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[发明专利]一种P型晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202010911617.4有效
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;潘强强;李家栋;蔡伦 -专利权人：一道新能源科技股份有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法及P型晶体硅太阳能电池，该制备方法包括：在P型晶体硅基底的第一面扩散磷，形成N型晶体硅结构和第一磷硅玻璃层；在第一磷硅玻璃层上形成第一凹槽，使N型晶体硅结构暴露；在第一凹槽内进行一系列工艺，使第一凹槽内包括第一氧化硅层和N型重掺杂多晶硅；最后印刷银电极和铝电极。本发明实施例能够利用现有P型晶体硅太阳能电池生产设备实现太阳能电池的制备，与现有的生产设备兼容性强，进而实现太阳能电池制备流程的稳定性较高。只对第一凹槽内的N型晶体硅结构进行氧化处理，保证了非电极接触区域的良好光吸收。
一种晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳电池的膜层结构-CN202110257592.5在审
发明人： 王洪喆;刘勇;蔡伦;闫用用 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池的膜层结构，属于光伏技术领域。本发明提供的太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层，抗反射且满足预设透光率的第二钝化层，以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层，在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层，以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层，其中，N型发射极和P型晶硅衬底相接，从而既满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求，又保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性，有效提高电池组件的组件可靠性，应对复杂的实际应用环境，使用范围更广。
一种太阳电池结构

[发明专利]一种两结太阳能电池及其制备方法-CN202011372280.0在审
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;李家栋;潘强强;杨刘 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种两结太阳能电池及其制备方法，该电池基于N型晶硅衬底制备而成，在正面上由内向外依次制备有包括扩散P型层、第一隧穿薄膜层、第一P型半导体层、第一钝化层、第一透明导电膜层的晶硅太阳能电池单元，还包括由第一N型半导体层、第二隧穿薄膜层、第二P型半导体层和第二透明导电膜层构成的薄膜太阳能电池单元，两种太阳能电池单元通过第一金属电极串联，且整体太阳能电池通过第二金属电极和第三金属电极实现与外电路连接。由于薄膜太阳能电池单元能够将晶硅太阳能电池不能吸收的太阳光予以利用，因此两者结合能够有效提高整体太阳能转换效率，从而解决了采用单结隧穿氧化层钝化金属结构的太阳能电池的转换效率较低的问题。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202011398985.X在审
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;李家栋;潘强强;杨刘 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池其包括晶硅衬底，在晶硅衬底的正面制备有该扩散发射极、第一隧穿薄膜层、掺杂多晶硅层、第一钝化层、抗反射层、掩膜层和第一金属电极；在晶硅衬底的背面上从内到外依次制备有第二隧穿薄膜层、重掺杂多晶硅层、第二钝化层、超重掺杂的半导体层、透明导电膜层、第二金属电极和第三金属电极。本申请中通过基础钝化层即第一钝化层和第二钝化层的引入，实现对掺杂多晶硅层表面良好的化学钝化及场效应钝化，降低载流子在多晶硅层因复合造成的损失，提升了光生载流子的有效输出，从而有效提高了太阳能电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202011165240.9在审
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;潘强强;李家栋;杨刘 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括晶硅衬底，在其一个表面制备有第一隧穿薄膜层、掺杂多晶硅层、第一钝化层、抗反射层和掩膜层；另一个表面上制备有第二隧穿薄膜层、重掺杂多晶硅层、第二钝化层、超重掺杂多晶硅层和透明导电层。本申请通过引入钝化层实现对掺杂多晶硅层表面良好的化学钝化及场效应钝化，降低载流子在多晶硅层因复合造成的损失，提升光生载流子的有效输出；再通过超重掺杂多晶硅层的引入，实现对其中一个表面场效应钝化的进一步加强，通过不同掺杂浓度产生的电势差值，为光生载流子向外电路输出提供一定的动力，进而再次增大载流子的有效输出，从而有效提高了太阳能电池的转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池-CN202011053547.X在审
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;潘强强;李家栋;杨刘 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明提供的晶体硅太阳能电池的制备方法，在晶体硅衬底的正面沉积掺杂介质层，后续对导电极性半导体的晶化程度处理以及极性增长处理中，更高的反应温度同时也使得掺杂介质层中的掺杂杂质向晶体硅衬底扩散，由于沉积工艺温度低于扩散工艺温度，因此，先沉积掺杂介质层再利用后续步骤中的高温工艺扩散杂质，降低了生产过程中生产设备的耗能，从而解决了掩膜层厚度与生产产能矛盾的问题，可以调整掺杂介质层获得合适的膜层厚度，对晶体硅衬底的正面起到良好的掩膜作用，并减少因高温环境引起的晶体硅衬底中缺陷的形成，提高硅衬底表面形貌的结构均匀性。
一种晶体太阳能电池制备方法

