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[发明专利]掩膜板贴合装置以及其贴合方法-CN201711080476.0有效
发明人：戚海平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜板贴合装置以及其贴合方法，涉及有机发光显示技术领域，用于提高金属掩膜与掩膜框架之间进行焊接时贴合的紧密性。本发明的主要技术方案为：一种掩膜板贴合装置，包括：本体，所述本体上具有压合单元，所述压合单元上具有出气口，所述出气口用于朝向掩膜板的贴合区域喷出压合气体。本发明主要用于使金属掩膜和掩膜框架之间进行贴合。
掩膜板贴合装置及其方法

[实用新型]掩膜板贴合装置-CN201721468140.7有效
发明人：戚海平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜板贴合装置，涉及有机发光显示技术领域，用于提高金属掩膜与掩膜框架之间进行焊接时贴合的紧密性。本实用新型的主要技术方案为：一种掩膜板贴合装置，包括：本体，所述本体上具有压合单元，所述压合单元上具有出气口，所述出气口用于朝向掩膜板的预设位置喷出压合气体。本实用新型主要用于使金属掩膜和掩膜框架之间进行贴合。
掩膜板本实用新型贴合装置金属掩膜压合单元出气口贴合掩膜有机发光显示预设位置紧密性喷出压合焊接

[发明专利]一种小尺寸磁性随机存储器的制作方法-CN201711404429.7在审
发明人：刘少鹏 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸磁性随机存储器的制作方法，先在衬底上依次沉积MTJ堆栈、金属硬掩膜层和牺牲层；然后在牺牲层上刻蚀由上而下逐渐向内倾斜的开口，开口从牺牲层的顶部直到金属掩膜层，底部的宽度为预设要制作的MTJ单元的特征尺寸，在开口中填充第二硬掩膜层，并通过化学机械抛光第二硬掩膜层和牺牲层到预定的高度，对第二硬掩膜层和牺牲层进行刻蚀，同时做角圆滑处理，刻蚀出第二硬掩膜层圆柱体，并移除牺牲层，做出点阵图形；最后以第二硬掩膜层作为掩膜对金属掩膜层进行刻蚀，然后以金属硬掩膜层作为上电极，对MTJ进行刻蚀，完成制作。
牺牲层硬掩膜层刻蚀制作磁性随机存储器金属硬掩膜层金属掩膜层开口化学机械抛光尺寸点阵点阵图形圆滑处理光刻机电极衬底堆栈向内掩膜移除预设沉积填充生产成本

[发明专利]掩膜感知布线及所产生的设备-CN201510266348.X有效
发明人：袁磊;J·桂;H·J·莱文森 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及掩膜感知布线及所产生的设备，其中，揭示根据掩膜设计规则而用于布线金属布线层的方法及所产生的设备。具体实施例可包括在半导体设计布局中布设连续金属线，并且藉由处理器，基于切割或阻隔掩膜设计规则，根据切割或阻隔掩膜的置放，使用连续金属线对金属布线层进行布线。
感知布线产生设备

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201310259951.6有效
发明人：曹轶宾;赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下至上依次形成介质层、金属硬掩膜层和介质硬掩膜层，所述介质硬掩膜层包括碳原子和氮原子中的至少一种以及硅原子；在所述介质硬掩膜层中形成两个以上第一开口；在相邻所述第一开口之间的介质硬掩膜层中形成第二开口；以所述介质硬掩膜层为掩模，沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属硬掩膜层和所述介质层，直至在所述介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在所述刻蚀结构中填充满金属材料，并去除剩余的所述金属硬掩膜层和所述介质硬掩膜层。
半导体器件形成方法

