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[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202210442069.4在审
发明人：曲晓东;陈凯轩;崔恒平;赵斌;杨克伟;江土堆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
一种垂直结构 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种垂直结构LED芯片-CN202220968167.7有效
发明人：曲晓东;陈凯轩;崔恒平;赵斌;杨克伟;江土堆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
一种垂直结构 led 芯片

[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN201110136011.9有效
发明人：张学辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：在玻璃基板上沉积一层透明导电薄膜和一层源漏金属薄膜，并进行第一次构图工艺，形成第一像素电极图形、源电极图形、漏电极图形和数据线图形；进行第二次构图工艺，形成有机半导体层薄膜图形和栅绝缘层薄膜图形；沉积一层钝化层薄膜，并进行第三次构图工艺，形成数据线接口区域；沉积一层透明导电薄膜和栅极金属薄膜，并进行第四次构图工艺，形成第二像素电极图形、栅电极图形和栅线图形
一种有机薄膜晶体管阵列及其制作方法

[实用新型]阵列基板及包括该阵列基板的显示装置-CN201220013681.1有效
发明人：宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：为解决因像素内部各层的断差导致无法对液晶分子进行驱动，以及因向错引起漏光并使对比度劣化的问题，本实用新型在薄膜晶体管区域中形成有栅极、源极、漏极、栅绝缘层、有源层以及钝化层，在像素电极图形区域中形成栅绝缘层、像素电极、钝化层以及公共电极，且在钝化层与公共电极之间形成有彩色树脂层。通过上述方案，由于在TFT-LCD面板上的钝化层上部形成了有利于平坦化的彩色树脂层，从而可以适合水平驱动的方式来尽量降低漏光，提高面板的对比度、开口率并降低生产成本。
阵列包括显示装置

[发明专利]垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法-CN202010387480.7有效
发明人：周闯杰;何泽召;郭建超;蔚翠;张雄文;高学栋;刘庆彬;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在重掺杂P型金刚石衬底的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和垂直沟道；光刻出源区图形窗口，淀积源极金属，形成源电极；在重掺杂P型金刚石衬底的背面淀积漏极金属，形成漏电极；沉积栅极钝化层；光刻出栅形貌，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积器件钝化层；光刻制作电极图形。本发明采用P+/P‑/P+结构形成开关器件，在高掺杂p型金刚石衬底的背面形成漏极欧姆接触；中间缓冲层采用低掺杂p型金刚石，栅极采用肖特基接触，提高了开关频率。
垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管制备方法

[实用新型]图像传感器件-CN201420256545.4有效
发明人：赖芳奇;张志良;吕军;陈胜 -专利权人：苏州科阳光电科技有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开一种图像传感器件，包括图像传感芯片、透明盖板，此图像传感芯片的上表面具有感光区，透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，钝化层与图像传感芯片相背的表面具有金属导电图形层，一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面，此防焊层上开有若干个通孔，一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接，支撑围堰与图像传感芯片接触的表面均匀设有若干凹孔。
图像传感器

[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶显示装置-CN201410272714.8在审
发明人：刘圣烈;宋泳锡;金熙哲;崔承镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明的阵列基板制备方法包括：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形，该栅绝缘层不超出栅极和栅线上方；形成钝化层，并在钝化层中形成与半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层
阵列及其制备方法液晶显示装置

[发明专利]基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法-CN202011627341.3在审
发明人：马晓华;芦浩;侯斌;杨凌;司泽艳;杜佳乐;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取外延基片并进行清洗，外延基片自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层和势垒层；在外延基片有源区边缘刻蚀台面至缓冲层，形成有源区域隔离；在势垒层上刻蚀图形化阵列凹槽，并在图形化阵列凹槽中沉积合金欧姆金属形成欧姆预沉积层；在势垒层上形成源电极和漏电极，源电极和漏电极位于欧姆预沉积层上方；在势垒层、源电极和漏电极上形成钝化层；在源电极与漏电极之间的势垒层上形成梯形形状的栅电极；制作背通孔，并在背通孔中形成完成源电极互联层和钝化层。该功率器件采用欧姆预沉积层和带有倾斜场板的栅极，减小接触电阻，改善沟道电场分布。
基于金工氮化功率射频器件及其制备方法

[实用新型]一种石墨烯辅助GaN整流器-CN201922389503.3有效
发明人：李国强;李筱婵 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：该整流器包括外延片，分别设置在外延片上表面两侧且不互联的初级肖特基电极和初级欧姆电极，设置在初级肖特基电极和初级欧姆电极上方的石墨烯层，设置在石墨烯层上的金属层，设置在肖特基电极部分金属层上的肖特基金属层，设置在欧姆电极石墨烯层上金属层同肖特基电极部分肖特基金属层上方的图形化钝化层，设置在图形钝化层开口处的顶电极层；所述肖特基金属层将初级肖特基电极、初级肖特基电极上方的石墨烯层和金属层裸露在空气处所有区域包裹在内
一种石墨辅助 gan 整流器

