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[发明专利]一种交替反应物制备大面积单层和多层碲化镓材料的方法-CN202010965495.7在审
发明人：杨艳;陈鑫;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种交替反应物制备大面积单层和多层碲化镓材料的方法。该方法通过交替注入一种或一种以上含镓化合物或金属镓单质和一种或一种以上含碲化合物进行沉积反应，通过控制反应温度与反应循环次数来控制碲化镓材料生长的层数和面积，得到高质量的大面积层状碲化镓材料。本发明的优点是：生长条件精确可控，操作方便简单，制备效率高，可实现稳定制备大面积的碲化镓材料。碲化镓材料具有较大的原子质量以及合适的禁带宽度，在场效应晶体管，光电子器件，辐射探测器以及太阳能电池等领域都具有很高的应用价值。
一种交替反应物制备大面积单层多层碲化镓材料方法

[发明专利]一种砷化镓量子点增强的红外探测器及其制备方法-CN201611082048.7在审
发明人：庞倩桃 -专利权人：庞倩桃
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓量子点增强的石墨烯/碲镉汞红外探测器及其制备方法，该石墨烯/碲镉汞红外探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、碲镉汞层、石墨烯层及砷化镓量子点层，所述的红外探测器还设有第一电极和第二电极其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积碲镉汞层；然后将石墨烯转移至碲镉汞层上；在石墨烯层上制备砷化镓量子点层；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得红外探测器。本发明的砷化镓量子点增强的石墨烯/碲镉汞红外探测器利用砷化镓量子点引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/碲镉汞红外探测器。
一种砷化镓量子增强红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种高纯碲化镓的制备方法及装置-CN202110948849.1有效
发明人：李镇宏;朱刘;狄聚青;周亚明;劳秀钱;陈超辉 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备领域，公开了一种高纯碲化镓的制备方法及装置，所述制备方法包括以下步骤：S1.将碲和镓混合装入坩埚舟中；S2.将步骤S1中坩埚舟置于石英管中，保持石英管内氮气/氢气氛围；S3.控制加热器，使石英管整体升温，使碲和镓进行反应；S4.控制加热器，从石英管一端开始至另一端，将石英管依次分成若干小段，控制加热器，依次进行降温至中间段温度；S5.控制加热器，使石英管整体降温至室温，取出石英管内坩埚舟，得高纯碲化镓。本发明所述高纯碲化镓的制备方法工序简单、效率高，且制备得到的碲化镓性能良好，纯度较高，无气泡、夹杂等缺陷，重复率较高，合格成品率达80~90%。
一种高纯碲化镓制备方法装置

[发明专利]一种超高纯碲化镓的制备方法-CN202210907367.6在审
发明人：李清宇;吴广杰;林世源;黄杰杰;耿思宇 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高纯碲化镓的制备方法。本发明提供的制备方法，先通过步骤A)合成碲化镓锭，具体包括：碲用量的确定，将原料放置于镀碳石英管抽真空后密封，冷却和放置，然后再热处理合成等。本发明提供的上述制备方法，能够稳定制备出杂质、组分、游离碲合格的超高纯碲化镓。
一种高纯碲化镓制备方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备-CN201320662632.5有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长设备

[发明专利]碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法-CN201310139850.5无效
发明人：胡平安;李晓超;李俊杰;李晓光;冯伟;王晓娜;王立峰;张甲 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法，它涉及一种材料的制备方法及采用此材料制备光探测器的制备方法。材料的制备：将镓与碲混合、保温，却至室温，即得。光探测器的制备：制备二维结构的碲化镓半导体，以铜制掩膜为模板利用真空镀膜机在二维结构的碲化镓半导体的表面沉积电极，得到器件，将器件退火处理即得光探测器。
碲化镓二维材料制备方法结构柔性透明探测器

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺-CN201310315978.2无效
发明人：吕云安;李玉萍;李磊 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺

