“魏惠娴”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法-CN201811393096.7有效
发明人： 魏惠娴;林仲德;蔡瀚霆;彭泰彦;戴品仁;李乾铭;赖昇志;温伟志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了由半导体器件形成的磁性隧道结单元的MRAM器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁性随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，由此暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露顶部电极。在与顶部电极接触的开口中形成导电层。
磁性随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210059505.X在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;杨丰诚;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一导电图案，其中第一导电图案包括第一导电线和第二导电线。可在第一导电图案的第一导电线和第二导电线之上共形的形成阻障层。可在阻障层之上形成绝缘层。可将绝缘层图案化以在第一导电图案的导电线之间形成开口，可在开口中形成第二导电图案。第二导电图案可包括通过阻障层与第一导电图案物理分离的第三导电线。阻障层的存在降低了在第一导电图案和第二导电图案之间形成短路的风险。在这个意义上，第二导电图案可相对于第一导电图案自对准。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210065624.6在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;杨丰诚;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种公开的半导体器件包括衬底、形成于衬底上的栅极、形成在栅极上的栅极介电层、与栅极的第一侧相邻的源极以及与栅极的第二侧相邻的漏极。由蚀刻停止层和/或高介电常数层形成的栅极介电层将源极与栅极和与衬底分开，并将漏极与栅极和与衬底分开。第一氧化层和第二氧化层形成于栅极介电层上，并且位于栅极的第一侧上且与源极相邻，以及位于栅极的第二侧上且与漏极相邻。半导体层形成于第一氧化层、第二氧化层、源极、漏极和栅极介电层之上。
半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210124937.4在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;杨丰诚;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法。薄膜晶体管包括位于基底之上的有源层、包括第一栅极介电质及第一栅极电极的堆叠且位于有源层的第一表面上的第一栅极堆叠，接触有源层的第一表面的周边部分且沿第一水平方向以第一栅极电极彼此横向地间隔开的一对第一接触电极、接触有源层的与有源层的第一表面垂直地间隔开的第二表面的第二接触电极，以及包括第二栅极介电质及第二栅极电极的相应堆叠且位于有源层的第二表面的相应周边部分上的一对第二栅极堆叠。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111101274.6在审
发明人： 魏惠娴;何彦忠;游嘉榕;吴咏捷;许秉诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：可以在衬底上方形成平坦绝缘间隔件层，并且可以在平坦绝缘间隔件层上方形成半导体材料层、薄膜晶体管(TFT)栅极介电层和栅电极的组合。在它们之上形成介电基质层。可以穿过半导体材料层的端部上方的介电基质层形成源极侧通孔腔和漏极侧通孔腔。通过改变半导体材料层的端部的晶格常数，可以在半导体材料层的端部之间生成机械应力。机械应力可以增强半导体材料层的沟道部分中的电荷载流子的迁移率。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、存储器阵列-CN202110719238.X在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：半导体器件包括位于下部层级介电材料层上方的半导体金属氧化物鳍、位于半导体金属氧化物鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层、位于栅极介电层上并且跨越半导体金属氧化物鳍的栅电极、嵌入有栅电极和半导体金属氧化物鳍的存取层级介电材料层、嵌入在存储器层级介电材料层中并且包括第一电极、存储器元件和第二电极的存储器单元以及位于存储器单元上面的位线。第一电极可以通过第一导电路径电连接至半导体金属氧化物鳍内的漏极区域，并且第二电极电连接至位线。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法、存储器阵列。
半导体器件及其制造方法存储器阵列

[发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202110728558.1在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：存储器结构包括：第一字线和第二字线；在该第一字线和该第二字线上设置的高k介电层；在该高k介电层上设置的沟道层并且该沟道层包括半导体材料；电接触该沟道层的第一源极电极和第二源极电极；在该第一源极电极和该第二源极电极之间的该沟道层上设置的第一漏极电极；电连接至该第一漏极电极的存储器单元；以及电连接至该存储器单元的位线。本申请的实施例还涉及形成存储器结构的方法。
存储器结构及其形成方法

[发明专利]存储器结构、存储器件及其形成方法-CN202110692688.4在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种存储器结构、器件及其制造方法，该存储器结构包括围绕栅极薄膜晶体管(TFT)和堆叠在GAA晶体管上的存储器单元。GAA晶体管包括：沟道，包括半导体材料；源电极，电连接至沟道的第一端；漏电极，电连接至沟道的相反的第二端；高k介电层，围绕沟道；以及栅电极，围绕高k介电层。存储器单元包括电连接至漏电极的第一电极。
存储器结构存储器件及其形成方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202110617652.X在审
发明人：何彦忠;吴咏捷;游嘉榕;魏惠娴;马礼修;后藤贤一;许秉诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11504 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种存储器件及其制造方法，所述存储装置包括衬底、设置在衬底上的薄膜晶体管(TFT)；以及设置在所述衬底上并且与所述TFT重叠的存储单元。TFT被配置为有选择地向存储单元供电。
存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法-CN202110604364.0在审
发明人：吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一介电层；栅电极，嵌入在第一介电层内；层堆叠件，包括栅极介电层；沟道层，包括半导体金属氧化物材料；以及第二介电层；以及源电极和漏电极，嵌入在第二介电层中并且接触沟道层的顶面的相应部分。栅电极、栅极介电层、沟道层、源电极和漏电极的组合形成晶体管。沟道层的位于栅电极上面的底面的外围的总长度等于栅电极的宽度或是栅电极的宽度的两倍，并且栅电极材料在沟道层侧壁上的再溅射最小化。本申请的实施例还涉及半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法。
半导体结构晶体管形成器件方法

