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[发明专利]正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法-CN201910904174.3有效
发明人：张树德;魏青竹;钱洪强;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
正面局域钝化接触太阳电池及其制备方法

[发明专利]硬掩膜的去除方法-CN202111573696.3在审
发明人：陈旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩膜的去除方法，包括：1)于基底上形成表面钝化层和硬掩膜层，在硬掩膜层中形成图形窗口；2)基于图形窗口刻蚀基底以在基底中形成凹槽结构，并于凹槽结构中填充绝缘材料层，绝缘材料层同时形成于硬掩膜层表面，绝缘材料层与硬掩膜层具有不同材料；3)研磨去除硬掩膜层顶面之上的绝缘材料层；4)采用干法刻蚀工艺刻蚀硬掩膜层和位于图形窗口内的绝缘材料层，以去除部分硬掩膜层和绝缘材料层；5)通过第一湿法刻蚀工艺去除剩余的硬掩膜层；6)通过第二湿法刻蚀工艺去除剩余的绝缘材料层和表面钝化层。本发明可有效解决由于湿法刻蚀工艺时间较长而在绝缘材料层中产生孔洞的问题。
硬掩膜去除方法

[发明专利]光掩模以及在其上制造保护层的方法-CN200380109153.X无效
发明人： L·迪厄;C·肖维诺 -专利权人：凸版光掩膜公司
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：公开了光掩模和用于在光掩模上制造保护层的方法。该方法包括将包含在衬底的至少一部分上形成的图形化层的光掩模置于一个腔内。将氧气引入该腔并使其靠近该图形化层，并将该光掩模暴露于辐射能量，该辐射能量可引起氧气和图形化层之间的反应以钝化该图形化层并防止清洗过程改变该图形化层的光学特性。
光掩模以及制造保护层方法

[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910078642.2有效
发明人：董敏 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，数据线上方形成有遮挡漏光区域的遮挡层。制造方法包括：形成包括栅线和栅电极的图形；形成包括数据线、漏电极、源电极和TFT沟道的图形；形成包括钝化层过孔的图形；沉积透明导电薄膜和遮光金属薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和遮挡层的图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接本发明通过在数据线上方形成遮挡层，当彩膜基板与阵列基板不能准确对位或受到外力冲击，遮挡层起到黑矩阵的遮光作用，可以完全阻挡正面漏光，有效阻挡侧面漏光。
tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201610727437.4有效
发明人：杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层和连接电极的步骤，其中：通过一次构图工艺形成包括所述栅极、所述源极、所述漏极、所述有源层和所述栅绝缘层的图形，通过一次构图工艺形成包括所述钝化层及其过孔的图形，并通过一次构图工艺形成包括所述连接电极的图形，使所述源极和所述漏极与所述有源层连接。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制造方法-CN201110095585.6有效
发明人：杨静 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制造方法，制造方法包括：步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层，通过第二次构图工艺形成半导体层的图形，半导体层上的沟道区域保留光刻胶；步骤3、在完成步骤2的基板上依次沉积欧姆接触层、透明导电层和源漏层，剥离掉半导体层上保留的光刻胶，形成沟道区域的图形；步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成欧姆接触层、像素电极、源电极、漏电极、数据线和钝化层的图形。
薄膜晶体管液晶显示器阵列及其制造方法

[发明专利]OLED面板及其制作方法-CN201710995248.X有效
发明人：刘兆松;徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该OLED面板包括：玻璃基板；TFT遮光层；缓冲层；半导体层；沉积在半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层；沉积于第一金属层上的层间绝缘层；沉积于层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。
沉积制作钝化层层间绝缘层第二金属层第一金属层图形化处理阳极半导体层储存电容发光层平坦层高介电常数材料阴极储存电容区域彩色滤光片像素限定层原子层沉积栅极绝缘层玻璃基板开孔结构面板开口缓冲层遮光层减小上经薄膜

[发明专利]用于形成闪耀光栅的方法-CN201910427560.8有效
发明人：胡绘钧;杨晓峰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请公开一种用于形成闪耀光栅的方法，所述方法包括：在光栅衬底上制备钝化层；在所述钝化层上形成多个钝化层沟槽，所述多个钝化层沟槽沿高度方向宽度相同且彼此等距离间隔开；将所述钝化层上的图形转移至所述光栅衬底
用于形成闪耀光栅方法

