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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810271876.8有效
发明人： 邓武锋;何德飚;肖长永 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，所述基底包括相邻的器件区和单扩散断裂隔离区；形成横跨鳍部的多个分立的栅极结构，栅极结构覆盖器件区和单扩散断裂隔离区鳍部的部分顶部和部分侧壁；在器件区栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区；形成源漏掺杂区后，在衬底上形成覆盖栅极结构侧壁的第一介质层；依次刻蚀单扩散断裂隔离区的栅极结构、位于栅极结构下方的鳍部和部分厚度的衬底，单扩散断裂隔离区的第一介质层、鳍部和剩余衬底围成沟槽；在沟槽中形成单扩散断裂隔离结构。通过先形成源漏掺杂区的方式，可提高沟槽的位置精准度，从而提高单扩散断裂隔离结构的隔离效果。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110098399.1在审
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构和第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构侧壁表面；在所述第一介质层内形成暴露出基底表面的插塞开口，所述插塞开口与栅极结构之间的第一介质层形成牺牲侧墙；在所述插塞开口内形成源漏插塞；形成所述源漏插塞之后，去除所述牺牲侧墙，在所述源漏插塞和栅极结构之间形成空腔。所述方法有利于提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110099858.8在审
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构和源漏插塞，且所述栅极结构和源漏插塞之间具有牺牲侧墙；在所述源漏插塞上形成源漏接触孔；在所述栅极结构上形成栅极接触孔；形成所述源漏接触孔和栅极接触孔之后，去除所述牺牲侧墙，在所述栅极结构和源漏插塞之间形成空腔；在所述栅极结构和源漏插塞上形成介质层，且所述介质层封闭所述空腔顶部。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011553818.8在审
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有伪栅极结构；在伪栅极结构侧壁表面形成侧墙结构，侧墙结构包括第一侧墙、第二侧墙以及位于第一侧墙和第二侧墙之间的牺牲侧墙，且第一侧墙位于伪栅极结构侧壁表面；在基底上形成第一介质层，且第一介质层位于所述侧墙结构侧壁表面；形成所述侧墙结构之后，去除所述伪栅极结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构；在所述第一介质层内形成插塞开口以及位于所述插塞开口内的源漏插塞，且所述插塞开口暴露出第二侧墙侧壁表面；形成所述源漏插塞之后，去除所述牺牲侧墙，在所述第一侧墙和第二侧墙之间形成空腔。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010305080.7在审
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心区；在所述基底上形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底中形成源漏掺杂区；在所述伪栅两侧形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；去除所述伪栅，在所述层间介质层中形成栅极开口；对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂，适于提高所述核心区的层间介质层的耐刻蚀度；在形成所述栅极开口后、以及进行离子掺杂后，形成填充所述栅极开口的栅极。本发明实施例有利于提高生产制造良率和半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010312357.9在审
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底中形成源漏掺杂区；在所述伪栅两侧形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；在形成所述层间介质层后，对所述伪栅进行表面处理，适于减小所述伪栅的表面接触角；在对所述伪栅进行表面处理之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述伪栅，在所述层间介质层中形成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例对所述伪栅进行表面处理，适于减小伪栅的表面接触角，从而有利于提高伪栅的亲水性，在采用湿法刻蚀工艺去除伪栅的过程中，有利于使湿法刻蚀工艺将伪栅去除干净、降低产生伪栅残留的概率，提升了半导体结构的性能和生产良率。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710881845.X有效
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第三区和第三区两侧第一区和第二区，基底上具有伪栅极膜和掩膜材料层；去除第一区和部分第三区掩膜材料层，在第一区形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，在第一区形成第一伪栅极层；去除第二区和部分第三区掩膜材料层，在第二区形成第二掩膜层，在第三区形成第三掩膜层，第三掩膜层最大厚度大于第一掩膜层或第二掩膜层厚度；以第二掩膜层为掩膜，在第二区形成第二伪栅极层；在基底上形成第一初始介质膜，第一初始介质膜暴露出第三掩膜层；采用第一刻蚀去除部分第一初始介质膜，暴露出第一掩膜层和第二掩膜层顶部；采用第二刻蚀去除第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层。所形成器件性能好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备-CN201410357405.0有效
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法和一种化学机械研磨设备。所述化学机械研磨方法包括：步骤S1：提供待研磨的顶层为Al栅极层的晶圆；步骤S2：将所述晶圆置于化学机械研磨设备中，用研磨垫和研磨液对所述晶圆的Al栅极层进行化学机械研磨；步骤S3：待将所述Al栅极层研磨至目标位置时，去除所述化学机械研磨时在所述晶圆背面施加的压力，将所述晶圆解除卡紧；步骤S4：在所述晶圆为解除卡紧的状态下，将所述研磨液或所述研磨液和H2O2的混合液喷洒在所述研磨垫上，以对所述研磨垫进行清洗；步骤S5：清洗完成后，从所述研磨垫中将所述晶圆移出。本发明的CMP法，与常规的CMP法相比，使得晶圆表面的划痕缺陷减少了50％以上。
一种化学机械研磨方法设备

