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[发明专利]具有集成式陶瓷衬底的嵌入式裸片封装-CN201910872979.4在审
发明人：金宇灿;升本睦;青屋建吾;维韦克·基肖尔昌德·阿罗拉;阿宁迪亚·波达尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请涉及具有集成式陶瓷衬底的嵌入式裸片封装。封装式电子装置和集成电路包含陶瓷材料或其它导热电绝缘衬底，其具有第一侧上的图案化导电特征，以及第二侧上的导电层。所述IC另外包含安装到所述衬底的半导体裸片，所述半导体裸片包含导电接触结构和电子组件，其中电绝缘层合结构围封所述半导体裸片、所述框架和所述热转移结构。具有导电结构的重布层电连接到所述导电接触结构。
具有集成陶瓷衬底嵌入式封装

[发明专利]一种裸芯片、封装结构、电子设备及制备方法-CN202080098059.2在审
发明人：罗浩;沈彦旭;赵能;谢国梁 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种裸芯片、封装结构、电子设备及制备方法。该封装结构包括：裸芯片和分列于裸芯片两侧的两个再布线层；该裸芯片包括衬底、形成于衬底表面的集成电路层，以及，与集成电路层电连接的多个第一导电部件和多个第二导电部件；每个第一导电部件分布于集成电路层背离衬底的表面、并与其中一个再布线层电连接；每个第二导电部件的电连接面通过一个硅通孔TSV与另一个的再布线层电连接；在该封装结构中，裸芯片分别向不同侧的再布线层走线，有利于简化集成电路层背离衬底的一侧的再布线层中的金属布线分布
一种芯片封装结构电子设备制备方法

[发明专利]用于片上系统中存储器和逻辑电路的布局-CN201280057348.3有效
发明人： J·霍尔特;R·马德;B·格雷纳;S·B·安德森 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种集成电路包括多个存储器电路(300)和多个逻辑电路(302)。多个存储器电路沿多个行和多个列布置在裸片(600)上。每个存储器电路包括多个存储器单元。多个逻辑电路沿多个行和多个列布置在多个存储器电路之间的裸片上。多个逻辑电路被配置为与一个或多个存储器电路进行通信。
用于系统存储器逻辑电路布局

[发明专利]集成电路封装模具组合件-CN201610892127.8在审
发明人：阮协宣 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明揭示了一种集成电路“IC”封装模具组合件，其包含界定用于接纳上部衬底的上部模具腔体的上部模具压板，所述上部衬底具有其上安装有多个裸片的裸片附接侧及其上未安装裸片的非附接侧。所述上部衬底的所述裸片附接侧面向上。下部模具压板界定用于接纳下部衬底的下部模具腔体，所述下部衬底具有其上安装有多个裸片的裸片附接侧及其上未安装裸片的非附接侧。所述下部衬底的所述裸片附接侧面向下。
集成电路封装模具组合

[发明专利]采用正面后段（FS-BEOL）到背面后段（BS-BEOL）堆叠以进行三维（3D）裸片堆叠的集成电路（IC）封装和相关制造方法-CN202180075664.2在审
发明人： S·S·宋;B·查瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：集成电路(IC)封装件采用正面后段(FS‑BEOL)到背面后段(BS‑BEOL)堆叠，以用于三维(3D)裸片堆叠。为了便于提供用于IC封装件中的堆叠IC裸片之间的裸片到裸片互连的附加电路由路径，IC封装件的堆叠IC裸片中的第一裸片(104(1))的BS‑BEOL金属化结构(202)与堆叠IC裸片中的第二裸片(104提供从第一裸片的BS‑BEOL金属化结构(202)到第二裸片的FS‑BEOL金属化结构(216)的、用于堆叠IC裸片之间的裸片到裸片互连的电路由路径。与FS‑BEOL金属化结构相比，在更薄的BS‑BEOL金属化结构中形成更短的电路由路径可以更可行，以实现更低电阻和/或更低电容的裸片到裸片互连，以实现IC裸片中的半导体器件性能更快和/或性能兼容。
采用正面后段 fs beol 背面 bs 堆叠进行三维集成电路 ic 封装相关制造

[发明专利]一种采用COB工艺的LED灯板-CN201110388831.7有效
发明人：张高柏;陈卫平 -专利权人：陈卫平
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种采用COB工艺的LED灯板，包括基板以及以COB工艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接。本发明将LED Chip(LED裸片)和Drive IC Chip(驱动集成电路芯片)一同邦定在基板上，弥补了现有LED COB灯板的缺陷，功率因数达0.95以上、总谐波(THD)≤20％、电磁兼容符合
一种采用 cob 工艺 led 灯板