[发明专利]电容阵列的制备方法-CN202211718171.9在审
发明人：慎志轩;吴雨珊 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：该方法包括：沉积一牺牲层于一底部电极上；沉积一绝缘层于牺牲层上；形成一多晶硅硬掩膜于绝缘层上；蚀刻通过多晶硅硬掩膜中的多个开口暴露出来的绝缘层和牺牲层以形成多个通道；沉积一金属膜于多晶硅硬掩膜上和该些通道中；沉积一钝化膜于金属膜上；进行一第一移除制程以移除多晶硅硬掩膜之上的部分钝化膜和金属膜；进行一第二移除制程以移除通过钝化膜和金属膜暴露出来的部分多晶硅硬掩膜；进行一第三移除制程以移除多晶硅硬掩膜和围绕多晶硅硬掩膜的部分钝化膜和金属膜；从绝缘层和牺牲层移除钝化膜和金属膜；沉积一导电材料于该些通道中并与绝缘层和牺牲层接触；移除牺牲层；以及形成一顶部电极于绝缘层上。
电容阵列制备方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202010062290.8在审
发明人：王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克;罗晓菊 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法：包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成氮化物缓冲层；于氮化物缓冲层上形成多层图形化掩膜层，所述多层图形化掩膜层中的底层图形化掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物及金属氮化物中的至少一种，顶层图形化掩膜层为图形化金属掩膜层。本发明有利于多层图形化掩膜层上形成的氮化镓层的自剥离；保证在多层图形化掩膜层上形成的氮化镓层的质量；不会存在金属掩膜层处剥离存在的在剥离过程中只能实现部分剥离而造成裂片，从而影响氮化镓层的质量的问题。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]一种金属掩膜版的伴洗治具及清洗方法-CN202310458582.7在审
发明人：蔡则凡;张蔡星;李成林 -专利权人：江苏高光半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本发明提出的一种金属掩膜版的伴洗治具及清洗方法，涉及金属掩膜版清洗领域。清洗方法步骤包括：准备上述的伴洗治具；将伴洗治具与掩膜版共同浸没在清洗池中的清洗液内；优选地，将伴洗治具水平置于掩膜版下方，掩膜版水平置于伴洗治具的上方，或者掩膜版竖立置于伴洗治具的上方；清洗。将本发明应用于金属掩膜版的清洗，能够优化金属掩膜版清洗的效率和效果，降低清洗液的更换频次以及更换清洗液所投入的成本。
一种金属掩膜版伴洗治具清洗方法

[发明专利]一种液压式金属掩膜版框、掩膜版组件及其调节方法-CN202210356434.X在审
发明人：钱超;李成林;张蔡星;杨柯 -专利权人：江苏高光半导体材料有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提出的一种液压式金属掩膜版框、掩膜版组件及其调节方法，涉及金属掩膜版领域。液压式金属掩膜版框包括液压框，液压框框体内部具有液体腔，液体腔内填充液压介质，液压框框体的外侧面上分布有若干活塞孔，活塞孔内均装有与之相适配的活塞推杆，液压框上还具有至少一个调节孔，调节孔与液体腔连通，掩膜版组件包括上述液压式金属掩膜版框和金属掩膜版。本发明能够抑制掩膜网面的下垂，提高产品质量。
一种液压式金属掩膜版框掩膜版组件及其调节方法

[发明专利]一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构及其制作方法-CN201510348146.X有效
发明人：谢慧琴;陈靖;丁蕾;刘凯;王立春 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构及其制作方法，该结构包括实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物；其中实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体；金属屏蔽层为包围实心金属通柱的环形金属屏蔽层；金属氧化物为实心金属通柱和金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。该方法包括第一次光刻在一基板上下表面形成垂直互连结构的图形掩膜；进行致密型阳极氧化；去除垂直互连结构的图形掩膜，第二次光刻在基板上下表面形成实心金属通柱的图形掩膜和金属屏蔽层的图形掩膜；进行穿透型阳极氧化；去除实心金属通柱的图形掩膜和金属屏蔽层的图形掩膜。
一种具有电磁屏蔽效能垂直互连结构及其制作方法

[发明专利]一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法-CN201310012319.1有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法。包括对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在表面上淀积一层隔离氧化层;淀积一层金属硬掩膜;将金属硬掩膜刻蚀出开口;在金属硬掩膜上涂抹光刻胶，并刻蚀掉金属硬掩膜开口上方的光刻胶；进行深通孔刻蚀至逻辑晶圆顶层金属上覆盖的氮化硅层;清除深通孔刻蚀后剩余金属硬掩膜;对通孔进行底部抗反射介质填充,并对所述底部抗反射介质进行刻蚀;使用光刻确定沟槽刻蚀的沟槽尺寸;进行沟槽刻蚀,至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属。在使用本发明方法能通过金属硬掩膜方法有效解决现有技术中背照式影像传感器由于其尺寸小而造成制作困难的问题。
一种金属硬掩膜制造影像传感器方法