[实用新型]一种太阳电池的膜层结构-CN202120502713.3有效
发明人： 王洪喆;刘勇;蔡伦;闫用用 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构，属于光伏技术领域。本实用新型提供的太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层，抗反射且满足预设透光率的第二钝化层，以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层，在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层，以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层，其中，N型发射极和P型晶硅衬底相接，从而既满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求，又保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性，有效提高电池组件的组件可靠性，应对复杂的应用环境，使用范围更广。
一种太阳电池结构

[发明专利]一种太阳能电池制备方法及太阳能电池-CN202010964001.3在审
发明人：李家栋;刘勇;朴松源;王洪喆 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明提供的太阳能电池的制备方法，通过在制备太阳能电池的过程中，保留预设厚度的硼硅玻璃层，并对其在预设活化温度下反应预设活化时间从而激活其钝化活性，获得发射极的第一钝化层，由于硼化玻璃层是在对硅基底的正面进行硼扩散处理时自然形成的，因此，能够很好的兼容太阳能电池的原制备工艺，避免了氧化铝工艺的引入，有效简化了太阳能电池的制备工艺，硼化玻璃层不易被空气污染，降低了后续其它功能层的制备难度，无需引入对硅基底的高效清洗方法即可有效发挥其钝化作用，提升了太阳能电池的制备效率。
一种太阳能电池制备方法

[发明专利]一种硅基底制备方法及太阳能电池-CN202010969860.1在审
发明人：潘强强;刘勇;朴松源;王洪喆;王路;李家栋 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基底制备方法及太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明提供的硅基底制备方法，通过在硅片中两次不同深度的磷扩散，从而灵活调整磷在硅片中的浓度分布，此时，硅基底的表面浓度较高，且表面浓度下降趋势较为平缓，优化了硅片与金属电极的欧姆接触，降低了接触电阻，提高了基于该硅片的太阳能电池的填充因子；体内浓度较低，降低了硅片的体内复合，提高了基于该硅片的太阳能电池的开路电压与短路电流；最后，上述改进没有增加磷扩散过程所需的时间，也没有引入其他制备工艺，便于在现有的规模化生产中应用，改进成本低。
一种基底制备方法太阳能电池

[实用新型]一种两结太阳能电池-CN202022820213.2有效
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;李家栋;潘强强;杨刘 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种两结太阳能电池，该电池基于N型晶硅衬底制备而成，在正面上由内向外依次制备有包括扩散P型层、第一隧穿薄膜层、第一P型半导体层、第一钝化层、第一透明导电膜层的晶硅太阳能电池单元，还包括由第一N型半导体层、第二隧穿薄膜层、第二P型半导体层和第二透明导电膜层构成的薄膜太阳能电池单元，两种太阳能电池单元通过第一金属电极串联，且整体太阳能电池通过第二金属电极和第三金属电极实现与外电路连接。由于薄膜太阳能电池单元能够将晶硅太阳能电池不能吸收的太阳光予以利用，因此两者结合能够有效提高整体太阳能转换效率，从而解决了采用单结隧穿氧化层钝化金属结构的太阳能电池的转换效率较低的问题。
一种太阳能电池

[实用新型]一种太阳能电池-CN202022870532.4有效
发明人： 王洪喆;刘勇;朴松源;李家栋;潘强强;杨刘 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种太阳能电池，该太阳能电池其包括晶硅衬底，在晶硅衬底的正面制备有该扩散发射极、第一隧穿薄膜层、掺杂多晶硅层、第一钝化层、抗反射层、掩膜层和第一金属电极；在晶硅衬底的背面上从内到外依次制备有第二隧穿薄膜层、重掺杂多晶硅层、第二钝化层、超重掺杂的半导体层、透明导电膜层、第二金属电极和第三金属电极。本申请中通过基础钝化层即第一钝化层和第二钝化层的引入，实现对掺杂多晶硅层表面良好的化学钝化及场效应钝化，降低载流子在多晶硅层因复合造成的损失，提升了光生载流子的有效输出，从而有效提高了太阳能电池的转换效率。
一种太阳能电池

