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[实用新型]半导体功率器件的钝化膜层芯片结构及封装构造-CN202223610945.4有效
发明人：康剑;任炜强;谢文华;魏佳轩;杨正友;魏长江 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体功率器件的钝化膜层芯片结构及封装构造，包括覆盖于芯片主体的表面的钝化层，钝化层包括无机钝化膜及有机钝化膜，无机钝化膜直接覆盖于芯片主体的表面，有机钝化膜覆盖于无机钝化膜上，有机钝化膜的厚度大于无机钝化膜的厚度钝化层作为芯片主体的表面形成的一层保护膜，保持芯片主体的稳定性。无机钝化膜与有机钝化膜组合形成钝化层，加强了钝化层的钝化效果。而有机钝化膜的厚度大于无机钝化膜的厚度能够消除无机钝化膜内部的厚度应力，从而使得芯片主体承受高温高电压及漏电流较小，并保持稳定的反压曲线。
半导体功率器件钝化芯片结构封装构造

[发明专利]一种铝合金钒钛铕钝化液及其制备和使用方法-CN202110510603.6在审
发明人：梁胜伟;宋海东;袁弥强 -专利权人：齐齐哈尔北方集团北方化学工业有限责任公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C22/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金钒钛铕钝化液及其制备和使用方法，其中的钝化液包括：成膜载体、成膜促进剂及防腐增强剂；所述成膜载体，用于形成钝化膜；所述成膜促进剂，用于在所述钝化膜中提供钛元素及钒元素；所述钛元素及所述钒元素，用于降低形成所述钝化膜的操作温度和钝化时间，及调整所述钝化膜的层颜色；所述防腐增强剂，用于在所述钝化膜中提供铕元素；所述铕元素，用于延长所述钝化膜的耐盐雾时间；解决现有钝化液操作温度高，钝化时间长，钝化膜耐盐雾时间短的问题
一种铝合金钒钛铕钝化及其制备使用方法

[发明专利]一种镀锌钝化膜厚度的表征方法-CN202110560524.6在审
发明人：邓志伟;张友亮;刘涛;张守华;周磊;王祺岩;王春光 -专利权人：安泰科技股份有限公司;安泰爱科科技有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明一种镀锌钝化膜厚度的表征方法，将所述镀锌钝化膜溶解成溶解液，测定溶解液中的铬浓度，得到镀锌钝化膜单位面积的铬含量，根据所述铬含量反映镀锌钝化膜的厚度。采用钝化膜溶解液中铬含量测定，最后计算出单位镀层面积中铬含量，从而反映钝化膜厚度，能够准确表征钝化膜的厚度，解决了传统镀锌钝化膜厚度难以准确测试和表征的问题。
一种镀锌钝化厚度表征方法

[发明专利]一种PERC电池背面钝化结构及其制备方法-CN201811242783.9在审
发明人：魏青竹;苗凤秀;张树德;连维飞;胡党平;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种PERC电池背面钝化结构及其制备方法。一种PERC电池背面钝化结构，包括硅基底，还包括依次层叠的氧化硅钝化膜层、氧化铝钝化膜层及氮化硅钝化膜层，所述氧化硅钝化膜层形成于所述硅基底上，所述氧化铝钝化膜层形成于所述氧化硅钝化膜层上，所述氮化硅钝化膜层形成于所述氧化铝钝化膜层上该背面钝化结构有助于减少硅基底表面态密度，具有较低的内反射，同时氧化铝保持良好的钝化效果，提升电池开路电压和短路电流，进而提升电池转换效率。
钝化膜层氧化铝电池背面钝化结构氧化硅氮化硅钝化硅基膜层制备背面钝化结构电池开路电压电池转换效率硅基底表面短路电流钝化效果依次层叠内反射

[发明专利]一种半导体台面及制作方法-CN201410613928.7有效
发明人：张弦;陈芳林;颜骥;邱凯兵;高建宁;王政英 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。
一种半导体台面制作方法

[发明专利]一种铝合金钝化膜处理方法-CN202110385854.6有效
发明人：常龙 -专利权人：广东兴发铝业有限公司
申请日： 2021-04-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C22/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝合金钝化膜处理方法，通过采用现有技术中常见钝化液对铝合金进行钝化处理，以及钝化后进行过热水蒸气填孔，有效提高钝化膜的致密镀，且获得的钝化膜厚度均匀，所述钝化膜的耐腐蚀性强，钝化膜与基材的结合力高
一种铝合金钝化处理方法

