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[发明专利]压电谐振器及其制作方法-CN202111132527.6在审
发明人：吴珂;吕丽英;杨帅;王超;庄智强;张丽蓉;吴一雷 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种压电谐振器，包括底电极；压电层，叠设于底电极之上；顶电极，叠设于压电层远离底电极的一侧；声波反射层结构，形成于底电极远离压电层的一侧；以及，顶电极引出结构，位于压电层远离底电极的一侧；底电极、压电层、顶电极以及声波反射层结构共同交叠重合形成的空间区域定义为谐振区；顶电极引出结构于谐振区内与顶电极相连，并由谐振区内延伸至谐振区外，且顶电极引出结构与顶电极向压电层的正投影部分交叠。
压电谐振器及其制作方法

[发明专利]顶电极互连结构-CN201910998482.7在审
发明人： I·G·金;R·A·奥格尔 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，顶电极互连结构以及制造方法。该结构包括：下金属化特征；上金属化特征；与下金属化特征直接接触的底电极；位于底电极之上的一种或多种开关材料；位于一种或多种开关材料之上的顶电极；以及与顶电极和上金属化特征接触的自对准过孔互连。
电极互连结构

[发明专利]基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法-CN201510395579.0有效
发明人：邓洁;林凡;王强;邓洪海;高锐锋 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
基于扩散太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法-CN201310111198.6无效
发明人：花国然;王强;朱海峰;姚滢;张华 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下：将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种基于扩散太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201710463763.3在审
发明人：李岱萤;吴昭谊;林榆瑄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式随机存取存储器，包括一底电极、一电阻转换层、一顶电极、一金属层、以及一阻挡层。电阻转换层配置于底电极上。顶电极配置于电阻转换层上。金属层配置于顶电极上。阻挡层覆盖金属层。其中，阻挡层环绕金属层及顶电极。
顶电极电阻转换阻挡层电阻式随机存取存储器底电极覆盖金属层环绕金属层金属层配置金属层配置制造

[实用新型]一种圆形顶插电极电熔窑-CN201220587140.X有效
发明人：吴道元;耿海堂;倪亚军;商树伦 -专利权人：江苏元升太阳能集团有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C03B5/027 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆形顶插电极电熔窑，包含熔化部、流液洞、上升道、顶插电极和启动电极，熔化部的横截面是圆形，顶插电极从熔化部顶部沿池壁倾斜下插入，顶插电极一共有3-24组，顶插电极以竖轴为中心均匀分布，顶插电极的内倾角在0°-5°之间，启动电极位于熔化部的下部，启动电极水平从外向内插入，熔化部的底部设一流液洞，与流液洞相联的是上升道。本实用新型的优点在于：占地面积小，无烟尘排放，无污染，自动化程度高，热效率高，熔窑寿命长，更换电极非常方便。
一种圆形电极电熔窑

[发明专利]基于忆阻器的逻辑门器件、控制方法及逻辑门电路-CN202310303112.3在审
发明人：田禾;沈阳;刘晏铭 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的逻辑门器件、操作方法及逻辑门电路，逻辑门器件包括第一顶电极、第一阻变层、第一底电极、第二顶电极、第二阻变层和第二底电极；第一阻变层形成于第一顶电极上；第一底电极和第二底电极形成于第一阻变层上，且第一底电极和第二底电极间隔设置；第二阻变层形成于第一底电极、第二底电极以及间隔上；第二顶电极形成于第二阻变层上；第一顶电极作为逻辑门器件的第一输入端；第二顶电极作为逻辑门器件的第二输入端；第一底电极和第二底电极均作为逻辑门器件的输出端
基于忆阻器逻辑器件控制方法门电路

[发明专利]一种柔性突触仿生器件及其制备方法-CN201811265425.X有效
发明人：赵波;张超金;吴莹 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性突触仿生器件及其制备方法，从下至上依次包括柔性衬底、底电极薄膜、缺氧二氧化钛薄膜层、二氧化钛薄膜层、氧化锌薄膜层及顶电极薄膜，所述底电极薄膜和顶电极薄膜通过电极引线与电源连接；制备时先依次在柔性衬底上形成底电极薄膜、缺氧二氧化钛薄膜层、二氧化钛薄膜层、氧化锌薄膜层及顶电极薄膜，随后在底电极薄膜和顶电极薄膜设置电极引线，采用高频超声波将电极引线与底电极薄膜及顶电极薄膜的接触点固定。本发明的柔性突触仿生器件不仅有效避免了柔性衬底因固定电极引线产生的机械能或者热能而在底电极或顶电极与柔性衬底间产生应力而导致破坏，且能够改善器件的时间保持性和抗疲劳性，提高使用寿命。
一种柔性突触仿生器件及其制备方法

[发明专利]触控组件-CN201110329897.9有效
发明人：曾信荣;常鼎国;陈静珊 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控组件，其包括一基板、一第一底电极、一第二底电极、一主动层、一第一顶电极以及一第二顶电极。基板具有一触控区与一非触控区，第一底电极配置于触控区上，第二底电极配置于非触控区上，其中第一底电极与第二底电极电性绝缘。主动层配置于基板上，且从触控区延伸至非触控区。第一顶电极配置于主动层上且位于第一底电极上方，而第二顶电极配置于主动层上且位于第二底电极上方，其中位于触控区内的部分主动层、第一底电极与第一顶电极构成一光学式触控单元，而位于非触控区内的部分主动层、第二底电极与第二顶电极构成一太阳电池
组件