[实用新型]一种光束旋转的激光加工装置-CN201921519465.2有效
发明人：秦应雄;王洪喆;段光前;黄树平;童杰 -专利权人：武汉先河激光技术有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本实用新型属于激光加工技术领域，具体提供了一种光束旋转的激光加工装置，包括旋转台，旋转台上设有用于调节出射激光光轴的调节单元，调节单元包括声光偏转器及耦合光楔棱镜组，声光偏转器及耦合光楔棱镜组依次位于入射激光光轴上。通过调整声光偏转器的位置，使得出射激光打在工件的制定钻孔位置上，通过调整耦合光楔棱镜组的位置，使得出射激光与工件的夹角固定，使得出射激光加工出预定孔径的孔洞。然后通过旋转旋转台使得调节单元旋转便可在工件的预定位置打出预定的孔径大小的孔洞。通过旋转台实现光楔棱镜组一起旋转的声光偏转器的同步扫描，可以保证入射激光光轴与出射激光光轴同轴，操作方便，大大提高了激光钻孔的精度。
一种光束旋转激光加工装置

[实用新型]一种激光旋切加工系统-CN201921520118.1有效
发明人：秦应雄;王洪喆;段光前;黄树平;童杰 -专利权人：武汉先河激光技术有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型属于激光技术领域，具体提供了一种激光旋切加工系统，包括用于发射激光的激光发射器，还包括光扫描模块、光倾转模块及可绕激光发射器的发射光路旋转的旋转台；光扫描模块位于激光发射器的出射光路上，其用于偏移从激光发射器发射出来的发射激光；光倾转模块位于光扫描模块的出射光路上，其用于倾转从光扫描模块的透射激光；光扫描模块及旋光聚焦模块均与旋转台固定连接。通过控制光扫描模块的角度来定位加工孔的位置，通过控制光倾转模块的参数来调整激光加工光束的入射角，从而调整孔的锥度大小。在保证了偏转后的光轴与入射光轴同轴的同时，并减少了一个机械旋转调节结构，大大提高了激光钻孔的精度的同时又减少旋切装置的成本。
一种激光加工系统

[发明专利]一种双面钝化背接触异质结太阳电池及其制作方法-CN201810552390.1在审
发明人： 王洪喆;罗骞;宋广华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面钝化背接触异质结太阳电池及其制作方法，其结构包括晶体硅衬底，受光面上依次为超薄氧化物介质钝化层、薄膜硅层、低温工艺抗反射膜层，背光面上设有超薄氧化物介质钝化层，超薄氧化物介质钝化层上设有间隔设置的p型和n型重掺杂非晶硅层，p型和n型重掺杂非晶硅层分别依次设有透明导电薄膜层和金属电极层。其制作方法包括在晶体硅沉底上下表面生长超薄氧化物介质层，在受光面沉积薄膜硅层、沉积低温工艺抗反射膜层；在背光面沉积p型重掺杂非晶硅层、n型重掺杂非晶硅层、透明导电膜层和制备金属电极等步骤。本发明光吸收效率高，能有效避免高温损坏，制备方便简单便捷，提高背接触异质结太阳电池的生产效率。
非晶硅层氧化物介质钝化层异质结太阳电池抗反射膜层低温工艺背接触晶体硅沉积透明导电薄膜层背光透明导电膜层氧化物介质层制备金属电极光吸收效率金属电极层薄膜硅层沉积薄膜高温损坏间隔设置上下表面生产效率双面钝化背光面受光面衬底硅层受光制备制作生长

[发明专利]一种长期保持异质结太阳电池和组件性能的装置及方法-CN201810540162.2在审
发明人： 王洪喆;罗骞;张杰;乔松 -专利权人：福建钜能电力有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种长期保持异质结太阳电池和组件性能的装置及方法，该装置包括腔体、光源、红外加热系统、惰性气体输入系统、传送装置和总控制器，所述光源由分别至于腔体顶面和底面的上光源和下光源组成，所述红外加热系统由分别至于腔体顶面和底面的上红外加热系统和下红外加热系统组成，所述惰性气体输入系统由分别至于腔体顶面和底面的上惰性气体输入系统和下惰性气体输入系统组成，所述总控制器分别与光源、红外加热系统、惰性气体输入系统、传送装置电性连接。本发明通过短波段或紫外光的照射同时加热的方法，使得异质结太阳电池或组件持续光照后所得到的效率的提升保持住，使其在随后的自然光照下，仍持续高效工作。
红外加热系统惰性气体输入系统腔体顶面光源异质结太阳电池传送装置总控制器紫外光持续光照电性连接自然光照短波段上光源下光源腔体加热照射

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