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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶圆键合方法-CN201510090153.4有效
发明人：汪新学;王明军;方伟;周耀辉;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供待键合的第一晶圆，所述第一晶圆包括衬底，所述衬底包括键合面以及相对于所述键合面的背面；在所述衬底中形成从衬底键合面露出的导电键合结构；在所述导电键合结构表面形成牺牲层；以所述牺牲层为掩模，去除部分衬底，使导电键合结构的表面凸出于所述衬底的表面；去除所述牺牲层；将所述第一晶圆与另一晶圆键合。本发明的有益效果在于对导电键合结构的表面进行保护，减小导电键合结构材料在去除衬底的过程中受到的影响，尽量地保证了导电键合结构中的材料不至于发生迁移，这样有利于减小发生短路现象的几率，进而提升晶圆之间的键合质量
晶圆键合方法

[发明专利]一种三层芯片集成方法-CN201711378869.X在审
发明人：曹静;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种三层芯片集成方法，其中，提供一具有第一金属互连层的第一衬底、一具有第二金属互连层的第二衬底和一具有第三金属互连层的第三衬底，包括以下步骤：第一衬底的第一键合面和第二衬底的第二键合面相对设置后进行混合键合；对第二衬底减薄第一预定厚度；在第二衬底中对应第二金属互连层的位置进行第一金属线的引出，引出第一金属线的面作为第四键合面；对第二衬底的第四键合面和第三衬底的第三键合面进行混合键合；对第三衬底减薄第二预定厚度
一种三层芯片集成方法

[发明专利]一种纳米级单晶薄膜及其制备方法-CN201810885587.7有效
发明人：李真宇;胡文;李洋洋;张秀全 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级单晶薄膜及其制备方法，在目标晶片和衬底晶片键合前的键合面产生总和为100~300μm的翘曲，并且目标晶片和衬底晶片的键合面为凸面；在键合过程中，当键合波从晶片中心向边缘扩散时，气体会随着键合波的扩散而逸出，从而减少甚至完全消除键合体中气泡类缺陷的数量，将气泡类缺陷数降低至少于0.13个/cm2；本发明通过三个方面进行改进，第一，减少目标晶片的厚度，采用厚度为0.1~0.3mm的目标晶片进行离子注入；第二，增大离子注入的剂量；第三，在键合工艺时将位于下方的晶片吸附在吸附平台上。
一种纳米级单晶薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体器件管芯键合-CN201110227755.1无效
发明人：邱书楠;贡国良;骆军华;徐雪松 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括具有相反的第一面和第二面以及边缘表面的半导体管芯。边缘表面具有在第一面之下的底切。半导体管芯的第二面以管芯附接材料键合至管芯支撑部件(例如，引线框的导热旗座)的键合表面。键合材料的填角形成于底切之内。
半导体器件管芯

[发明专利]Nd：YAG激光晶体大面积键合工艺-CN201610759273.3有效
发明人：熊由庆 -专利权人：成都晶九科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了Nd：YAG激光晶体大面积键合工艺，它包含以下步骤：S1.激光晶体表面处理；S2.光胶；S3.加压预键合：对晶片施加的压力；S4.升温加压：升温并施加的压力；S5.降温加压：降温施加50kg本发明的有益效果是：（1）有效地减少了键合面出现白斑气泡的现象。（2）在真空环境下加压，配合气氛条件，提高了晶体键合效果，同时提高了键合面键合牢固程度，避免了键合界面之间的残留气体问题。（3）真空加压配合两次退火，提高了大面积晶体的键合力，提高了大面积键合晶体成品率。
nd yag 激光晶体大面积工艺

[发明专利]MEMS圆片级真空封装结构及方法-CN201510278031.8有效
发明人：李东玲;尚正国;王胜强;温志渝 -专利权人：重庆大学
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装结构及方法，所述封装结构包括绝缘衬底、MEMS芯片结构层和盖板，三者通过圆片级键合方式连接成一体，形成真空腔室。本发明在第一键合环中心设计有不完全闭合的第二键合环，同时利用阳极键合与金硅共晶键合、热压键合或粘着键合的键合温度相近的特点，在同一工艺条件下完成两种键合，实现真空封装和金属引线的横向互连。另外，设计的第二键合环略高于第一键合环可保证键合时两键合环都能充分接触，且第二键合环不完全闭合形状设计一方面可以实现金属引线的横向互连，另一方面将真空腔室与外界环境隔开，保证真空腔室的密封性。
mems 圆片级真空封装结构方法

[发明专利]提高键合晶圆散热效果的方法-CN201410389774.8在审
发明人：梅绍宁;陈俊;朱继锋 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高键合晶圆散热效果的方法，应用于半导体混合键合技术或集成电路的三维堆叠技术中，通过在键合晶圆的一面或者正反两面设置导热线，该导热线的一端连接键合晶圆的电路区或位于电路区附近，另一端延伸至所述键合晶圆的外部，在键合器件工作时，通过导热线来将器件内部的热量导出，从而实现良好的散热效果，延长了器件寿命；同时避免了由于键合晶圆器件长时间在高温条件下工作而造成损坏，从而保证器件性能及稳定性。
提高键合晶圆散热效果方法