[发明专利]光电探测器及其制备方法-CN202310972128.3在审
发明人：杨珏晗;周劲澍;刘岳阳;刘端阳;文宏玉;魏钟鸣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底；绝缘层，设置在部分的衬底上；碲化镓层，设置在衬底和绝缘层上，与衬底形成异质结，使异质结中的电子吸收来自外部照射的光子产生跃迁；第一电极，设置在碲化镓层上；第二电极采用低对称晶体结构的碲化镓层与衬底形成异质结，使能带相交或错位，导致电子运输现象的变化，可以同时发挥衬底和碲化镓层两个材料的不同特性，使光电探测器可以探测较宽波长范围内的激光。
光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓碲热电转换材料的制备方法-CN201410119423.5在审
发明人：张晓琨;张海涛;向勇 -专利权人：向勇
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓碲热电转换材料的制备方法，包括以下步骤：适当化学计量比的铜源反应物、铟源反应物、镓源反应物及碲源反应物并将其转移至反应釜中并使其完全溶解。将反应釜进行加热使反应进行。反应结束后待反应釜冷却，取出产物，进行分离提纯、干燥，得到所需的铜铟镓碲热电转换材料。所得铜铟镓碲产物组分均一的低耗能制备方法，对该材料在热电转换技术领域实现产业化具有重要意义且具备巨大应用价值。
一种铜铟镓碲热电转换材料制备方法

[发明专利]制造多成分薄膜的方法-CN201110048467.X有效
发明人：萧满超;杨柳;雷新建;I·布查南 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：在一个实施方式中，本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。
制造成分薄膜方法

[发明专利]微孔负电极结构的阻挡杂质带探测器的制备方法及探测器-CN201710495143.8有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;侯丽伟;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括微孔制作步骤、电极制备步骤等。本发明还提供了一种微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器，是所述微孔负电极结构的砷化镓掺碲阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法制成的太赫兹探测器。本发明的优点在于：通过刻蚀微孔结构，减小了刻蚀面积，从而减小了因刻蚀损伤造成的缺陷，进而降低了探测器的暗电流，提高了探测率；将负电极制备在微孔内的高导砷化镓衬底上，缩短了光生载流子的输运路径，降低了光生载流子被高导砷化镓衬底中杂质和缺陷俘获的几率
微孔电极结构阻挡杂质探测器制备方法

[实用新型]白光发光二极管的垂直电极结构-CN200420066342.5无效
发明人：赖穆人 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种白光发光二极管，其由一透明导电粘合层将氮化镓的发光二极管与碲化锌或硒化锌为光转换层的基板结合而成，且制作成垂直电极结构，当此氮化镓的发光二极管发出一蓝光波长，而此蓝光部分被碲化锌或硒化锌光转换层所吸收并发出另一黄光波长
白光发光二极管垂直电极结构

[发明专利]量子点中红外光电探测器及其制备方法-CN202111365975.0在审
发明人：常慧聪;冯亚军;刘军库;郭楠;肖林 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该制备方法包括：在硅/二氧化硅衬底上生长氧化铟镓锌导电沟道层；在所述氧化铟镓锌导电沟道层的表面制备源电极和漏电极；对所述氧化铟镓锌导电沟道层进行图形化；利用热注入法制备单晶碲化锡胶体量子点；将所述单晶碲化锡胶体量子点旋涂至图形化后的氧化铟镓锌导电沟道层的表面
量子红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种氯化物体系制备铜镓碲薄膜的方法-CN201810522839.X在审
发明人：刘科高;李静;许超;赵忠新;刘宏 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氯化物体系制备铜镓碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO2、CuCl2和GaCl3先后放入溶剂中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜镓碲光电薄膜。所得铜镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
光电薄膜制备前驱体薄膜样品氯化物体系水合联氨放入薄膜制备技术领域高真空条件可密闭容器前驱体薄膜热处理工艺生产成本低制备高性能薄膜材料玻璃基片澄清透明密闭容器生产效率仪器设备自然晾干玻璃片均匀性新工艺旋涂法溶剂加热配制清洗取出生产

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