[发明专利]一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法-CN201910349983.2有效
发明人：袁声召;陈桂栋;崔艳峰;万义茂;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种用于正面接触钝化的双层钝化膜，所述双层钝化膜为掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜；本发明中的用于正面接触钝化的双层钝化膜，即掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜，结合图形化刻蚀工艺可大幅减少正面的吸光，刻蚀过程中，掺磷SiCx薄膜是极佳的刻蚀阻挡层，从而可以保护其下的金字塔不被破坏，刻蚀后，钝化区为隧穿氧化硅/掺磷SiCx叠层结构，仍可提供有效的接触钝化，SiCx薄膜由于其宽的光学带隙，寄生吸收少，
一种用于正面接触钝化双层及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201710058604.5在审
发明人：许志颖 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有多个芯片区域以及位于所述芯片区域之间的预切割道区域；在所述半导体晶圆正面形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层具有若干纵横交叉的沟槽以及被所述沟槽围绕的钝化块，所述沟槽露出部分所述预切割道区域的半导体晶圆表面；在所述沟槽内形成若干阻挡结构，所述阻挡结构至少与相邻的两个所述钝化块连接；在所述钝化层上形成胶带；对所述半导体晶圆进行背面减薄；去除所述胶带。
半导体器件半导体晶圆阻挡结构钝化层背面减薄芯片区域预切割道图形化胶带钝化制作半导体晶圆表面半导体晶圆正面沟槽侧面纵横交叉硅粉末良率去除芯片

[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法-CN201510531483.2有效
发明人：孔益;刘俊豪;薛红伟;徐青松;刘璐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，该阵列基板包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机膜层和钝化层，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述有机膜层和所述钝化层同时设置于所述显示区域和非显示区域，其特征在于，位于所述非显示区域的有机膜层和钝化层上设置有贯通所述有机膜层和钝化层的沟槽，所述沟槽为围绕所述显示区域设置的封闭图形，所述沟槽用于填充密封材料。采用上述结构的阵列基板，在后续的高温蒸煮试验过程中，即使有机膜层和/或钝化层出现裂纹，由于沟槽中填充的密封材料的阻隔，水汽也不会进入显示区域。
一种阵列显示面板显示装置制作方法

[发明专利]基于ScAlN双沟道异质结结构的GaN射频器件及其制备方法-CN202110224747.5在审
发明人：马晓华;宓珉瀚;韩雨彤;周雨威;张濛;侯斌;祝杰杰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于ScAlN双沟道异质结结构的GaN射频器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长双沟道GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对顶层的GaN基异质结的势垒层进行图形化刻蚀，形成源极区域图形化凹槽和漏极区域图形化凹槽；S3：在源极区域图形化凹槽和漏极区域图形化凹槽淀积金属，形成源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属；S4：在未被金属覆盖的顶层的GaN基异质结的势垒层上淀积钝化层；S5：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀本发明的方法，在制作欧姆接触时采用图形化欧姆接触的制作方法，降低了双沟道异质结的欧姆接触电阻。
基于 scaln 沟道异质结结构 gan 射频器件及其制备方法

[发明专利]一种金属化硅通孔的制备方法、金属化硅通孔及滤波器-CN202211059901.9有效
发明人：王矿伟;钱盈;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州臻芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该金属化硅通孔的制备方法包括提供衬底；在衬底的表面形成硅通孔；对硅通孔进行金属化处理，以在硅通孔内形成导电层，其中，导电层延伸至衬底的表面；在衬底表面设置有导电层的一侧形成钝化层；对钝化层进行图形化，以在钝化层形成第一开口结构，其中，第一开口结构包括第一子开口结构，第一子开口结构和硅通孔连通；对钝化层进行坚膜处理。本申请实施例提供的技术方案，避免了钝化层在坚膜处理过程中，钝化层在金属化硅通孔内挥发的气体的作用下出现鼓起或者破裂的现象，进而提高了钝化层和滤波器的良率。
一种金属化硅通孔制备方法滤波器

[发明专利]一种基于金属化通孔衬底技术的电化学敏感芯片及其制备方法-CN202210830391.4有效
发明人：孙铭锐;金建东;马秀芬 -专利权人：广东芯阅科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属化通孔衬底技术的电化学敏感芯片及其制备方法，敏感芯片包括开设有金属化通孔的衬底和微电极，微电极通过覆盖通孔金属化的位置，与所述金属化通孔进行电连接，制备方法包括以下步骤：在衬底上形成第一钝化层，并沉积第一金属层，完成图形化制作；在衬底裸露位置制作出通孔；在衬底及通孔内壁上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成金属种子层；电镀铜层，填充通孔；抛光衬底；在衬底上沉积第三和第四钝化层；在衬底上表面对应通孔的位置，去除第三和第四钝化层；在衬底上表面制作出微电极；在衬底下表面对应通孔的位置，去除第三钝化层和第四钝化层，得到芯片。
一种基于金属化衬底技术电化学敏感芯片及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201610840239.9在审
发明人：任兴凤;刘国全 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，栅极金属图形包括栅极引线；钝化层上设置有公共电极，公共电极与栅极引线电连接；公共电极上设置有金属层。本发明解决了对金属层进行剥离时，会使栅极引线受损，导致阵列基板在使用过程中线不良高发的问题，实现了保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。本发明用于阵列基板的制造。
阵列及其制造方法显示装置

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