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[发明专利]模拟高压电子铝箔表面杂质元素分布状态的方法及系统-CN201910196859.7在审
发明人：肖远龙;何凤荣;罗向军;吕根品 -专利权人：东莞东阳光科研发有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明提供的模拟高压电子铝箔表面杂质元素分布状态的方法及系统，其方法包括：构建纯铝元素情况下的铝箔表面结构模型，其包括多个Al原子层；构建杂质分布模型，在待解析Al原子层中，利用杂质元素原子取代不同位置处的Al原子；量化杂质分布模型，选择最低能量值的杂质分布模型作为对应待解析Al原子层的最终杂质分布模型；获得杂质分布状态，根据每一Al原子层的最终杂质分布模型得到每一Al原子层中的杂质分布状态以得到铝箔表面的杂质元素分布状态以上方案，根据能量最小化原理和几何结构优化，从而快速确定铝箔表面杂质元素原子的分布状态。并且采用上述方案可以有效节约人力与物力，具有低成本和无污染的效果。
杂质分布原子层铝箔表面杂质元素表面杂质电子铝箔分布状态模拟高压元素分布构建解析能量最小化几何结构结构模型快速确定原子取代低成本位置处纯铝量化节约优化

[发明专利]使用填充四面体半导体的半导体器件-CN200710142429.4有效
发明人：清水达雄;山本和重 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过引入用于取代晶格点位置的组分原子的杂质原子S和将被插入到基质半导体的间隙位置的杂质原子I形成的一种配备有填充四面体半导体的半导体器件，其中在该基质半导体处组分原子被键合以形成四面体键结构。这种半导体器件被制造为呈现高迁移率级别和高电流驱动力并且使用如下的一种半导体物质作为沟道材料，该半导体物质中由于杂质原子S和杂质原子I之间发生的电荷转移使得杂质原子S具有与基质半导体的组分原子一致的电荷，并且该半导体物质中杂质原子I以一种呈现闭壳结构的电子排列的状态键合。
使用填充四面体半导体半导体器件

[发明专利]半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件、以及太阳能电池-CN201510959055.X在审
发明人：佐藤铁也;吉田诚人;野尻刚;町井洋一;岩室光则;织田明博 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。
半导体及其制造方法太阳能电池元件以及

[发明专利]半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件、以及太阳能电池-CN201280036330.5有效
发明人：佐藤铁也;吉田诚人;野尻刚;町井洋一;岩室光则;织田明博 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。
半导体及其制造方法太阳能电池元件以及

[发明专利]半导体器件及其生产方法-CN200510092789.9无效
发明人：滨口雅史 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明的半导体器件包括：在半导体衬底表面层上提供的含有锗原子和第一杂质原子的第一扩散区，所述第一杂质原子对电导率有贡献；和在距第一扩散区的表面比第一扩散区更浅的深度处提供的含有第二杂质原子的第二扩散区，所述第二杂质原子对电导率没有贡献。
半导体器件及其生产方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03155592.6无效
发明人：山内淳;青木伸俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种具有半导体层的半导体器件，包括：具有比半导体层的半导体组分原子的共价键最小半径大的共价键半径的第一杂质原子；和具有比半导体组分原子的共价键最大半径小的共价键半径的第二杂质原子；其中第一和第二杂质原子被排列在最近邻晶格位置处并且第一和第二杂质原子中的至少一种是电活性的
半导体器件及其制造方法

[发明专利]合金-CN202080089749.1在审
发明人：富田龙也 -专利权人：株式会社村田制作所;阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供一种合金，具备非晶相(16)，合金整体的平均Fe浓度为82.0原子％～88.0原子％，合金整体的平均Cu浓度为0.4原子％～1.0原子％，合金整体的平均P浓度为5.0原子％～9.0原子％，合金整体的平均B浓度为6.0原子％～10.0原子％，合金整体的平均Si浓度为0.4原子％～1.9原子％，合金整体的平均C浓度为0原子％～2.0原子％，除Fe、Cu、P、B、Si和C以外的杂质的合金整体的平均杂质浓度为0原子％～0.3原子％，上述平均Fe浓度、上述平均Cu浓度、上述平均P浓度、上述平均B浓度、上述平均Si浓度、上述平均C浓度和上述平均杂质浓度的合计为100.0原子％。
合金

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件-CN201080021283.8有效
发明人：市川磨 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板，其具有：第1半导体、及在第1半导体的上方形成的第2半导体；第2半导体具有：显示P型的传导型杂质或显示N型的传导型的第1杂质原子，和使所述第2半导体的费米能级接近于所述第2半导体不具有所述第1杂质原子时的费米能级的第2杂质原子。作为一个例子，该第2半导体的多数载流子是电子，第2杂质原子使具有第1杂质原子的第2半导体的费米能级下降。第2半导体是3-5族化合物半导体，第2杂质原子也可为选自铍、硼、碳、镁、及锌构成的组中的至少一种。
半导体制造方法电子器件

