专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种叠层太阳能电池-CN202120090556.X有效
  • 不公告发明人 - 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)
  • 2021-01-13 - 2021-07-16 - H01L31/0224
  • 本实用新型涉及太阳能电池技术领域,提供了一种叠层太阳能电池,其包括层叠设置的电池、底电池,电池的顶面设有前电极,底电池的底面设有背电极电池与底电池之间设有透明中间电极,透明中间电极包括:位于电池与底电池之间的透明非导电层、以及穿过透明非导电层的适于连通电池与底电池的连通电极。该叠层太阳能电池,由于该透明中间电极具有将电池与底电池隔离的透明非导电层,因此不会形成反偏结,不会产生寄生势垒,不会使电池自身的电流电压特性变差。而且,该透明中间电极具有贯穿透明非导电层的连通电极,该连通电极具有良好的导电性,从面保护电池和底电池之间电子和空穴具有良好的复合速率。
  • 一种太阳能电池
  • [发明专利]一种制备磁性隧道结单元阵列的方法-CN201910291210.3在审
  • 张云森;肖荣福;麻榆阳;陈峻;郭一民 - 上海磁宇信息科技有限公司
  • 2019-04-11 - 2020-10-23 - H01L43/12
  • 本发明一种制备磁性隧道结单元阵列的方法,包括:提供表面抛光的带金属通孔Vx的CMOS基底;在经过平坦化处理之后的基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜和电极,或,在经过平坦化处理之后的基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜、电极和牺牲掩模;图形化定义磁性隧道结多层膜图案,对电极、磁性隧道结多层膜和底电极进行刻蚀,然后沉积一层绝缘覆盖层在磁性隧道结存储单元的周围;沉积一层平坦化移除停止层在绝缘覆盖层周围;沉积磁性隧道结电介质,对其进行平坦化处理,并使移除停止在移除停止层之上;沉积电极接触电介质,图形化定义电极接触图案,并对其进行刻蚀和非Cu填充以形成电极接触;制作金属位线连接。
  • 一种制备磁性隧道单元阵列方法
  • [发明专利]一种假磁性隧道结单元结构制备方法-CN201910176223.6在审
  • 张云森;肖荣福;陈峻;郭一民 - 上海磁宇信息科技有限公司
  • 2019-03-08 - 2020-09-15 - H01L43/12
  • 本发明包括:提供表面抛光的带金属通孔的基底;在平坦化处理后基底上沉积底电极、磁性隧道结/假磁性隧道结多层膜和电极,或,在处理后基底上沉积底电极、磁性隧道结/假磁性隧道结多层膜、电极和牺牲掩模;图形化定义磁性隧道结和假磁性隧道结图案,对电极、磁性隧道结/假磁性隧道结和底电极刻蚀,沉积绝缘覆盖层在磁性隧道结和假磁性隧道结存储单元的周围;沉积电介质在磁性隧道结和假磁性隧道结存储单元周围;对沉积电介质平坦化处理,使移除停止在覆盖在假磁性隧道结单元上面的覆盖层之上;沉积电极接触电介质,图形化定义电极接触图案,对其进行刻蚀和非Cu填充以形成电极接触;制作金属位线连接。
  • 一种磁性隧道单元结构制备方法
  • [其他]压电组件-CN200890100051.X有效
  • S·凯尔;C·乔乔拉;T·米勒 - CTS公司
  • 2008-07-29 - 2011-02-09 - H01L41/047
  • 一种压电组件(10)包括具有表面(13)、底表面(14)和至少一个侧表面(16,18,20,22)的压电基板(12)。电极(40)被限定在表面上和第一孔(46)被限定在该电极中。底电极(50)布置在底表面上。电极由薄膜金属制成。第一厚膜焊接垫(60)被布置在第一孔中并且接触该压电基板。第一厚膜焊接垫电接触该电极。在另一个实施例中,第二厚膜焊接垫(70)布置在表面上或者布置在在底电极中限定的第二孔(56)中。
  • 压电组件

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