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[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202310934197.5在审
发明人：廖光明;张彼克;李香凝;王浩;张博轩;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，其中，太阳能电池的制作方法包括：提供衬底；形成隧穿层；形成半导体层；进行掺杂处理，将半导体层转换为掺杂导电层，掺杂处理包括：依次进行的沉积步骤、第一升温步骤、推进步骤、第一降温步骤、第二升温步骤、恒温步骤以及第二降温步骤；沉积步骤用于在半导体层上形成掺杂源层；第一升温步骤用于升温至第一预设温度；推进步骤，使掺杂处理的工艺温度保持为第一预设温度；第一降温步骤用于降温至第二预设温度；第二升温步骤，以将掺杂处理的工艺温度升至第三预设温度；恒温步骤使掺杂处理的工艺温度保持为第三预设温度。可以提高形成的太阳能电池的性能。
太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件-CN202210938933.X有效
发明人：金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底第一表面且在远离基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层至少包括：多个间隔排布的主体部；多个间隔排布的第一电极，第一电极沿第一方向延伸，第一电极设置于主体部远离基底的一侧，并与主体部电连接；传输层，传输层位于相邻的主体部之间，并与主体部侧面接触；扩散区，部分扩散区位于传输层中，且扩散区还延伸至隧穿介质层以及基底中，扩散区的掺杂离子浓度大于基底的掺杂离子浓度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池制备方法组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202310905072.X在审
发明人：金井升;张彼克;廖光明 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；半导体导电层，半导体导电层位于第一表面上；钝化层，钝化层位于半导体导电层远离基底的表面上；至少一个电极，电极位于钝化层远离基底的表面上，并贯穿钝化层与半导体导电层电接触，每一电极包括彼此电接触的第一子电极和第二子电极，在沿垂直于第一表面的方向上，第一子电极在半导体导电层内的延伸长度小于第二子电极在半导体导电层内的延伸长度。至少有利于降低太阳能电池的载流子汇集损耗，提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202311102128.4在审
发明人：金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底第一表面上且在远离基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层至少包括多个间隔排布的主体部；多个间隔排布的第一电极，第一电极沿第一方向延伸，第一电极设置于主体部远离基底的一侧，并与主体部电连接；传输层，传输层位于相邻的主体部之间，并与主体部侧面接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]光伏电池及其制作方法、光伏组件-CN202310896425.4在审
发明人： 张彼克;张昕宇;金井升 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光伏电池及其制作方法、光伏组件，光伏电池包括：基底以及位于所述基底第一表面的发射极和第一钝化结构，所述发射极位于所述基底与所述第一钝化结构之间；第一电极，所述第一电极贯穿所述第一钝化结构并与所述发射极接触；第一共熔体，位于所述第一电极与所述发射极之间，所述第一共熔体包含所述第一电极的材料和所述发射极的材料，部分所述第一电极贯穿所述第一共熔体并与所述发射极接触。本发明实施例有利于提高光伏组件的光电转换效率。
电池及其制作方法组件

