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[发明专利]一种钙钛矿异质结及其制备方法-CN202310199928.6在审
发明人：张伟;邹政;肖梓杰;钟健斌;关伯瑛;刘翠红 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件技术领域，尤其是涉及一种钙钛矿异质结及其制备方法，该钙钛矿异质结包括窄带隙钙钛矿单晶和宽带隙钙钛矿单晶，且宽带隙钙钛矿单晶负载在窄带隙钙钛矿单晶的表面；其中，窄带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.21eV‑2.34eV，宽带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.91eV‑3.29eV。本发明的钙钛矿异质结结构为宽带隙钙钛矿单晶包裹窄带隙钙钛矿单晶，因外层钙钛矿的带隙较宽，其吸光波长范围相比于内层窄带隙钙钛矿更窄，因此仅需选择合适波段的激光激发，便能避免外层钙钛矿信息的干扰而直接获取内层钙钛矿信息同时，因外层钙钛矿可以起到保护内层钙钛矿的作用，可在一定程度上钝化内部钙钛矿的表面缺陷并隔绝工作环境中水蒸气及氧气的影响。
一种钙钛矿异质结及其制备方法

[发明专利]一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法-CN202110156359.8在审
发明人：孙文红;王玉坤;李磊 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光电材料技术领域，提供了一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法，包括：配制钙钛矿过饱和溶液；将钙钛矿过饱和溶液进行过滤，并将过滤后的钙钛矿过饱和溶液以预设升温速度升温至最大阈值温度，析出钙钛矿单晶；将析出的钙钛矿单晶颗粒作为籽晶，并置于重新配制的钙钛矿过饱和溶液中培养，生长得到大尺寸钙钛矿单晶。本发明利用钙钛矿饱和溶液逆溶解度特性生长大尺寸钙钛矿单晶，无需复杂的生长设备，生长工艺简单，设备成本低，且生长得到的钙钛矿单晶晶体的尺寸大质量高，有利于促进钙钛矿单晶光电器件的大规模应用。
一种生长尺寸钙钛矿单晶方法

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件-CN201810300842.7有效
发明人：赵晋津;张颖;李韶华;聂国权;刘金喜;欧云;孔国丽;张存;刘正浩;董晓琳;吴竞伟;王婕 -专利权人：石家庄铁道大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法及器件，该方法包括：将有机金属卤化物ABX3单晶颗粒和有机卤化物AX固体粉末充分混合研磨成前驱体钙钛矿混合物；将前驱体钙钛矿混合物布满第一载流子传输层，使其液化并发生化学反应，形成液相钙钛矿薄膜；对液相钙钛矿薄膜进行加压、退火处理获得钙钛矿单晶薄膜；在钙钛矿单晶薄膜上表面依次制备第二载流子传输层和金属电极，制备成太阳能电池本发明通过将单晶钙钛矿颗粒液化，并对液相钙钛矿进行处理获得钙钛矿单晶薄膜，有效缩短钙钛矿单晶薄膜的制备周期，简化制备工艺，从而缩短钙钛矿单晶薄膜太阳能电池的制备时间，实现钙钛矿混合物的重复利用，节约成本
一种钙钛矿单晶薄膜太阳能电池制备方法器件

[发明专利]外延生长有机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法-CN201811483408.3在审
发明人：赵晋津;张颖;欧云;钟高阔;刘金喜;刘正浩;李明;吴竞伟;赵泽文;贾春媚;苏晓 -专利权人：石家庄铁道大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法，涉及外延生成单晶钙钛矿薄膜技术领域。本发明通过运用毛细管力和温度梯度，在晶格匹配单晶基底片上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜，从而控制钙钛矿晶体的形貌，使单晶钙钛矿薄膜与单晶基底片晶格匹配，提高单晶钙钛矿薄膜的质量。与现有技术相比，本发明操作简单，薄膜形貌和厚度可控，容易获得与单晶基底片晶格匹配的优质单晶薄膜；同时，单晶钙钛矿薄膜生长周期短，降低了成本。
单晶钙钛矿薄膜单晶薄膜晶格匹配钙钛矿基底片厚度可控制备无机金属卤化物有机金属卤化物形貌钙钛矿晶体薄膜形貌毛细管力生长周期外延生长温度梯度优质单晶原位生长薄膜