[发明专利]一种介质钝化膜和太阳能电池及其制备方法-CN201310390528.X有效
发明人：叶继春;王洪喆;高平奇;潘淼;韩灿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种介质钝化膜和太阳能电池及其制备方法，具体地公开了一种适用于硅基材料的表面介质钝化膜，该介质钝化膜是位于硅基材料表面的氮化硅介质钝化膜，钝化膜中含有选自下组的掺杂元素：使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素、使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素、或其组合。本发明的表面介质钝化膜不仅具有优异的抗反射性和钝化性，而且可具有光照增强钝化效果，且在短时间的光照下就能到达饱和钝化值。此外，本发明还公开了一种含有该表面介质钝化膜的镀膜硅基材和太阳能电池及其制备方法。
一种介质钝化太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种光敏芯片钝化结构-CN202122177079.3有效
发明人：罗杰平;曾璞;刘从吉;周自希;赖冬寅;龚磊;罗丹;李敬;张志波;王兴伦;石晨 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型属于硅基探测器技术领域，旨在提供一种减少干扰，合格率高，易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型光敏芯片钝化结构包括保留原有在芯片表面的氧化硅钝化膜和聚酰亚胺膜，在氧化硅钝化膜同聚酰亚胺膜之间增加一层氮化硅钝化膜，用氮化硅钝化膜包裹氧化硅钝化膜，然后在用聚酰亚胺膜各个方向包裹氮化硅钝化膜，形成完整包裹型三层钝化膜结构。本实用新型钝化结构有效减少了离子污染，消除了器件在背景光照下输出干扰信号，提高了器件合格率。
一种光敏芯片钝化结构

[发明专利]一种单晶掺镓背钝化太阳电池及其制备方法-CN201810085600.0在审
发明人：李华;童洪波;靳玉鹏;朱海涛 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶掺镓背钝化太阳电池及制备方法。单晶掺镓包括：掺杂有镓元素的单晶掺镓硅基底，以及在其上的发射极和背表面场，置于发射极表面的钝化及减反射正面减反射膜/钝化膜和置于基底背表面的背面钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，置于背面钝化膜表面的导电材料组成的背面电极。其制备方法，包括：在掺镓的硅片上完成表面织构化，发射极制备，绝缘处理，正表面钝化减反射膜及背表面钝化膜制备，背面钝化膜局域开膜以及金属化过程。
制备单晶钝化背面钝化膜减反射膜导电材料钝化膜发射极表面织构化钝化膜表面发射极表面基底背表面金属化过程背表面场背面电极绝缘处理正面电极背表面减反射正表面镓元素硅片硅基掺杂

[实用新型]一种单晶掺镓背钝化太阳电池-CN201820146410.0有效
发明人：李华;童洪波;靳玉鹏;朱海涛 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶掺镓背钝化太阳电池及制备方法。单晶掺镓包括：掺杂有镓元素的单晶掺镓硅基底，以及在其上的发射极和背表面场，置于发射极表面的钝化及减反射正面减反射膜/钝化膜和置于基底背表面的背面钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，置于背面钝化膜表面的导电材料组成的背面电极。其制备方法，包括：在掺镓的硅片上完成表面织构化，发射极制备，绝缘处理，正表面钝化减反射膜及背表面钝化膜制备，背面钝化膜局域开膜以及金属化过程。
单晶钝化制备背面钝化膜减反射膜导电材料钝化膜发射极本实用新型表面织构化钝化膜表面发射极表面基底背表面金属化过程背表面场背面电极绝缘处理正面电极背表面减反射正表面镓元素硅片硅基掺杂

[发明专利]一种多晶掺镓背钝化太阳电池及其制备方法-CN201810084111.3在审
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶掺镓背钝化太阳电池及制备方法。此多晶掺镓背钝化太阳电池，包括：掺杂有镓元素的多晶掺镓硅基底，以及在其上的发射极和背表面场，置于发射极表面的钝化及减反射正面减反射膜/钝化膜和置于基底背表面的背面钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，置于背面钝化膜表面的导电材料组成的背面电极。一种多晶掺镓太阳电池的制备方法，包括：在掺镓的硅片上完成表面织构化，发射极制备，绝缘处理，正表面钝化减反射膜及背表面钝化膜制备，背面钝化膜局域开膜以及金属化过程。 1
钝化多晶制备背面钝化膜减反射膜导电材料钝化膜发射极表面织构化钝化膜表面发射极表面基底背表面金属化过程背表面场背面电极绝缘处理正面电极背表面减反射正表面镓元素硅片硅基掺杂

