专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提高硅APD制结工艺精度的方法-CN202011592448.9有效
  • 邓杰;王鸥;李潇;郝昕;余丽波;谢修敏;刘从吉;宋海智 - 西南技术物理研究所
  • 2020-12-29 - 2022-10-25 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法,其中,包括:活性区p、正面接触层n+、背面接触层p+制结工艺温度依次降低,工艺时间依次减少,以减少多步高温工艺对结深造成误差积累;在制结工艺过程中通入一定量的三氯乙烯进行含氯氧化,通过三氯乙烯在高温下分解产生水气控制氧化层生长速率,以抵消温度差异对结深造成的影响。本发明在硅APD制造工艺基础上,减少了多步高温工艺对结深造成的误差积累,尤其提高了硅APD活性区p、主结掺杂区n+的制结工艺精度,在制结工艺过程中控制三氯乙烯流量进行含氯氧化,通过三氯乙烯在高温下分解产生水气控制氧化层生长速率,抵消温度差异对结深造成的影响,因此提高了制结工艺精度。
  • 一种提高apd工艺精度方法
  • [发明专利]一种非晶硅材料电阻率调节方法-CN202011592450.6在审
  • 曾璞;陈方军;刘从吉;公丕华;赖冬寅;王万祎;梁松林;周忠燕;李刚;陈君润 - 西南技术物理研究所
  • 2020-12-29 - 2021-05-18 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法,其中,包括:采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料,平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上,射频电压加在上下平行板之间;反应腔体内采用热丝控制气体温度,在辉光放电前,先将沉积室温抽真空到5x10‑4Pa;然后在辉光放电沉积过程的反应室中,通入少量N2O与硅烷作为非晶硅材料反应气体,并且在反应过程中使反应腔中保持46Pa~55Pa的压强,对衬底进行加热到300℃,让上下平板间出现电容耦合式的气体放电,将氧原子掺杂入非晶硅材料中,使氧原子在非晶硅中与Si形成新键,形成含氧的氢化非晶硅。本发明提出的一个非晶硅材料电阻率的调节方法,简单可行。
  • 一种非晶硅材料电阻率调节方法
  • [发明专利]非晶硅光学薄膜折射率调节方法-CN201210566151.4无效
  • 曾璞;周小燕;苏洁梅;刘从吉;陈逢彬;赖冬寅;柯尊贵;罗成思;袁菲 - 西南技术物理研究所
  • 2012-12-24 - 2013-07-17 - C23C16/24
  • 本发明提出的一个非晶硅薄膜折射率的调节方法,简单可行,折射率可调节范围较大,精度易于控制。本发明可以通过下述技术方案予以实现:在采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅薄膜中,平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上,射频电压加在上下平行板之间;反应腔体内采用热丝控制气体温度,在辉光放电前,先将沉积室温抽真空,保持50Pa压强;然后在辉光放电沉积过程的反应室中,通入少量N2O与硅烷作为非晶硅薄膜反应气体,同时掺杂比例低于百分之十的微量氧元素;对衬底进行加热,让上下平板间出现电容耦合式的气体放电,使氧原子在非晶硅中形成载流子复合中心,将氧原子掺杂入非晶硅薄膜中,形成含氧的氢化非晶硅。
  • 非晶硅光学薄膜折射率调节方法
  • [发明专利]聚酰亚胺钝化膜钝化制备工艺-CN201210566860.2无效
  • 邱月瓴;苏洁梅;刘期斌;刘从吉;周小燕;刘小会;王鸥;胡卫英 - 西南技术物理研究所
  • 2012-12-24 - 2013-07-17 - G03F7/00
  • 本发明提出的一种聚酰亚胺钝化膜制备工艺,旨在提供一种工艺可靠,返工几率低,合格率高,易于实现的硅基光电探测器芯片表面钝化膜的制备工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现:在曝光和显影工序步骤之间增加显影前检查、补正胶步骤,及时对曝光后的光刻胶进行检查,对钝化区域内正胶破损的芯片,用正胶覆盖针孔和破损处,然后放入85℃的烘箱烘10min后进入下步工艺。本发明在显影前增加了一步“镜检、补正胶”工艺,虽然光刻工艺的操作步骤增多了,但是工艺质量得到很好的控制,有效消除了产生的工艺针孔,使PI-5钝化膜制作工艺一次性合格率大幅提高,减少了返工的数量,降低了成本。
  • 聚酰亚胺钝化制备工艺
  • [实用新型]光敏芯片钝化结构-CN201220720861.3有效
  • 王鸥;邱月瓴;曾璞;刘小会;周红轮;胡卫英;刘从吉;罗成思 - 西南技术物理研究所
  • 2012-12-24 - 2013-06-12 - H01L31/0216
  • 本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧化硅钝化膜同P型隔离区氧化硅断开,用聚酰亚胺胶膜包裹P型隔离区氧化硅钝化膜,各个方向包裹了氧化硅钝化膜,形成完整包裹型双层钝化膜。本实用新型包含了聚酰亚胺与氧化硅薄膜,芯片表面保留氧化硅钝化膜,并同P型隔离区氧化硅断开,让聚酰亚胺胶包裹隔离区氧化硅,形成完整包裹型钝化膜,有效减少了离子污染。消除了器件在背景光照下输出干扰信号,减少了不合格品的数量,提高了器件性能。
  • 光敏芯片钝化结构
  • [实用新型]彩色定距绳-CN92214294.7无效
  • 陈明祥;刘从吉 - 射洪县农技站;四川省射洪县城北塑料厂
  • 1992-03-19 - 1992-09-23 - G01B3/02
  • 本实用新型是彩色定距绳,用延伸率小的绳带染成间距相等的不同色彩段,每1尺和每1丈长度处分别用另一种色彩作标记。具有简单、方便,易于推广应用;定距准确,能保证密度合理,定距栽种的植物行株距整齐一致,通风透光性好,提高农作物的产量;色泽鲜明,经久耐用;价格低廉等特点。适宜栽种水稻、玉米、棉花、油菜、蔬菜、树苗等植物使用。
  • 彩色定距绳

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