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[发明专利]氧化物蚀刻选择性系统-CN201610637513.2有效
发明人： L·徐;Z·陈;A·王;S·T·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了氧化物蚀刻选择性系统。本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括引燃等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体流出物。所述等离子体流出物可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体流出物在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流到基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。
氧化物蚀刻选择性系统

[发明专利]具有独立隔离的加热器区域的晶片载体-CN202010966581.X在审
发明人： D·卢博米尔斯基;S·T·恩古耶;A·N·恩古耶;D·帕拉加斯维勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：描述一种具有独立隔离的加热器区域的晶片载体。在一个范例中，载体具有：定位盘，用于承载工件以便于制造工艺；加热器板材，具有多个热隔离区块，该多个热隔离区块各自热耦合至该定位盘且各自具有加热器以加热该加热器板材的相应区块；以及经固定至且热耦合至该加热器板材的冷却板材，该冷却板材具有冷却通道以携载热传递流体以从该冷却板材传递热。
具有独立隔离加热器区域晶片载体

[发明专利]具有独立隔离的加热器区域的晶片载体-CN201580049952.5有效
发明人： D·卢博米尔斯基;S·T·恩古耶;A·N·恩古耶;D·帕拉加斯维勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：描述一种具有独立隔离的加热器区域的晶片载体。在一个范例中，载体具有：定位盘，用于承载工件以便于制造工艺；加热器板材，具有多个热隔离区块，该多个热隔离区块各自热耦合至该定位盘且各自具有加热器以加热该加热器板材的相应区块；以及经固定至且热耦合至该加热器板材的冷却板材，该冷却板材具有冷却通道以携载热传递流体以从该冷却板材传递热。
具有独立隔离加热器区域晶片载体

[发明专利]用于化学蚀刻电介质材料的腔室设备-CN201510362516.5有效
发明人：陈天发;D·卢博米尔斯基;K·H·弗劳德;S·T·恩古耶;D·帕拉加斯维勒;A·丹;S·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开案的实施方式一般提供一种用于处理腔室的改善基座加热器。所述基座加热器包括控温板和基板接收板，所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述控温板包括内部区域、外部区域和设置在所述内部区域和所述外部区域之间的连续热扼流器，所述内部区域包括第一组加热元件，所述外部区域包括第二组加热元件，所述外部区域围绕所述内部区域，以及所述基板接收板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控温板的所述第一表面。所述连续热扼流器使得能够在所述内部区域和所述外部区域之间产生和操纵非常小的温度梯度，从而允许在所述基板的表面上实现中央快速蚀刻轮廓或者边缘快速蚀刻轮廓。
用于化学蚀刻电介质材料设备

[发明专利]HVPE腔室硬件-CN201410593230.3有效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本文所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 硬件

[实用新型]氧化物蚀刻选择性系统-CN201620844868.4有效
发明人： L·徐;Z·陈;A·王;S·T·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统，所述系统包括第一气体入口；基座，配置成支撑基板；喷淋头，定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板限定第二多个开口；第二气体入口，定位在所述喷淋头处，或定位在所述喷淋头与所述隔板之间；等离子体区域，限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间；基本无等离子体的区域，限定在所述喷淋头与所述隔板之间；基板处理区域，限定在所述隔板与所述基座之间；以及电源，配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。
氧化物蚀刻选择性系统

[发明专利]改良膜厚度不均匀性与粒子表现的CVD设备-CN201080018346.4有效
发明人： B·特兰;崔安青;B·L·黄;S·T·恩古耶;A·N·恩古耶;S·M·佐伊特;X·陶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。
改良厚度不均匀粒子表现 cvd 设备

[发明专利]HVPE前驱物源硬件-CN201080019517.5有效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭露的实施例大致关于HVPE腔室。腔室可具有与该腔室耦接的两个分离的前驱物源以便沉积两个分离的层。举例而言，镓源与分离的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝分离的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 前驱硬件

[发明专利]LED的群集工具-CN201080019514.1有效
发明人： S·尼杰哈瓦;B·H·伯罗斯;石川哲也;O·克利里欧科;A·瓦苏德范;苏杰;D·H·考齐;常安中;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
led 群集工具

[发明专利]HVPE腔室硬件-CN201080019343.2无效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 硬件

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