[发明专利]一种钙钛矿单晶的制备方法-CN202210965230.6在审
发明人：唐江;牛广达;胡浩 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B7/04 文献下载
摘要：本申请涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种钙钛矿单晶的制备方法，所述方法包括将钙钛矿材料前驱体与有机溶剂以及纯水混合，获取钙钛矿溶液；在所述钙钛矿溶液中加入钙钛矿籽晶；挥发所述钙钛矿溶液，获取所述钙钛矿单晶通过本申请提供的方法，制备过程中，溶质利用率高，得到的单晶质量高、尺寸大，从而满足工业对钙钛矿单晶质量和尺寸的需求。
一种钙钛矿单晶制备方法

[发明专利]全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法-CN201910906932.5在审
发明人：杨斌;李俊驰 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器，其包括钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧相对设置的电极，所述钙钛矿单晶的分子式为Cs
钙钛矿单晶无机卤素载流子迁移率钙钛矿薄膜载流子寿命相对设置制备过程电极多晶

[发明专利]一种钙钛矿单晶的制备方法-CN201911052893.3有效
发明人：王春雷;瞿俊峰;徐淑宏 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿单晶的制备方法，所述的钙钛矿单晶为CsPbBr3钙钛矿单晶或CsPb2Br5钙钛矿单晶，所述钙钛矿单晶形貌为片状或棒状，该制备方法包括以下步骤：清洗单晶生长基底：将基片分别用丙酮、70%~80%乙醇和去离子水分别超声15~30分钟，取出后置于烘箱内过夜干燥L，PbBr2浓度为0.06mol/L~0.3mol/L,得到钙钛矿前驱体溶液；3）制备钙钛矿单晶：将钙钛矿前驱体溶液预热至80~95℃后滴在基底上，将溶剂除去，得到钙钛矿单晶。该方法操作简单、操作工艺难度低，且钙钛矿单晶的组分和形貌均可调。
一种钙钛矿单晶制备方法

[发明专利]一种基于双钙钛矿单晶的紫外光探测器及制备方法-CN202011152593.5有效
发明人：范建东;包云开;李闻哲;袁雅暄;张阳奕;孟啸 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于双钙钛矿单晶的紫外光探测器及制备方法。该基于双钙钛矿单晶的紫外光探测器包括基板、双钙钛矿单晶、电极和导电金丝，双钙钛矿单晶是通过A、BⅠ、BⅡ、X位组合成的双钙钛矿单晶，其中，A＝Ag‑EN2，BⅠ本发明通过用A2BⅠBⅡX6结构的双钙钛矿材料代替传统钙钛矿材料制作双钙钛矿单晶紫外光探测器，解决了传统钙钛矿中铅的生物毒性带来的问题
一种基于双钙钛矿单晶紫外光探测器制备方法

[发明专利]用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结及其构筑方法-CN202310632395.6在审
发明人：张龙振;贺宁芳;吴小超;李庆奎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
用于直接射线探测器钙钛矿异质结及其构筑方法

