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[发明专利]一种银镓扩散合金的金相样品制备方法-CN202110034268.7在审
发明人：蒋中鸣;胡劲;周玉鑫;张佳敏;张世辉;王智毅;何亚 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种银镓扩散合金的金相样品制备方法，属于金相样品技术领域。本发明将银浸泡在镓液中，扩散处理得到银镓扩散合金，将银镓扩散合金进行树脂冷镶，经打磨抛光处理得到银镓扩散合金冷镶样，采用去离子水清洗银镓扩散合金冷镶样抛光面；将银镓扩散合金冷镶样冷风吹干，将金相腐蚀液涂抹在银镓扩散合金冷镶样抛光面上，室温条件下反应20～50s，采用去离子水清洗银镓扩散合金冷镶样的腐蚀面，冷风吹干即得银镓扩散合金的金相样品。本发明方法可制备出金相组织完整、清晰的银镓扩散合金金相样品，可用于研究镓在银基体中的扩散状态和扩散机理。
一种扩散合金金相样品制备方法

[发明专利]一种镓扩散形成可控硅穿通结构及其生产方法-CN201010212178.4有效
发明人：周健;耿开远;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓扩散形成可控硅穿通结构及其生产方法，一种镓扩散形成可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，还包括镓穿通扩散区，镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽，其生产方法包括：N型硅片生长氧化层和光刻穿通环步骤，还包括腐蚀槽、镓扩散、减薄和镓穿通扩散步骤。本发明的优点是：硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可控硅电压高；镓扩散浓度低，R□约100-200Ω
一种扩散形成可控硅结构及其生产方法

[实用新型]一种镓扩散形成的可控硅穿通结构-CN201020240841.7有效
发明人：周健;耿开远;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。本实用新型的优点是：硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可控硅电压高；镓扩散浓度低，R□约100-200Ω
一种扩散形成可控硅结构

[实用新型]一种N型氮化镓基发光二极管-CN201620436066.X有效
发明人：陆俊 -专利权人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层、铝掺杂氮化镓层、镁掺杂的p型氮化镓层以及透明导电层，透明导电层上设置有p型电极，硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层上设置有n型电极。本实用新型通过在硅掺杂的n型氮化镓层和铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层之间增加硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层，并控制电子扩散层的组分、厚度，使载流子在LED结构中进行横向扩展，增加电子‑空穴对的复合概率，提高N型氮化镓基发光二极管的发光效率。
一种氮化发光二极管

[发明专利]一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法-CN201310419829.0有效
发明人：汤亮亮;叶宏 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/0693 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法，包括锌扩散法制备PN结、制备电极、表面钝化、制备减反射层等步骤；特征是采用锌-镓合金作为扩散源进行密封式锌扩散在N型锑化镓晶片中形成仅具有单扩散前沿的锌浓度曲线采用本发明的方法可以有效遏制扩散后锑化镓晶片表面的高浓度扩散层，解决传统扩散过程后精确腐蚀难以控制的问题；采用本发明的方法在制备PN结的过程中不需要通入任何保护气体，降低了锑化镓电池的成本；采用本发明方法制备的本发明的选择性发射极锑化镓红外电池，其内部的单扩散前沿锌曲线通过扩散直接形成，无需采用腐蚀过程，因此其电学输出性能稳定，可用于红外光电转换系统中作为电能转换元件。
一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法

[发明专利]用于氧化镓材料的微波退火改性方法-CN202011603875.2有效
发明人：马宏平;侯欣蓝 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于氧化镓材料的微波退火改性方法。所述用于氧化镓材料的微波退火改性方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有由氧化镓层；在预设温度下对所述氧化镓层进行微波退火处理，所述预设温度低于扩散温度，所述扩散温度为所述氧化镓层中的氧化镓材料与所述衬底之间发生热扩散的最低温度本发明避免了现有传统的退火方式在退火过程中因退火温度过高而易发生氧化镓层与衬底之间热扩散的问题，且微波退火成本低廉，从而降低了氧化镓材料的退火处理成本，利于大规模量化生产。
用于氧化材料微波退火改性方法

[发明专利]一种P型衬底锑化镓热光伏电池的制备方法-CN201810511478.9在审
发明人：汤亮亮;张怿;许昌;黄潮;殷龙 -专利权人：河海大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型衬底锑化镓热光伏电池的制备方法，在P型衬底上制备的一氧化硅层在进行N型气相扩散过程中可作为杂质溶解层，起到溶解并稀释N型扩散杂质的目的，降低了N型杂质原子浓度，若衬底表面没有此薄膜层，N型扩散杂质原子将与P型锑化镓表面的镓原子反应生成硫化镓、硒化镓或碲化镓等黑色化合物，阻碍气相扩散的进行，P型衬底表面将无法形成可用的N型层；因此本发明实现了N型杂质原子在P型锑化镓中的气相扩散，制备了P型衬底锑化镓热光伏电池，其长波段量子效率比传统N型衬底锑化镓热光伏电池高，非常适合在1000~1500℃的热光伏发电系统中作为光电转换器件使用。
锑化镓衬底热光伏电池制备扩散衬底表面热光伏发电系统光电转换器件黑色化合物一氧化硅层量子效率杂质溶解杂质原子薄膜层长波段硫化镓硒化镓碲化镓镓原子可用稀释溶解阻碍