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201610802982.5有效
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干伪栅极；依次沉积研磨停止层和层间介电层，以覆盖所述半导体衬底以及所述若干伪栅极，其中所述层间介电层的顶面高于所述伪栅极的顶面；对所述层间介电层进行第一化学机械研磨，停止于所述研磨停止层上；对所述层间介电层和研磨停止层进行第二化学机械研磨，直至所述研磨停止层达到目标厚度；对所述研磨停止层进行蚀刻，停止于所述伪栅极的顶面上；蚀刻去除所述伪栅极，以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽中沉积金属层以形成金属栅极。根据本发明，可以有效减小CMP过程中在层间介电层顶面形成的碟形凹陷，从而减少了所述碟形凹陷中的金属残留物，提高了器件的良率和性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201510669884.4有效
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有若干伪栅极；依次沉积研磨停止层和层间介电层，以覆盖半导体衬底以及若干伪栅极，其中层间介电层的顶面高于所述伪栅极的顶面；对层间介电层进行第一化学机械研磨停止于研磨停止层内；对层间介电层进行第二化学机械研磨停止于伪栅极的顶面上；对层间介电层进行第三化学机械研磨，其中，在所述第三化学机械研磨过程中加入包括氧化剂的液体，以氧化所述伪栅极的顶面形成保护层。本发明的制造方法，在第三化学研磨过程中，使用双氧水对伪栅极的顶面进行氧化形成保护层，进而保护伪栅极的材料在之后的清洗步骤中不会损失。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810489354.5在审
发明人： 邓武锋;何德飚;肖长永 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面具有鳍部，所述基底包括隔离区和位于隔离区两侧的器件区，且器件区与隔离区相邻，横跨器件区鳍部的栅极结构，各栅极结构两侧的鳍部内分别具有源漏掺杂区，横跨隔离区鳍部的牺牲栅极，牺牲栅极两侧分别与相邻器件区的源漏掺杂区相接触；去除所述牺牲栅极以及牺牲栅极底部的部分鳍部，在所述鳍部内形成第一开口；在第一开口内形成绝缘结构，所述绝缘结构顶部齐平于或者高于源漏掺杂区顶部。所述方法形成的半导体器件的性能较好。
鳍部牺牲栅极隔离区源漏掺杂区器件区绝缘结构栅极结构基底横跨开口半导体结构半导体器件基底表面相邻器件齐平去除

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201510618400.3有效
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，第一晶体管区和第二晶体管区内分别形成有第一伪栅极和第二伪栅极，在第一伪栅极和第二伪栅极之间填充有层间介电层；回蚀刻部分第一伪栅极和第二伪栅极；在剩余的第一伪栅极和第二伪栅极的表面上分别沉积形成第一保护层和第二保护层；去除第一保护层和第一伪栅极，以形成第一栅极沟槽；形成第一金属栅极；去除第二保护层和第二伪栅极，以形成第二栅极沟槽；形成第二金属层，并对第二金属层执行第二化学机械研磨工艺，停止于层间介电层的表面上，以形成第二金属栅极。采用本发明的制造方法，可以降低CMP过程引起的多晶硅碟形凹陷的产生。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201310277589.5有效
发明人：程继;邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法。在所述半导体器件的形成方法中，半导体衬底的器件密集区上的半导体材料层表面位置高于器件稀疏区上的半导体材料层位置，因而在器件稀疏区上的半导体材料层上覆盖掩膜层，向密集区上部分厚度的半导体材料层内注入离子形成离子注入区域，之后去除所述离子注入区域。其中，在注入离子后，改变了离子注入区域内的半导体材料特性，使半导体材料层的离子注入区域与非离子注入区域的性质发生差异，进而在后续去除离子注入区域的过程中，对非离子注入区域的半导体材料层几乎不产生影响，从而使最终获得的器件稀疏区和密集区的半导体材料层的高度接近一致，提高半导体器件的性能。
半导体器件场效应晶体管形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510005567.2有效
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底以及位于基底上的介质层，在介质层内形成有沟槽；形成填充满沟槽且覆盖于介质层表面的铝层，铝层顶部高于介质层表面，且位于沟槽上方以及介质层表面的铝层的晶粒尺寸大于沟槽内的铝层的晶粒尺寸；在沟槽上方的铝层表面形成强化层，且强化层的材料硬度大于沟槽上方的铝层的材料强度；对强化层以及高于介质层表面的铝层进行第一研磨，去除强化层以及高于介质层表面的部分厚度的铝层。本发明通过在沟槽上方的铝层表面形成强化层的方法，防止位于沟槽上方的铝层的铝晶粒被拉出，从而改善研磨之后铝层表面粗糙度。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610213621.7在审
发明人： 邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，表面具有介质层，介质层内具有开口；形成第一金属层，位于介质层顶部表面上，形成第一金属层的温度为第一温度；形成第二金属层，形成第二金属层的温度为第二温度，第二温度高于第一温度；进行平坦化处理。本发明通过在介质层顶部表面上形成第一金属层，在开口内填充第二金属层，第一金属层在第一温度下形成，第二金属层在第二温度下形成，且第二温度高于第一温度。因此第一金属层的晶体结构较完整，晶粒较小，强度较大，能够在平坦化处理过程中保护介质层顶部表面，能够有效的减少在平坦化处理过程中产生碎片，降低晶圆在平坦化处理过程中被碎片划伤的可能，提高平坦化后晶圆表面的平整程度。
半导体结构形成方法

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