[发明专利]一种镀锡板钝化膜厚度的测量方法-CN202010849419.X在审
发明人：王志奋;韩荣东;黄海娥;周元贵;马家艳 -专利权人：武汉钢铁有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及镀锡板的表征检测领域，尤其涉及一种镀锡板钝化膜厚度的测量方法。本发明包括步骤：(1)试样的预处理：(2)确定钝化膜的表面位置：原位氩离子刻蚀和X射线光电子能谱测量交替进行，分析试样刻蚀在镀锡板某深度处的化学组成及含量，当测量到Cr元素、O元素后确定钝化膜的表面位置；(3)刻蚀钝化膜：检测到钝化膜的表面位置后对试样继续刻蚀，直至钝化膜已完全刻蚀完，记录刻蚀时间(t)；(4)计算钝化膜厚度：已知标准靶材的刻蚀速度，根据刻蚀速度与靶材的密度成反比，获得钝化膜的刻蚀速度；钝化膜厚度＝刻蚀速度×刻蚀时间。本发明能够快速、准确地测量镀锡板钝化膜厚度。
一种镀锡钝化厚度测量方法

[发明专利]新型钝化复合板材-CN201410659539.8无效
发明人：赵东明;黄雄白 -专利权人：苏州禾盛新型材料股份有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种新型钝化复合板材，基材的正面设有第一军绿钝化膜层，第一军绿钝化膜层上涂覆有底漆层，底漆层上涂覆有面漆层，基材的背面设有第二军绿钝化膜层，第二军绿钝化膜层上涂覆有背漆层。军绿色钝化膜附着力(杯凸)最好，其防腐性能远远高于彩虹色钝化膜，军绿色钝化膜的氢离子明显低于其他颜色钝化膜，减少了零件的氢脆隐患，六价铬的含量也明显低于彩虹色钝化膜，更符合环保的要求，减轻了对人类健康和环境的危害通过军绿色钝化膜的应用，将PCM或VCM的耐冲压杯凸试验值达到12，从而极大的提高PCM在实际使用中满足某些深冲工艺的要求。
新型钝化复合板材

[实用新型]新型钝化复合板材-CN201420693625.6有效
发明人：赵东明;黄雄白 -专利权人：苏州禾盛新型材料股份有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型钝化复合板材，基材的正面设有第一军绿钝化膜层，第一军绿钝化膜层上涂覆有底漆层，底漆层上涂覆有面漆层，基材的背面设有第二军绿钝化膜层，第二军绿钝化膜层上涂覆有背漆层。军绿色钝化膜附着力(杯凸)最好，其防腐性能远远高于彩虹色钝化膜，军绿色钝化膜的氢离子明显低于其他颜色钝化膜，减少了零件的氢脆隐患，六价铬的含量也明显低于彩虹色钝化膜，更符合环保的要求，减轻了对人类健康和环境的危害通过军绿色钝化膜的应用，将PCM或VCM的耐冲压杯凸试验值达到12，从而极大的提高PCM在实际使用中满足某些深冲工艺的要求。
新型钝化复合板材

[发明专利]选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池及其制备方法-CN201910306872.3在审
发明人：方结彬;林纲正;张小明 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池及其制备方法，在P型硅的背面上依次设有背面钝化膜、全铝背场或铝栅线、背银电极，在背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，P型硅露于开槽中，全铝背场或铝栅线位于开槽内的部分与P型硅相连，在P型硅的正面上依次设有增强钝化膜、正面钝化膜和正银电极，且增强钝化膜位于P型硅上对应正银电极的区域，增强钝化膜为N型薄膜，在P型硅的正面上对应正银电极以外的区域与正面钝化膜之间设有N型硅。正面钝化膜的钝化作用和N型薄膜的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，增强钝化效果；同时，N型薄膜对于多子来说具有良好的传导性，可降低接触电阻，提高电池的光电转换效率。
钝化膜背面钝化膜正银电极开槽太阳能电池选择性增强背场钝化铝栅全铝制备光电转换效率降低接触电阻背银电极钝化效果钝化作用少子复合场钝化传导性背面电池贯通

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