[发明专利]一种金属硬掩膜及其制作和使用方法-CN201910862501.3在审
发明人：刘庆鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种金属硬掩膜及其制作和使用方法，将氮化钛和氮化钽按质量比为1:2至1:3混合；利用反应磁控溅射方法将混合后的所述氮化钛和氮化钽进行调制；调制成膜厚为100埃至200埃的金属硬掩膜。本发明通过调制制作含有氮化钛和氮化钽的金属硬掩膜，使用其作为新的刻蚀硬掩膜材料，代替传统氮化钛薄膜，可以降低刻蚀时使用的掩膜层厚度，提高金属硬掩膜的硬度和均匀度，在相同光阻厚度条件下变相增加刻蚀空间，增加工艺窗口宽度
硬掩膜氮化钛氮化钽金属刻蚀调制反应磁控溅射氮化钛薄膜硬掩膜材料工艺窗口厚度条件刻蚀空间均匀度掩膜层质量比光阻良率膜厚制作

[发明专利]一种蒸镀遮罩结构和蒸镀遮罩结构免清洗的工艺方法-CN202010704199.1在审
发明人：温质康;林佳龙;乔小平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种蒸镀遮罩结构和蒸镀遮罩结构免清洗的工艺方法，包括金属掩膜板，金属掩膜板的非镂空区域的一侧面上依次层叠设有可剥离的有机物层和蒸镀薄膜层，有机物层分别与金属掩膜板和有机薄膜层接触，外设的玻璃基板位于蒸镀薄膜层的上方，外设的蒸发源位于金属掩膜板的下方，通过在金属掩膜板的非镂空区域的一侧面上依次层叠设置可剥离的有机物层和蒸镀薄膜层，这样使得能够使用激光剥离装置对金属掩膜板上的有机物层进行剥离，得到一个全新干净的金属掩膜板，再通过涂布机重新涂布有机物层，进行重复利用，免去清洗的步骤，提高了工业效率，为企业节省开支。
一种蒸镀遮罩结构清洗工艺方法

[发明专利]一种用于金属掩膜板清洗机的吊具-CN201811523741.2在审
发明人：唐军 -专利权人：湖北浚山光电有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B66C1/10 文献下载
摘要：本发明涉及金属掩膜板清洗技术领域，具体是一种用于金属掩膜板清洗机的吊具，包括矩形框架，矩形框架顶部装有与机械手配合的悬挂横杆，矩形框架底部内侧装有用于固定金属掩膜板的脚垫，矩形框架一侧面内部装有两根竖直的固定杆，两根竖直的固定杆之间的距离小于金属掩膜板的宽度，两根竖直的固定杆上还装有水平的支撑条，支撑条上装有一排若干个固定夹，所述固定夹包括固定安装在支撑条上的底座，底座顶部铰接有一把手，把手中间铰接有一根压条，压条末端装有可压紧金属掩膜板的橡胶垫；本发明装夹金属掩膜板固定可靠，装载或拆卸时不会划伤或磕碰金属掩膜板。
一种用于金属掩膜板清洗

[实用新型]一种用于金属掩膜板清洗机的吊具-CN201822090985.8有效
发明人：唐军 -专利权人：湖北浚山光电有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B66C1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属掩膜板清洗技术领域，具体是一种用于金属掩膜板清洗机的吊具，包括矩形框架，矩形框架顶部装有与机械手配合的悬挂横杆，矩形框架底部内侧装有用于固定金属掩膜板的脚垫，矩形框架一侧面内部装有两根竖直的固定杆，两根竖直的固定杆之间的距离小于金属掩膜板的宽度，两根竖直的固定杆上还装有水平的支撑条，支撑条上装有一排若干个固定夹，所述固定夹包括固定安装在支撑条上的底座，底座顶部铰接有一把手，把手中间铰接有一根压条，压条末端装有可压紧金属掩膜板的橡胶垫；本实用新型装夹金属掩膜板固定可靠，装载或拆卸时不会划伤或磕碰金属掩膜板。
金属掩膜板矩形框架固定杆支撑条竖直压条本实用新型固定夹清洗机吊具铰接机械手底座顶部固定金属清洗技术悬挂横杆橡胶垫掩膜板磕碰划伤脚垫压紧装夹拆卸底座装载把手侧面配合