[发明专利]基于DMD的原子荧光多通道检测光源杂质干扰校正方法-CN201810477122.8有效
发明人：田地;张雅茹;陶琛;李春生;王宏霞 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于DMD的原子荧光多通道检测光源杂质干扰校正方法，该方法如下：建立原子荧光元素特征谱线库；利用色散原子荧光检测系统对含有杂质的待测元素的荧光信号进行采集并生成谱图；利用色散原子荧光检测系统对杂质元素的荧光信号进行采集并生成谱图；根据含有杂质的待测元素荧光信号中杂质元素谱峰的强度及杂质元素的荧光信号谱图，计算干扰系数；利用非色散原子荧光检测系统，对元素进行多通道检测；根据多通道检测得到的含有杂质的待测元素及杂质元素的荧光强度和计算得到的干扰系数，便可对光源杂质干扰进行校正。本发明能够对检测过程中的光源杂质干扰进行有效地识别和扣除，提高了原子荧光光谱仪定量检测结果的准确性。
基于 dmd 原子荧光通道检测光源杂质干扰校正方法

[发明专利]基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法-CN201910370982.6有效
发明人：吴歆宇;韩伟华;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：源区、漏区，对称分布于一SOI衬底之上；一硅纳米线结构，位于SOI衬底之上，连接源区与漏区；一含杂质原子的硅纳米晶粒此外，该杂质原子晶体管还包括：绝缘介质薄膜层，制备于所述源区、漏区、硅纳米线结构及硅纳米晶粒的表面，用于作为绝缘和保护层；一栅极导电条，覆盖于所述硅纳米线结构之上的绝缘介质薄膜层之上；电极结构。本发明提出的基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，不仅能准确定义杂质原子的位置，还能提升杂质晶体管的工作温度。
基于纳米晶粒束缚杂质原子晶体管及其制备方法

[发明专利]钛合金、时钟外装部件用材料的制造方法-CN201780022390.4有效
发明人：铁井利光;佐藤雅浩;小川刚主 -专利权人：国立研究开发法人物质·材料研究机构;西铁城时计株式会社
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：在本发明的钛合金中，含有28.0原子％以上且38.0原子％以下的比例的铝，含有2.0原子％以上6.0原子％以下的比例的铁，并且作为剩余部分而含有钛及不可避免的杂质，或者，含有28.0原子％以上且38.0原子％以下的比例的铝，含有4.0原子％以上8.0原子％以下的比例的锰，并且作为剩余部分而含有钛及不可避免的杂质，还可以含有0.3原子％以上1.50原子％以下的比例的硅。
钛合金时钟部件用材制造方法

[发明专利]Ag合金溅射靶、Ag合金溅射靶的制造方法、Ag合金膜及Ag合金膜的制造方法-CN201580042235.X有效
发明人：岁森悠人;野中荘平;松崎秀治 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的Ag合金溅射靶具有如下组分含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。并且，本发明的Ag合金膜具有如下组分含有0.1原子％以上且3.0原子％以下范围内的Sn、1.0原子％以上且10.0原子％以下范围内的Cu，且余量由Ag及不可避免的杂质构成。
ag 合金溅射制造方法

[发明专利]放电电极、放电灯以及用于制造放电电极的方法-CN200410058700.2无效
发明人：酒井忠司;小野富男;佐久间尚志;铃木真理子;吉田博昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01J61/067 文献下载
摘要：在宽带隙半导体中掺杂受主杂质原子和施主杂质原子，施主杂质原子的活化能比受主杂质原子的活化能更大。
放电电极电灯以及用于制造方法

[其他]抗辐射半导体器件-CN85103269无效
发明人：樱井博司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1985-04-29 - 公布日： 1987-02-04 - 主分类号： H01L29/167 文献下载
摘要：本发明提出用以确定某种导电类型而掺入半导体内的杂质应选用同一元素的热中子吸收截面较小的那种同位素，例如，用原子质量数为11的硼原子作为受主杂质，用原子质量数为123的锑Sb作为施主杂质。当用射线辐照时，该杂质所经受的原子核反应大大小于其它同位素，所以，其杂质浓度变化甚小，电特性也不会发生变化。
辐射半导体器件

[其他]抗辐射半导体器件-CN101985000003269在审
发明人：樱井博司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1985-04-29 - 公布日： 1987-02-04 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明提出用以确定某种导电类型而掺入半导体内的杂质应选用同一元素的热中子吸收截面较小的那种同位素，例如，用原子质量数为１１的硼原子作为受主杂质，用原子质量数为１２３的锑Ｓｂ作为施主杂质。当用射线辐照时，该杂质所经受的原子核反应大大小于其它同位素，所以，其杂质浓度变化甚小，电特性也不会发生变化。
辐射半导体器件

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