[发明专利]一种AlGaInP四元LED芯片制备方法-CN201811266051.3有效
发明人：彭璐;张兆梅;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种AlGaInP四元LED芯片制备方法，通过临时键合材料层键合临时键合衬底，并在欧姆接触层下端面键合制成键合层，利用电子束蒸发工艺在键合层下方制成永久衬底层，通过二次键合技术，实现P电极在上，从P面出光，这种方法既置换了衬底，实现发光效率的提升，同时获得了P面出光的传统电极结构，方便后续的电路管理。
一种 algainp led 芯片制备方法

[实用新型]垂直薄膜芯片结构-CN202320114788.3有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进宝;袁根如;陈朋 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直薄膜芯片结构，该芯片结构包括：基板、第一芯片模块、连接端子以及绝缘层；其中，所述第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述若干第一P电极以及第一N电极位于所述第一衬底的第一面，所述连接端子与所述第一N电极的第一面相连接；所述第一N电极的第二面与所述绝缘层的第一面相连接，所述绝缘层的第二面与所述基板相连接；所述绝缘层内设置有若干第一键合结构，所述第一键合结构贯穿所述绝缘层；所述若干第一P电极的第一面通过所述若干第一键合结构实现与所述基板的键合；所述绝缘层上设置有第二键合结构，所述第二N电极通过所述第二键合结构实现与外部金属键合。
垂直薄膜芯片结构

[发明专利]晶圆键合方法-CN201811281935.6在审
发明人：沈新林;王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一键合面，第二晶圆包括第二键合面，第一键合面上形成有含有硅氧键层的第一膜层，第二键合面上形成有含有硅氧键的第二膜层；在第一膜层中引入硅氮键层；对第一膜层及第二膜层进行等离子体活化处理；对第一膜层及第二膜层进行清洗处理；对第一膜层及第二膜层进行键合处理，以在键合界面形成超临界状态的氨气。
第一膜层晶圆膜层键合硅氧键键合面氨气等离子体活化产品成品率超临界状态反应压强键合界面晶圆键合清洗处理硅氮键减小圆键种晶引入

[发明专利]一种键合对准机构、键合装置和键合对准方法-CN202111290299.5在审
发明人：王虎;安海岩;程谦 -专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明属于半导体设备技术领域，公开了一种键合对准机构、键合装置和键合对准方法；所述键合对准机构包括：对准套筒、限位挡杆以及驱动件；所述对准套筒开设有支撑孔槽，所述限位挡杆可滑动地嵌于所述支撑孔槽内，所述驱动件与所述限位挡杆相连；其中，所述对准套筒的内壁上开设有对准边导向型面。本发明提供的键合对准机构、键合装置和键合对准方法能够简化键合设备结构，提升兼容性。
一种对准机构装置方法

[实用新型]金丝键合工装-CN201922389186.5有效
发明人：范志敏 -专利权人：华讯方舟科技有限公司;深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B23K20/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及金丝键合技术领域，提供一种金丝键合工装，包括具有第一压合面的压板及具有受热面和第二压合面的导热板，所述受热面用于与加热机构贴合且与所述第二压合面相背离设置，所述第一压合面与所述第二压合面相对设置，以将工件紧压于所述压板与所述导热板之间，所述压板设有用于供所述工件外露的键合窗口，工件在压板和导热板的共同压紧作用下与导热板有效贴合，使工件能够均匀受热，保证对工件进行键合时的焊接强度，有效提高工件的合格率
金丝工装

[发明专利]晶体器件热键合装配新方法-CN201210103114.X有效
发明人：韩学坤;严冬 -专利权人：青岛镭视光电科技有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：一种晶体器件热键合装配新方法，其特征在于，首先使用辅助材料与两块待键合晶体的非通光面分别胶合固化，分别构成第一和第二组合体；然后对第一和第二组合体的通光面进行抛光；最后对抛光后的通光面进行键合。本发明的优点是：采用这种新型工艺进行热键合可以有效的解决传统工艺面对微结构键合面时难度大的尴尬，提高产量和合格率。而且由于键合面接触面积的增加，整个复合结构的牢固度大幅度上升，相比传统键合工艺而言在键合晶体的后续加工上优势明显。并且在准直度和键合时的操作上都有了很好的改善。
晶体器件热键装配新方法

[发明专利]一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法-CN202110222528.3有效
发明人：霍瑞霞;吴道伟;刘万胜;李宝霞 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法，将上下键合面设计为带有串联电路，其中上键合面同时带有可供电流导通的电极Pad，形成了可供测试键合后是否形成完好键合界面的导通路线，且这种设计分布于整张晶圆的每颗晶粒Die，通过光刻的方式实现图形的转移，使用万用表等量测设备测试串联凸点两端电阻，通过电流电阻计算公式，计算得接触电阻，通过监控接触电阻，来有效及时的监控键合工艺，确保了键合效果的及时反馈，降低因键合不良而未及时识别造成人
一种晶圆级键合工艺监控结构方法制备

[发明专利]一种铜-铜金属键合方法-CN202211721856.9在审
发明人：杨文华;黄鑫;谢超;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明属于三维封装技术领域，具体涉及一种铜‑铜金属键合方法。本发明提供的键合方法，包括以下步骤：在保护气氛下，利用水合肼对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；所述预处理的温度为50～90℃；在保护气氛下，将待键合的镀铜键合体进行加压键合；所述加压键合的温度为200～300℃。实施例的数据表明：本发明提供的键合方法得到的铜‑铜键合面的剪切强度可达22MPa。
一种金属键方法

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