[实用新型]一种发光二极管芯片-CN201420403829.1有效
发明人：蒋敏;邓小强 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：所述发光二极管芯片包括：衬底、n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层、电流扩散层、保护层、N电极和P电极，在n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层和电流扩散层上刻蚀有一个台阶，台阶由n型掺杂氮化镓层的表面、电流扩散层的表面以及连接n型掺杂氮化镓层的表面和电流扩散层的表面的台阶面构成，电流扩散层的中部设有蚀孔，P电极安装在p型掺杂氮化镓层的表面上且伸出蚀孔，N电极安装在n型掺杂氮化镓层的表面上，保护层覆盖在台阶上，台阶面与n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，保护层的厚度为600～1000埃。
一种发光二极管芯片

[发明专利]一种微米银镓合金线的制备方法-CN202110245109.1在审
发明人：蒋中鸣;胡劲;张佳敏;张世辉;王智毅;何亚 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微米银镓合金线的制备方法，属于材料技术领域。本发明将银片浸泡在镓液中，扩散处理得到银镓扩散合金；将银镓扩散合金置于强碱腐蚀液中浸泡腐蚀2‑10d，固液分离得到线状银镓合金粉末，线状银镓合金粉末经去离子水洗涤即得微米银镓合金线。本发明方法以较简单的步骤和较低的设备要求完成微米银镓合金线的制备，过程无污染，无材料浪费，微米银镓合金线具有较高的长径比，具有较好的产业化前景。
一种微米合金制备方法

[发明专利]一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法-CN201911303143.9在审
发明人：覃文治;谢和平;陈庆敏;刘源;齐瑞峰;代千;石柱 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法，它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源，采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散源覆盖起来，在快速退火炉中进行开管高温梯度扩散，完成化合物半导体铟镓砷外延片的锌扩散工艺本发明扩散出的铟镓砷光电探测芯片光电性能片内、片间均匀性好、重复性好，可根据快速退火炉尺寸相应扩大铟镓砷外延片尺寸，特别适合三五族化合物半导体探测器芯片的生产。
一种沉积扩散制备铟镓砷光电探测器芯片方法

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法-CN201710795972.8有效
发明人：李尚俊 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，氮化镓基半导体器件包括基板，于所述基板上生长的缓冲层，于所述缓冲层上生长的非有意掺杂氮化镓层，于所述非有意掺杂氮化镓层上生长的通道层，于所述通道层上生长的扩散停止层，于所述扩散停止层上生长的P型掺杂氮化镓帽层。所述扩散停止层用来阻止所述P型掺杂氮化镓帽层中的掺杂物向所述通道层移动，从而保证所述P型掺杂氮化镓帽层中掺杂物的浓度，达到维持氮化镓基半导体器件的增强特性有效。
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种芯片的制造方法、制造设备和芯片-CN202110348496.1有效
发明人：王超;任宏志 -专利权人：青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片的制造方法、制造设备和芯片，所述制造方法包括步骤：将磷源和硅片层叠放置，使磷源扩散至硅片，在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除经磷扩散后的所述硅片的其中一面上的所述磷扩散结构层；将镓源涂布在去除磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层；将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；将铂源涂布在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散；在硼扩散前先进行镓扩，使得硼结形成的结深平缓，改善现有的芯片的电压离散性和压降特性。
一种芯片制造方法设备

[发明专利]一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510977322.6有效
发明人：秦国刚;李磊;侯瑞祥;姚利;徐万劲 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
一种室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法-CN201811555045.X有效
发明人：梁红伟;夏晓川;张贺秋 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法。该方法是把氧化镓材料进行预处理后，将铜源预沉积或者放置在氧化镓单晶或薄膜的表面上，然后将这种带有铜源的氧化镓放置在高温管内，而后在一定的条件下热处理一定时间，使得铜原子能可控的扩散到氧化镓中，形成相应的铜镓氧合金，进而与未发生铜扩散的氧化镓形成界面特性好的氧化镓/铜镓氧异质结。本发明突出的优势是能够制备出高质量的铜镓氧材料，其所需设备和工艺过程简单，可控性高；可以形成界面理想的氧化镓/铜镓氧异质结，获得理想的结特性；利用本发明所提铜扩散技术可以进行多种类器件集成制造，进而研制出传统生长技术无法制备出的铜镓氧基新型器件
一种氧化铜镓氧异质结制备方法

[发明专利]一种去合金化制备纳米多孔铜的方法-CN202111239395.7在审
发明人：周玉鑫;胡劲;陈天友;颜修兴 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明将铜片进行打磨抛光和去氧化层处理得到预处理铜片，将镓液均匀涂覆在预处理铜片上，将涂覆有镓液的铜片置于甲基硅油中，加热至预设温度并恒温浸泡扩散得到铜镓扩散合金；采用乙醇与去离子水清洗铜镓扩散合金表面的甲基硅油与残余镓液，打磨抛光处理以清除表面杂质，再经乙醇与去离子水清洗并冷风吹干；铜镓扩散合金置于NaOH溶液中，室温下腐蚀反应60～120min，采用去离子水清洗铜镓扩散合金表面残余NaOH溶液，冷风吹干，再置于盐酸中进行去合金化得到纳米多孔铜
一种合金制备纳米多孔方法

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