[发明专利]太阳能电池片及其制备方法-CN202110349065.7有效
发明人：侯乾坤;金井升;张彼克 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种太阳能电池片及其制备方法。太阳能电池片的制备方法包括：对晶硅太阳能电池片的预设区域进行切割形成多个小片电池片，对所述小片电池片的切割面进行雾化处理，以供所述切割面钝化，生成富含硅羟基的钝化层，其中，所述雾化处理包括：利用包括羟基自由基的雾化气体对所述切割面处理。该方法能够在低温条件下实现切割面的钝化，增加太阳能电池片的光电转化效率，且提高钝化效率。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310732935.8在审
发明人： 张彼克;金井升;秦佳妮;杨楠楠;刘照轩;郭子齐 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；掺杂导电层，位于隧穿层远离基底的表面；多个第一电极，位于掺杂导电层远离隧穿层一侧，多个第一电极中的每一个沿预设方向延伸，第一电极与掺杂导电层电连接；共熔导电层，位于掺杂导电层与第一电极之间，与掺杂导电层以及第一电极均电接触，共熔导电层的材料包含第一电极的材料以及掺杂导电层的材料；多个导电颗粒团聚体，多个导电颗粒团聚体位于共熔导电层中，多个导电颗粒团聚体中的部分导电颗粒团聚体的形状呈树枝状。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件-CN202210745275.2在审
发明人： 张彼克;金井升;张昕宇;曹静宇;程海燕 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，其中太阳能电池包括：基底；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底的表面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层的表面，掺杂导电层包括多个沿第一方向排布的凸出部，凸出部沿第二方向延伸，第一方向与第二方向垂直；导电连接结构，导电连接结构位于相邻的两个凸出部之间，与凸出部侧面接触连接；钝化层，钝化层覆盖掺杂导电层及导电连接结构的表面；多个副栅电极，副栅电极沿第二方向延伸，副栅电极穿过钝化层与凸出部连接。至少可以提高太阳能电池的性能。
一种太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202211193991.0在审
发明人：金井升;张博;张彼克;廖光明;张临安;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；掺杂层，掺杂层的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度，掺杂层包括多个沿第一方向间隔设置的第一掺杂区、位于相邻的第一掺杂区之间的第二掺杂区以及第三掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度且小于第三掺杂区的掺杂浓度；隧穿介质层，隧穿介质层位于第一掺杂区表面以及第二掺杂区表面；掺杂导电层，掺杂导电层与第一掺杂区正对；第一电极，每一第一电极设置于掺杂导电层远离基底的一侧，并与掺杂导电层电连接；多个导电传输层，导电传输层与第二掺杂区正对，导电传输层位于隧穿介质层表面。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202210940296.X在审
发明人： 张彼克;廖光明;张临安;金井升;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底的第一表面；多个掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底的表面，且多个掺杂导电层间隔排布；多个间隔排布的第一电极，第一电极沿第一方向延伸，第一电极设置于掺杂导电层远离基底的一侧，并与掺杂导电层电连接；至少一个导电传输层，导电传输层位于相邻的掺杂导电层之间，并与掺杂导电层侧面接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及制备方法、光伏组件-CN202211337702.X在审
发明人：金井升;张彼克;廖光明;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底的第一表面具有多个沿第一方向间隔排布的第一区，及位于相邻第一区之间与第一区相邻接的第二区，第一区上具有第一纹理结构，第二区具有第二纹理结构，第一纹理结构的第一凸起结构的顶面平均一维尺寸大于第二纹理结构的第二凸起结构的顶面平均一维尺寸；隧穿介质层，隧穿介质层位于第一纹理结构的表面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层的表面；钝化层，钝化层位于掺杂导电层与第二纹理结构的表面；多个沿第一方向间隔排布的电极，每一电极与掺杂导电层电连接。本申请提供的太阳能电池至少可以提升光电转换效率。
太阳能电池制备方法组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202310791010.0在审
发明人： 张彼克;刘照轩;杨楠楠;秦佳妮;郭子齐;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，其中，太阳能电池包括：衬底，在衬底的背面设有沿第一方向间隔排布的多个第一凹槽以及沿第二方向间隔排布的多个第二凹槽，在背面朝向正面的方向上，任一第一凹槽的深度大于任一第二凹槽的深度；隧穿层，隧穿层覆盖衬底的背面，且覆盖第一凹槽及第二凹槽的内壁；掺杂导电层，掺杂导电层覆盖隧穿层的表面；钝化层，钝化层覆盖掺杂导电层的表面；沿第一方向间隔排布的多条副栅，副栅与第一凹槽一一对应，副栅贯穿与第一凹槽正对的钝化层与掺杂导电层接触连接；沿第二方向间隔排布的多条主栅，主栅与第二凹槽一一对应，主栅与副栅接触连接。可以提高电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202310792934.2在审
发明人：金井升;张彼克;廖光明 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，其中，太阳能电池包括：衬底，在衬底的背面设有沿第一方向间隔排布的多个第一凹槽以及沿第二方向间隔排布的多个第二凹槽，第一凹槽的部分内壁设有至少一个第一纹理部，第一纹理部沿第一凹槽的内壁表面朝向衬底内凹陷或者沿第一凹槽的表面朝向远离衬底的方向凸出，第二凹槽的部分内壁间隔设有至少一个第二纹理部，第二纹理部沿第二凹槽的内壁表面朝衬底内凹陷或者沿第二凹槽的表面朝向远离衬底的方向凸出；太阳能电池还包括隧穿层；掺杂导电层；钝化层；多条副栅，副栅贯穿与第一凹槽正对的钝化层与掺杂导电层接触连接；多条主栅，主栅与副栅接触连接。可以提高太阳能电池的性能。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及制备方法、光伏组件-CN202210457639.7在审
发明人： 张彼克;金井升;张昕宇;杨楠楠 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底表面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与基底的掺杂元素导电类型相同，掺杂导电层具有多个沿第一方向排布的重掺杂区阵列，每一重掺杂区阵列包括沿第二方向间隔设置的第一子重掺杂区以及间隔设置的第二子重掺杂区；多个间隔设置的电极，电极沿第二方向延伸，电极与重掺杂区阵列对应，电极与重掺杂区阵列的掺杂导电层的至少部分接触，至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池制备方法组件

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310440972.1在审
发明人： 张彼克;杨楠楠;徐梦微;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；第一掺杂导电层，位于隧穿层远离基底的表面；第二掺杂导电层，位于第一掺杂导电层远离基底的一侧，第二掺杂导电层包括：多个第一部分和多个第二部分，其中，第一掺杂导电层的掺杂元素浓度小于第一部分的掺杂元素浓度，且第一部分的掺杂元素浓度小于第二部分的掺杂元素浓度；多个第一电极，多个第一电极中的每一个均沿预设方向延伸，一第一电极与一第二部分电接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法组件

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