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110054250.3在审
发明人：彭泰彦;魏惠娴;林函廷;杨心怡;陈玉树;张安胜;傅强;王辰戎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底上方形成第一金属间电介质(IMD)层；在第一IMD层上方形成底部电极层；在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)薄膜堆叠；在MTJ薄膜堆叠上方形成第一顶部电极层；形成覆盖第一顶部电极层的第一区域的保护掩模，第一顶部电极层的第二区域未被保护掩模覆盖；在保护掩模和第一顶部电极层上方形成第二顶部电极层；以及利用离子束蚀刻(IBE)工艺对第二顶部电极层、第一顶部电极层、MTJ薄膜堆叠、底部电极层和第一IMD层进行图案化以形成MRAM单元，其中，保护掩模在IBE工艺期间被蚀刻。
半导体器件方法

[发明专利]一种餐厅送餐系统-CN201911372224.4在审
发明人：高旭;魏惠娴;高兴 -专利权人：上海高汲餐饮（集团）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G06Q50/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种餐厅送餐系统，自带编号的餐桌通过扫描装置扫描餐牌表面的编号，通过通讯装置在显示器上显示出各个编号的餐桌上放置的不同编号的餐牌；本装置通过扫描餐牌的编号对应餐桌编号，通过显示器显示，服务员可以直接观察到餐牌所在的餐桌，便于送餐，节约时间，工作效率高；本装置将餐牌设置为“L”状，插设在餐桌的插孔内，餐牌不放置在餐桌表面，节约空间，便于在餐桌表面摆放餐食；餐桌底面设置维修拆板使得本装置便于维修；本装置的显示器自带蓄电池避免了线缆的拉扯，同时使得显示器可以移动摆放至合适的位置；显示器外置保护壳避免餐厅里的油烟污染，保护壳设置有挂绳、把手，便于放置和拿取。
一种餐厅系统

[实用新型]一种熔喷布贴带装置-CN202022446777.4有效
发明人：高旭;崔立兵;魏惠娴;高兴 -专利权人：上海惠娴智能科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： A41H43/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种熔喷布贴带装置，包括框体，所述框体套设在传送带外围，传送带表面输送有熔喷布；所述框体侧面设置有进料口，所述进料口外接有定时间隔输送耳带的送料机，所述耳带通过进料口进入到框体底部开设的压槽中，所述压槽内设置有第一压板，所述第一压板顶部放置有从进料口进入的耳带；与第一压板对应的上侧设置有第二压板，所述第二压板在第二电机的带动下做上下往复压合；本熔喷布贴带装置，将胶枪与第二压板结合，将出胶和挤压粘贴融合为一个操作步骤，大大提高了工作效率。
一种熔喷布贴带装置

[实用新型]一种口罩清洁装置-CN202022451025.7有效
发明人：高旭;崔立兵;魏惠娴;高兴 -专利权人：上海惠娴智能科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： D06F17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种口罩清洁装置，包括清洗箱、电机箱、收风箱、废料箱、风箱，所述清洗箱、电机箱、废料箱、风箱、收风箱组成清洗空间，清洗空间前侧设置有可打开的门；本口罩清洁装置，集清洗、消毒、干燥于一体，对口罩进行深度清洁；本装置利用电机、支撑架、卡框的配合，使得口罩可以全方位进行清洁，保证了清洁效果。
一种口罩清洁装置

[实用新型]一种熔喷布输送装置-CN202022451139.1有效
发明人：高旭;崔立兵;魏惠娴;高兴 -专利权人：上海惠娴智能科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B65H20/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种熔喷布输送装置，包括基座，所述基座上设置有输送机，所述输送机内放置有熔喷布卷，熔喷布的头部从输送机拉出，平铺在输送网带表面，所述输送网带缠绕在支撑框架周围，支撑框架四角处设置有输送轮，所述输送轮支撑并带动输送网带；所述支撑框架内部设置有可上下移动调整部；本装置的支撑框架内部设置有可上下移动的调整部，调整部调整熔喷布的松紧度，保证了熔喷布的平整；支撑框架顶部的输送轮的上侧设置有可以转动的第一限位轮，保证了熔喷布运输时的稳定性；在安装时可以通过第一连接杆将第一限位轮转动至合适的位置，便于操作；本装置还设置有第二限位轮调节输送机与支撑框架之间的熔喷布的松紧度。
一种熔喷布输送装置

1
2
下一页»
尾页
共 18 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top