[发明专利]一种高效钙钛矿单晶光探测器及其制备方法-CN201610364976.6有效
发明人：刘生忠;刘渝城;杨周 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种高效钙钛矿单晶光探测器及其制备方法，高效钙钛矿单晶光探测器包括钙钛矿单晶及在钙钛矿单晶上设有的叉指电极，所制备的单晶钙钛矿光探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长；光探测器的制备工艺简单从而促进对钙钛矿单晶材料的有效利用，同时可实现对现有的多晶钙钛矿薄膜光探测器的替代，并将产生光探测器应用的新技术革新。
一种高效钙钛矿单晶光探测器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿单晶的光学加工系统及应用-CN201810301665.4在审
发明人：于伟利;邢军;郭春雷 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供的钙钛矿单晶的光学加工系统，包括：激光光源、数值孔径、衰减器、物镜、三维平移台、电荷耦合器件及计算机，所述飞秒激光光源出射的飞秒激光光束依次经所述数值孔径、衰减器及物镜后聚焦于所述三维平移台上的钙钛矿单晶表面，并对所述钙钛矿单晶表面进行微加工处理，得到荧光显著增强的钙钛矿单晶，所述电荷耦合器件可将所述微加工处理过程传输至所述计算机，本发明提供的钙钛矿单晶的光学加工系统，通过控制相关激光加工参数，来实现钙钛矿单晶表面多种形貌的诱导刻蚀，基于降低钙钛矿单晶表面陷阱密度和改变钙钛矿单晶表面态的原理来实现荧光特性的显著增强。
钙钛矿单晶表面单晶光学加工电荷耦合器件数值孔径衰减器微加工物镜飞秒激光光束飞秒激光光源激光加工参数三维平移台形貌激光光源三维平移荧光特性计算机出射刻蚀荧光诱导聚焦陷阱传输应用

[发明专利]一种钙钛矿单晶体的制备方法-CN201911307517.4有效
发明人：赵丽;黄诣敏;董兵海;王世敏;李文路;李矜 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：一种钙钛矿单晶体的制备方法，属于钙钛矿晶体技术领域。钙钛矿单晶体的制备方法包括将钙钛矿前驱体和溶剂混合均匀得到澄清液体，升温至出现黑色浑浊，记录出现黑色浑浊的温度为结晶温度，降温直至黑色浑浊完全消失，再次升温至结晶温度结晶并于结晶温度保温结晶后固液分离得到钙钛矿单晶体本申请以较快速率升温能够用于找钙钛矿单晶体的结晶温度，其中出现黑色浑浊的温度即为结晶温度，在此结晶温度下结晶得到的钙钛矿单晶体的晶体较大，且结晶过程较易控制。在升温过程中出现的黑色浑浊为细小的钙钛矿晶体颗粒，降温能够使细小的结晶的钙钛矿晶体颗粒溶解，溶液重新变得澄清后，再以较慢的速率升温至结晶温度能够结晶得到较大的钙钛矿单晶体。
一种钙钛矿单晶体制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X-射线探测器及其制备方法-CN201911244055.6有效
发明人：林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X‑射线探测器及其制备方法。该X‑射线探测器包括空穴传输层、钙钛矿单晶颗粒复合膜、电子传输层、界面修饰层和电极，其中钙钛矿单晶颗粒复合膜为钙钛矿单晶与多醇或聚合物的复合膜，膜厚为30～200μm，钙钛矿单晶为甲胺铅溴盐钙钛矿单晶。其制备为：制备甲胺铅溴盐钙钛矿单晶，粉碎和筛分后均匀分散在多醇类或聚合物溶液中，然后旋涂在空穴传输层或电子传输层上，退火后制得钙钛矿单晶颗粒复合膜；在所得复合膜表面沉积电子传输层或空穴传输层、界面修饰层和电极即得基于钙钛矿单晶颗粒复合膜
一种基于钙钛矿单晶颗粒复合射线探测器及其制备方法

[发明专利]基于二维钙钛矿单晶的LED及其制备方法-CN202010347661.7有效
发明人：蒋小强;何云;许剑;刘桂芝 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二维钙钛矿单晶的LED及其制备方法，二维钙钛矿单晶复合结构包括M≥2个堆叠的二维钙钛矿单晶；二维钙钛矿单晶包括N≥2层二维钙钛矿单层；二维钙钛矿单层包括n层共角卤化铅八面体、n‑1层有机配体A及2层有机配体B，n≥1，二维钙钛矿单层的化学式为B2An‑1PbnX3n+1，X为卤族元素，有机配体B的碳原子数大于有机配体A；同一个二维钙钛矿单晶中的二维钙钛矿单层具有相同的n值，且远离电子注入层的二维钙钛矿单晶中的n值大于临近电子注入层的二维钙钛矿单晶的
基于二维钙钛矿单晶 led 及其制备方法

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