[发明专利]一种高功率精密贴片电阻-CN202011240439.3在审
发明人：张福仁 -专利权人：扬州永星电子有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01C1/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率精密贴片电阻，包括基板，所述基板的一端顶部设置有第一顶部内部电极，所述第一顶部内部电极的顶部设置有第一顶部中间电极，所述第一顶部中间电极的顶部设置有第一顶部外部电极，所述基板的一侧端部和第一顶部内部电极的一侧设置有第一端部内部电极，所述第一端部内部电极远离基板的一侧和第一顶部中间电极的一侧设有第一端部中间电极，所述第一端部中间电极远离第一端部内部电极的一侧和第一顶部外部电极的一侧设置有第一端部外部电极。
一种功率精密电阻

[发明专利]贮液筒定位块焊接辅具-CN202210708307.1在审
发明人：周智忠 -专利权人：隆昌山川机械有限责任公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B23K11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种贮液筒定位块焊接辅具，涉及焊接辅具技术领域，包括上电极组件和下电极组件，上电极组件包括上电极、顶紧轴和支架，下电极组件包括支撑电极和定位套，支撑电极设置在定位套的内部，支撑电极与定位套之间形成用于放置贮液筒的环形空间，上电极设置在贮液筒的上方，上电极的底部设置有凸起块，定位块设置在凸起块的右侧，上电极与握杆固定连接，握杆套接有支架抱块，支架抱块与支架连接，支架底部设置有贯穿的孔，顶紧轴与支架通过孔进行活动连接，顶紧轴设置有与上电极、定位套相配合的顶紧块。本发明能够通过握杆控制上电极进行下压，同时通过顶紧轴向左压紧顶紧块，达到固定定位块位置的目的。
贮液筒定位焊接

[发明专利]包括第一顶部电极和其上的第二顶部电极的数据存储器件-CN202010392306.1在审
发明人：朴正桓;金英铉;吴世忠;李正敏;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。
包括第一顶部电极第二数据存储器件

[发明专利]抑制电弧放电的对应等离子体射频顶电极调谐的等离子体反应器-CN02825528.3有效
发明人： D·J·霍夫曼;G·Z·殷;Y·叶;D·凯兹;D·A·小布赫贝格尔;X·赵;K－L·姜;R·B·哈根;M·L·米勒 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-09-25 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于处理半导体工件的等离子体反应器，包括：反应室，其所述反应室具有室壁和用于夹持半导体工件的工件支撑件；顶电极，其在所述工件支撑件上方，所述电极包括所述室壁的一部分；射频功率发生器，其用于在所述发生器的频率，供应功率至所述顶电极，并且能够将等离子体载所述室内，保持期望的等离子体离子密度水平。顶电极具有电容，以便所述顶电极，与在所述室内的以期望的等离子体离子密度形成的等离子体，在电极－等离子体共振频率，共振，所述发生器的所述频率至少在所述电极等离子体共振频率附近。所述反应器进一步包括：在所述顶电极上形成的绝缘层，所述顶电极面对所述工件支撑件；在所述射频功率发生器和所述顶电极之间的电容性绝缘层；以及覆盖所述顶电极表面并与其接触的金属泡沫层，所述顶电极面对并远离所述工件支撑件
抑制电弧放电对应等离子体射频电极调谐反应器

[发明专利]一种机械式推杆开关-CN202010694020.9在审
发明人：蒋军;于剑桥;郝渊;贾晓宇;马长庚 -专利权人：北京恒星箭翔科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01H13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种机械式推杆开关，包括上电极、下电极、导电环、非金属套、顶杆、弹簧、橡胶垫及顶杆帽；非金属体两端分别固定连接上电极和下电极，合围构成顶杆的活动空间；上电极外表面固定连接橡胶垫；顶杆外圆周中部固定有导电环，且位于活动空间内，顶杆一端与上电极及橡胶垫间隙配合并由导电环限位，顶杆端部套装顶杆帽，顶杆另一端套装弹簧，同时弹簧一端与导电环下端面接触，弹簧另一端与下电极接触，弹簧始终处于压缩状态；当翼片折叠时，导电环与上电极分离；当翼片张开时，导电环与上电极接触导通。
一种机械式推杆开关

[发明专利]一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法-CN202211641274.X在审
发明人：程伟明;苏睿;肖睿子;陈家宝;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：其中，该忆阻器件包括由纯相SrFeO2.5或SrCoO2.5材料制成的存储介质层，极性切换方法包括：将该忆阻器件的底电极层接地，在顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～‑2.5V负向直流扫描电压；在顶电极层施加0～+6V正向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～‑2V负向直流扫描电压，接着在顶电极施加0～+2.5V正向直流扫描电压；在顶电极层上施加0～‑6V负向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压，接着在顶电极层施加0～‑2.5V负向直流扫描电压。
一种拓扑相变材料器件极性切换方法