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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]执行封装后修整的设备及方法-CN201580061008.1有效
发明人：艾伦·J·威尔逊;杰佛里·P·莱特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11C7/20 文献下载
摘要：存储器裸片可经堆叠以形成三维集成电路。举例来说，穿硅通孔TSV可允许信号垂直地穿过所述三维集成电路。本文中揭示执行存储器裸片的封装后修整的设备及方法，其在所述存储器裸片经堆叠之后有利地允许所述存储器裸片被修整，使得测试及修整特性相对接近实际上将遇到的情况。
执行封装修整设备方法

[发明专利]具有传感器的晶片级芯片尺寸封装件-CN202110686024.7在审
发明人：栾竟恩 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及在衬底(例如，专用集成电路裸片(ASIC)、集成电路、或者具有有源电路的某些其他类型的裸片)上具有传感器裸片并且被包封在模塑料中的封装件(例如，芯片尺寸封装件、晶片级芯片尺寸封装件(WLCSP)或者包含传感器裸片的封装件)。传感器裸片包括感测部件，感测部件与延伸穿过衬底的位于中心的开口对准。位于中心的开口在衬底的非有源部分处延伸穿过衬底。位于中心的开口将传感器裸片的感测部件暴露于封装件外部的外部环境。
具有传感器晶片芯片尺寸封装

[实用新型]具有传感器的晶片级芯片尺寸封装器件-CN202121378562.1有效
发明人：栾竟恩 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及在衬底(例如，专用集成电路裸片(ASIC)、集成电路、或者具有有源电路的某些其他类型的裸片)上具有传感器裸片并且被包封在模塑料中的封装器件(例如，芯片尺寸封装件、晶片级芯片尺寸封装件(WLCSP)或者包含传感器裸片的封装件)。传感器裸片包括感测部件，感测部件与延伸穿过衬底的位于中心的开口对准。位于中心的开口在衬底的非有源部分处延伸穿过衬底。位于中心的开口将传感器裸片的感测部件暴露于封装件外部的外部环境。
具有传感器晶片芯片尺寸封装器件

[发明专利]具有电容器的集成电路装置-CN202080059920.4在审
发明人： A·K·达斯;S·贝拉里;C·比特尔斯通 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路装置。在一些实例中，所述装置的集成电路裸片(502)包含：第一电容器(504)，其经布置使得当所述集成电路裸片(502)耦合到封装(518)时，所述封装(518)影响所述第一电容器(504)的电容；第二电容器(506)，其安置在所述第一电容器(504)的正下方；以及电容测量电路(508)，其耦合到所述第一电容器(504)和所述第二电容器(506)以确定所述第一电容器(504)的所述电容和所述第二电容器(506所述集成电路装置可基于所述第一电容器(504)和所述第二电容器(506)的所述电容检测对所述裸片(502)和/或所述封装(518)的篡改。
具有电容器集成电路装置

[实用新型]集成电路封装和用于集成电路封装的盖件-CN201820876489.2有效
发明人： J·S·甘地;H·刘;T·Y·李;G·雷菲·艾哈迈德;M·金;F·F·费尔南德斯;I·G·巴伯;S·拉玛琳伽 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型描述了一种集成电路封装和用于该集成电路封装的盖件。所述盖件在所述盖件的内表面中具有凹陷区域。所述凹陷区域(例如，沟槽)提供用于接纳一部分热界面材料的插口，在所述集成电路的制造期间，当盖件位于一个或多个集成电路裸片上方的所述热界面材料上时，所述热界面材料被挤出。按此方式，可减小所述盖件和所述集成电路裸片之间的所述热界面材料粘合层厚度来降低热阻，但是同时提供足够的界面粘着力用于具有该盖件的所述集成电路封装，以避免热界面材料分层。
盖件集成电路封装热界面材料集成电路裸片凹陷区域本实用新型插口内表面粘合层分层减小热阻集成电路挤出接纳制造

[发明专利]用于堆叠集成电路的混合接合技术-CN201910519438.3在审
发明人：吴国铭;王俊智;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;林永隆;黄诗涵;陈奕男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
用于堆叠集成电路混合接合技术

[发明专利]用于堆叠集成电路的混合接合技术-CN202210712903.7在审
发明人：吴国铭;王俊智;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;林永隆;黄诗涵;陈奕男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
用于堆叠集成电路混合接合技术

[发明专利]具有蛇形导体的集成电路封装及其制造方法-CN202211005815.X在审
发明人：迈克尔·王;李承;李俊姚;R·谢里菲;曹力明;朱俊飞 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有蛇形导体的集成电路封装及其制造方法。所述集成电路IC封装包含一或多个裸片及中介层。所述中介层耦合到所述裸片并且包含电路迹线。所述电路迹线以蛇形配置提供。一种方法能够用于制造集成电路封装。所述方法能够使用中介层电路迹线，所述中介层电路迹线具有允许所述电路迹线在应力下变形并且比笔直导电迹线更容易地无损坏地恢复到原始状态的配置。
具有蛇形导体集成电路封装及其制造方法