[实用新型]一种采用COB工艺的LED灯板-CN201120486976.6有效
发明人：张高柏;陈卫平 -专利权人：陈卫平
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种采用COB工艺的LED灯板，包括基板以及以COB工艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接。本实用新型将LED Chip(LED裸片)和Drive IC Chip(驱动集成电路芯片)一同邦定在基板上，弥补了现有LED COB灯板的缺陷，功率因数达0.95以上、总谐波(THD)≤20％、电磁兼容符合
一种采用 cob 工艺 led 灯板

[发明专利]具有V形凹槽爬电结构的集成电路封装件-CN202111354826.4在审
发明人：王远丰 -专利权人：意法半导体私人公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及具有V形凹槽爬电结构的集成电路封装件。引线框架包括裸片焊盘和电引线。集成电路芯片被安装到裸片焊盘。包封封装件具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的周界。
具有凹槽结构集成电路封装

[发明专利]用于可穿戴设备的射频系统-CN201710602328.4有效
发明人： S·特罗塔;A·巴赫蒂 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G06K7/10 文献下载
摘要：射频(RF)系统包括RF集成电路(IC)裸片和耦合到RF IC裸片的天线。RF系统还包括位于RF IC裸片之上的反射层，反射层在天线的至少一部分之上延伸，天线与反射层的组合具有辐射图，辐射图包括在与反射层的顶表面平行的第一方向上的主瓣。
用于穿戴设备射频系统

[发明专利]具有微机电系统（MEMS）的无帽半导体封装件-CN202011484169.0在审
发明人： J·S·塔利多 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种半导体封装件包含专用集成电路(ASIC)裸片和微机电系统(MEMS)裸片。MEMS裸片和ASIC裸片被耦合到包括开口的基底，开口延伸穿过基底并且与气腔流体连通，气腔被定位在MEMS裸片与基底之间并且使MEMS裸片与基底分离。开口使气腔暴露于外部环境，并且此后，气腔使MEMS裸片的MEMS元件暴露于外部环境。使MEMS裸片与基底分离的气腔利用一种制造方法而形成，制造方法利用可热分解的裸片附接材料。
具有微机系统 mems 半导体封装

[发明专利]半导体裸片组合件、包含所述半导体裸片组合件的半导体装置及制造方法-CN201280037539.3有效
发明人：卢克·G·英格兰德;保罗·A·西尔韦斯特里;迈克尔·科普曼斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造多裸片组合件的方法，所述多裸片组合件包含晶片片段，所述晶片片段上不具有集成电路而其上具有通过导电穿孔电互连的多个垂直堆叠裸片；所得的多裸片组合件；及半导体装置，所述半导体装置包括此类多裸片组合件所述晶片片段可用作散热器以增强从所述所得多裸片组合件中的所述堆叠裸片的热转移。在基底晶片上在晶片级上制造所述裸片堆叠，在至少周边囊封之后从所述基底晶片将所述晶片片段及裸片堆叠单体化。
半导体组合包含装置制造方法

[实用新型]一种防反接集成电路封装结构-CN201520094157.5有效
发明人：周鸣放;方立东 -专利权人：常州东村电子有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防反接集成电路封装结构，将二极管裸芯片和集成电路裸芯片组合封装在一个腔体里面，形成一个完整的带有防反接功能的集成电路；在一些需要有防反接功能或线路板尺寸受限制的电子产品中使用是非常有实用意义的
一种反接集成电路封装结构

[发明专利]用于单片三维(3-D)集成电路(IC)的功率输送网络(PDN)设计-CN201680022063.4有效
发明人：李圣奎;卡姆比兹·萨玛迪;杜杨 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：系统和方法涉及用于单片三维集成电路3D‑IC的功率输送网络PDN。单片3D‑IC(400)包含与电源/接地凸块(402)相邻且接触的第一裸片(404)。第二裸片(406)堆叠于所述第一裸片(404)上，所述第二裸片通过所述第一裸片与所述电源/接地凸块分隔开。一或多个旁路电源/接地通孔(432)和一或多个单片层间通孔MIV(430)被配置成将功率从所述电源/接地凸块(402)输送到所述第二裸片(406)。
用于单片三维集成电路 ic 功率输送网络 pdn 设计

[发明专利]用于集成电路裸片的自对准的方法和装置-CN201710725792.2在审
发明人： L-C·王;M·雅各布斯 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开描述了用于自对准集成电路(IC)裸片的装置和技术。在一些方面中，在基板表面上形成疏水材料的图案。该图案可以暴露基板表面的用于放置IC裸片的区域。IC裸片被放置在水基溶液的液滴上，这使得IC裸片与基板表面的暴露区域对准。然后使液滴蒸发，使得经对准的IC裸片安置在基板表面的暴露区域上。
用于集成电路对准方法装置

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN201110025101.0有效
发明人：林俊成;黄雅希;陈新瑜;蔡柏豪;林彦甫;黄震麟;蔡方文;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。
集成电路装置及其制造方法