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[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510977322.6有效
发明人：秦国刚;李磊;侯瑞祥;姚利;徐万劲 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
一种室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。本发明中通过加入防反射结构，可以大大降低反射的光线，提高了太阳能电池的光电转换效率。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]从废旧含砷化镓IC元器件中回收砷化镓、铜的方法和应用-CN202011138352.5有效
发明人：詹路;许振明;张永亮 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从废旧砷化镓基IC元器件中回收砷化镓、铜的方法，将废旧含砷化镓IC元器件经水热缓冲体系处理，而后真空抽滤、筛分，得到砷化镓初次富集体和金属铜支架以及二氧化硅粉末。然后研磨初次砷化镓富集体以去除少量残余的封装材料，再次筛分从而得到含砷化镓富集体。本发明不仅能够有效回收废旧含砷化镓IC元器件中的砷化镓以及金属铜支架，而且在回收过程中，使材料中的非金属组分也得到资源化处理。本发明在减少环境污染和电子固废资源化利用方面优势突出，具有回收效果好、运行成本低、对环境无污染等特点。本发明还公开了所述方法在从废旧砷化镓基IC元器件中回收砷化镓、铜中的应用。
废旧含砷化镓 ic 元器件回收砷化镓方法应用

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法-CN201510659597.5在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
砷化镓多晶磁场生长以及方法

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110362301.9在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-CN202110359932.5在审
发明人：福永宽;秋田胜史;石川幸雄 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于
砷化镓晶体

[发明专利]一种单晶砷化镓薄膜制备技术-CN201310036262.9无效
发明人：向勇;闫宗楷;刘振鹏;臧亮 -专利权人：向勇
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种单晶砷化镓薄膜制备技术，属于半导体制造技术领域，该技术可以有效缓解生产难度，提高生产效率，其步骤包括：a.提供可供预处理的砷化镓基底；b.清洗；c.将清洗好的砷化镓基底送入真空的腔体中；d.在砷化镓基底上表面生长一层砷化铝；e.在砷化铝上生长砷化镓；f.刻蚀；g.抛光。本技术中砷化铝有效将砷化镓和砷化镓衬底分隔开，为后续工艺的剥离做准备，提高了效率，而且该技术利用了不同物质的腐蚀速率不同进行了砷化镓的分离，非常方便有效，它降低了制作成本和操作难度，具有很好的推广利用价值
一种单晶砷化镓薄膜制备技术

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762696.7有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;杜勇;徐步青;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上外延形成锗膜，在锗膜上外延生长砷化镓膜，这样将锗膜作为硅衬底和砷化镓膜层之间的缓冲层，改善硅衬底和砷化镓膜层之间的晶格失配，减少砷化镓膜层中的反向畴，减少砷化镓膜层中的缺陷，提高基于砷化镓膜层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法-CN200610011224.8无效
发明人：李若园;徐波;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明一种提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半绝缘砷化镓(100)衬底上，使用分子束外延的方法外延生长200nm的砷化镓缓冲层；(B)在砷化镓缓冲层上生长7个周期的砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜；(C)对砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜进行刻蚀至衬底，形成条形结构；(D)将刻蚀好的材料放入氧化炉中，进行湿法氧化，以把砷化铝氧化成氧化铝；(E)在氧化炉中退火，同时关闭水蒸气，向炉中通氮气进行气体保护，以提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜的界面质量。
提高氧化铝砷化镓分布布拉格反射界面质量方法

[发明专利]一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片-CN201811125280.3在审
发明人：朱铁军;谈笑天;肖亚东 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓晶体的退火方法，所述方法包括下述步骤：将砷化镓晶棒切割成晶片；在真空条件下、砷蒸气气氛中，对所述晶片进行退火。还公开了通过所述砷化镓晶体的退火方法制备得到的砷化镓晶片。本申请的砷化镓晶体的退火方法能够提高得到的砷化镓晶片的电性能和表面质量，从而提高晶片的成品率。
退火砷化镓晶体的砷化镓晶片晶片晶棒切割真空条件成晶片成品率电性能砷蒸气申请制备

[发明专利]一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法-CN201811485333.2有效
发明人：秦国刚;李磊;张黎莉;徐万劲;张健 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
一种砷化镓材料引入杂质加以激活方法

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