[发明专利]集成电路组合件-CN201610909215.4有效
发明人：李汉蒙@尤金·李;阿尼斯·福齐·宾·阿卜杜勒·阿齐兹;休安·利姆·伟·芬 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请案涉及一种集成电路组合件。集成电路IC裸片包含顶面及底面、位于所述顶面与所述底面之间的多个分隔开的接地连接迹线；其中所述裸片中的孔暴露所述多个分隔开的接地连接迹线。
集成电路组合

[发明专利]在矩阵拓扑中包括多个集成电路存储器器件和多个缓冲器器件的存储器模块-CN200680041998.3无效
发明人： E·特塞恩 -专利权人：拉姆伯斯公司
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G11C5/00 文献下载
摘要：一种存储器模块，包括从多个相应的集成电路缓冲器器件向存储器模块连接器接口提供数据的多个数据通路，所述集成电路缓冲器器件访问来自相关联的多个集成电路存储器器件的数据。该存储器模块形成多个“数据分片”或者耦合至相应的集成电路缓冲器器件的存储器模块数据总线的多个部分。每个集成电路缓冲器器件还耦合至提供控制信息的总线，所述控制信息指定对至少一个集成电路存储器器件的访问。在实施方式中，至少一个集成电路缓冲器器件访问存储在SPD器件中的信息。在封装实施方式中，封装容纳集成电路缓冲器裸片和多个集成电路存储器裸片。
矩阵拓扑包括集成电路存储器器件缓冲器模块

[实用新型]一种芯片、芯片模组及电子设备-CN202120340420.X有效
发明人：吴佳华;林峰 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种芯片模组，包括：芯片，包括：集成电路裸片以执行指纹感测操作；基板，包括沿自身厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，集成电路裸片设置在基板的第一表面上，并通过基板与外部电连接，基板上设置有静电传导件，静电传导件的至少一部分从基板的第二表面露出用于泄放静电；封装体，用于封装集成电路裸片；电路板，贴装在第二表面上。
一种芯片模组电子设备

[实用新型]集成电路封装和支撑基板-CN202222095220.X有效
发明人： R·杜卡 -专利权人：意法半导体（马耳他）有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成电路封装和支撑基板。集成电路封装包括：由绝缘芯层、绝缘芯层之上的导电层和导电层之上的阻焊层形成，其中支撑基板包括裸片附接位置和第一连接垫；集成电路芯片，具有带第二连接垫的正面和背面，其中背面在裸片附接位置处安装在支撑基板的上表面上；其中支撑基板的上表面包括位于裸片附接位置内的腔体，腔体延伸到集成电路芯片的所述背面之下，腔体包括其中不存在阻焊层和导电层的至少部分的区域；以及第一连接垫与第二连接垫之间的键合线。
集成电路封装支撑

[发明专利]在IC封装中封装DRAM和SOC-CN201280048525.1有效
发明人： S·苏塔尔德加 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种集成电路封装，包括第一存储器裸片、第二存储器裸片、第一基板和第二基板，第一存储器裸片具有第一组连接件，第二存储器裸片布置成邻近第一存储器裸片，第二存储器裸片具有第二组连接件，第一基板具有第一开口和第二开口，第一基板具有第三组连接件和第四组连接件，第三组连接件经由第一开口连接到第一存储器裸片的第一组连接件，第四组连接件经由第二开口连接到第二存储器裸片的第二组连接件，并且第二基板具有设置在其上的第一集成电路第一基板连接到第二基板，其中第一集成电路设置在第一基板和第二基板之间。
ic 封装 dram soc

[发明专利]具有失效管理的3D堆叠式集成电路-CN201911269288.1在审
发明人： T·M·布鲁尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及具有失效管理的3D堆叠式集成电路。三维堆叠式集成电路3D SIC具有非易失性存储器裸片、易失性存储器裸片和逻辑裸片。所述非易失性存储器裸片、所述易失性存储器裸片和所述逻辑裸片经堆叠。所述3D SIC分割成垂直于所述堆叠裸片中的每一个的多个列。所述多个列中的每一列配置成经由可配置路线绕过。在使用所述可配置路线时，所述列的失效部分的功能重新布线到相邻列的对应有效部分。
具有失效管理堆叠集成电路

[发明专利]集成无源倒装芯片封装-CN201510088584.7有效
发明人：侯有才;李秀奇;戴慧洋 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申請案涉及集成无源倒装芯片封装。一种用于封装集成电路裸片使得每一封装包含裸片的方法，其中集成无源组件安装到所述裸片的背面、有源表面或所述背面及有源表面两者上。
集成无源倒装芯片封装

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