损伤，提高了良率。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]具有向周围延伸的存储元件的存储单元器件-CN200710161895.7有效
发明人：龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件，其具有底电极构件、顶电极构件以及位于顶电极构件与底电极构件之间的电介质材料。此顶电极以及底电极构件具有彼此大致对准的环绕向外延伸的外表面。存储元件包含存储材料，至少部分环绕且与该底电极构件和该顶电极构件的该外表面电接触，以在该电介质材料中产生存储元件转换区域。在某些实施例中，底电极构件、该顶电极构件以及该电介质材料定义材料堆叠，该材料堆叠具有延伸于该底电极构件和该顶电极构件之间且通过该电介质材料的方向的长度，以及延伸垂直于该长度且具有亚光刻尺寸的宽度。
具有周围延伸存储元件单元器件

[发明专利]GaAs基光电器件及其阵列的制备方法-CN201910149206.3有效
发明人：陈弘;霍雯雪;贾海强;杜春花;江洋;王文新 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaAs基光电器件及GaAs基光电器件阵列的制备方法，GaAs基光电器件从下至上依次包括：金属基板组件；背电极层；背电极欧姆接触层；间道腐蚀阻挡层；GaAs有源层；顶电极欧姆接触层；顶电极层制备方法包括步骤：1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其包括衬底，衬底腐蚀阻挡层，背电极欧姆接触层，间道腐蚀阻挡层，GaAs有源层，顶电极欧姆接触层；2)，在顶电极欧姆接触层上制备顶电极层；3)，形成间道沟槽；4)，将过渡基板粘附在顶电极层上；5)，移除衬底和衬底腐蚀阻挡层；6)，在背电极欧姆接触层上制备背电极层；7)，在背电极层上制备金属基板组件；8)，移除过渡基板。
gaas 光电器件及其阵列制备方法