[发明专利]显示用红色LED直接焊接晶片的制备方法和晶片-CN201410678056.2有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人：环视先进数字显示无锡有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示用红色LED直接焊接晶片的制备方法和晶片，包括对衬底的正面和背面都进行第一图形化处理；依次进行N型外延层和P型外延层生长；进行N区光刻和刻蚀，在第一图形化区域内露出N型外延层；淀积电流阻挡层；进行电流阻挡层光刻和图形化刻蚀；淀积电流扩散层；进行电流扩散层光刻和图形化刻蚀，在第二图形化区域内露出P型外延层，并在第三图形化区域内露出N型外延层；预退火后，进行金属层光刻和图形化刻蚀；灰化后，进行金属蒸镀；剥离后，在第二图形化区域和第三图形化区域上形成两个电极；进行衬底激光剥离，对剥离后露出的N型外延层表面进行钝化层淀积；退火后得到显示用红色LED直接焊接晶片。
显示红色 led 直接焊接晶片制备方法

[发明专利]用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法-CN201010608360.1无效
发明人：张永刚;顾溢 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法，包括：(1)应用分子束外延生长技术，在导电衬底上生长缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层的外延结构，然后连续生长一层铍高掺杂或δ掺杂的异质窄禁带薄层作为扩散源层；(2)用常规图形加工工艺刻蚀扩散源层形成局部掺杂源图形，在钝化介质膜的保护下应用扩散技术形成pn结，扩散温度为450-600℃；然后制作电极构成光电探测单元或焦平面器件。本发明的方法具有普适性，简单，掺杂成结工艺结合了光电探测器件制作中台面型原位掺杂成结工艺成结方便和平面型扩散成结工艺钝化效果好的优点，简化器件工艺和提高器件的性能。
分子外延方法制作光电探测单元平面器件

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN202020448454.6有效
发明人：孙学军;刘翔;杨松;李广圣 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、阻挡图形、含有Cu元素的源极和漏极、保护图形以及钝化层；其中，栅极绝缘层覆盖栅极，阻挡图形、含有Cu元素的源极和漏极、以及保护图形均设置在金属氧化物半导体图形的上方，阻挡图形、所含有Cu元素的源极和漏极、以及保护图形在衬底基板上的投影重合，且源极和漏极之间具有沟道区域；保护图形的材料包括本实用新型能够防止源极和漏极中的Cu被含有SiOx的膜层氧化，提高阵列基板的可靠性。
阵列显示面板

[发明专利]一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法-CN201310299820.0无效
发明人：姬常晓;刘文峰;成文 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法，该方法先在硅片背面经抛光后制备致密的Al2O3和SiNx双层叠层钝化膜，并退火处理获得较好的钝化性能，取代常规铝背场P+层的场钝化方式；在镀正面SiNx膜前，采用恰当浓度酸性清洗液清洗，提高前表面的钝化效果；然后在电池背面按照设计好的图形开膜，制备出电极局域接触窗口；最后印刷铝浆使铝浆填充进电极窗口，通过烧结形成接触效果较好的铝硅合金背电极。本发明制备的电池可以提高背面钝化效应和光的内背反射率，即提高开路电压和短路电流，从而提高电池效率。
一种局域背面钝化晶体电池制备方法

[实用新型]一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构-CN201720296580.2有效
发明人：赵科雄 -专利权人：隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构，P型晶体硅片从上而下依次包括透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、金属层和背面正极，P型晶体硅片上设有通孔，通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极，N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，透明导电膜依次穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极接触，将电池正面汇集的电子导至电池背面，金属层穿透背面钝化膜与P型硅基体形成局部欧姆接触避免了正面金属电极光遮挡，通过背面的钝化膜防止电极卷绕后漏电，显著提升P型晶体硅电池的转换效率。
一种正面晶体接触电池结构

[发明专利]n型双面太阳电池的制备方法-CN201711050570.1在审
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种n型双面太阳电池的制备方法，对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理；在硅基底背面进行发射极的制备；进行绝缘处理；在硅基底正面进行前表面场制备；受光面的钝化及减反射膜制备，以及背面钝化层制备；在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；进行第一热处理过程；进行第二热处理过程。该方法形成的接触电阻较常规方法更低，表面钝化膜经过第二热处理后也具有更好的钝化性能，工艺流程较为简单。并且发射极置于太阳电池的背面，因此在太阳电池正面的减反射膜的制备时，并不需要太多限制，在背面发射极表面的钝化层设计时，可以不用顾忌光透过率的影响，可以在背面将钝化做到最佳。
双面太阳电池制备方法