“金属掩膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2199221个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高精度金属掩膜板及制造方法、高精度金属掩膜装置-CN201810327409.2在审
发明人：高志豪 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种高精度金属掩膜板及制造方法、高精度金属掩膜装置。所述高精度金属掩膜板包括：至少一显示遮挡区，所述显示遮挡区包括多个开口以及环绕所述开口的非开口区；以及非显示遮挡区，环绕所述显示遮挡区，其中，所述非显示遮挡区包括至少一第一掩膜强化区，所述第一掩膜强化区的板厚大于所述非开口区的板厚该高精度金属掩膜板可以使具有较高的精度的同时，兼具较高的强度，避免其在张网过程中出现褶皱的问题，提高其质量和精度。
遮挡区金属掩膜板金属掩膜开口区板厚掩膜开口环绕褶皱张网制造

[发明专利]一种使用金属硬掩膜的刻蚀氧化铟锡（ITO）膜的方法-CN202210661337.1在审
发明人：郑小睿;尚鸿鹏;郭一君;顾洪成;顾忠泽 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用金属硬掩膜的刻蚀氧化铟锡(ITO)膜的方法，包括以下步骤：在ITO玻璃的ITO膜上形成图案化金属硬掩膜层；对ITO膜进行干法刻蚀；去除金属硬掩膜层。本发明的使用金属硬掩膜的干法刻蚀氧化铟锡(ITO)膜的方法，能够改善刻蚀的精度并明显改善ITO边缘高精度的刻蚀效果，满足后续光刻工艺中套刻对准的要求。
一种使用金属硬掩膜刻蚀氧化 ito 方法

[发明专利]一种通过激光制作对位标记的金属掩膜版-CN202011401779.X在审
发明人：钱超;杨柯 -专利权人：常州高光半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过激光制作对位标记的金属掩膜版，包括掩膜版主体，掩膜版主体通过张网的方式将四角的对位孔与图形区的位置拉到指定位置后，与金属掩膜框拼合形成金属掩膜版；支撑掩膜版主体，寻找图形位置并对掩膜版主体上的图形位置进行多次校验；对准掩膜版主体图形位置并平放并固定连接在框架台体上；所述掩膜版主体利用激光制作出多个对位标记，本发明制作的掩膜版对位孔的真圆度较好，能控制在99％左右，而且不受传统蚀刻液的残留影响，激光打标后的平均对位次数可以小于一次
一种通过激光制作对位标记金属掩膜版

[发明专利]掩膜板和其制备方法及使用该掩膜板制备光伏组件的方法-CN202010403021.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩膜板包括框架，在框架内设置掩膜工作区域，在掩膜工作区域内设置多条掩膜线，多条掩膜线将掩膜工作区域分隔成多个镀膜工作区，掩膜线的截面包括金属纤维层和陶瓷层，陶瓷层凸设在金属纤维层的底面；掩膜线的截面为矩形，其宽度为50微米~100微米，其中，金属纤维层的厚度为1微米~100微米，陶瓷层的厚度为1微米~1毫米。本发明还公开一种该掩膜板的制备方法及使用该掩膜板制备光伏组件的方法。
掩膜板制备方法使用组件

[发明专利]一种通用金属掩膜版焊接方法及制作的通用金属掩膜版-CN202110928583.4在审
发明人：潘燕萍 -专利权人：江苏乐萌精密科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B23K26/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用金属掩膜版焊接方法及制作的通用金属掩膜版，属于显示面板制造装备领域。本发明的通用金属掩膜版焊接方法，其将掩模网的四周张网定位在金属框的上表面上，采用点焊工艺将掩模网的四周焊接固定在金属框上；对矩形掩模网的长边和短边分割焊接，先对矩形掩模网的长边和短边的中心焊接区进行焊接，然后再分别对矩形掩模网的长边和短边的对应端部焊接区进行焊接，改善了掩模网单边连续焊接而产生的累积挤压变形，提高了通用金属掩膜版的焊接位置精度；并且，焊接方法简单易行，实施方便，为提高通用金属掩膜版的制作精度提供了新思路制作的通用金属掩膜版的位置精度更高，掩模网不易发生扭曲，保证了通用金属掩膜版的高精度。
一种通用金属掩膜版焊接方法制作

[发明专利]掩膜版及掩膜版的制作方法-CN201710601835.6有效
发明人：潘晟恺;乔永康 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版及掩膜版的制作方法，属于显示技术领域，其可解决现有技术在对衬底基板进行镀膜时，金属掩膜版容易划伤、压伤衬底基板的问题。本发明的掩膜版具有用于与衬底基板接触的接触侧，该掩膜版包括金属本体和有机涂层，有机涂层至少形成于金属本体靠近接触侧的一侧的边缘区域。
掩膜版制作方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710617030.0有效
发明人：张城龙;袁可方;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底和基底上的介质层，基底内有底层金属层；在介质层上形成有第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的顶层掩膜层；在顶层掩膜层上及第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽中形成过渡掩膜层；在过渡掩膜层中形成贯穿过渡掩膜层且延伸至第一掩膜沟槽的第一接触孔开口；在过渡掩膜层中形成贯穿过渡掩膜层且延伸至第二掩膜沟槽的第二接触孔开口；以过渡掩膜层为掩膜刻蚀第一接触孔开口和第二接触孔开口底部部分介质层；去除过渡掩膜层后，以顶层掩膜层为掩膜刻蚀介质层至暴露出底层金属层，在第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽底部的介质层中分别对应形成第一互联开口和第二互联开口。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种金属层的制备方法、体声波滤波器以及制备方法-CN202210829705.9有效
发明人：魏涛;王矿伟;杨清华 -专利权人：苏州臻芯微电子有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属层的制备方法、体声波滤波器以及制备方法。该金属层的制备方法包括：提供基材，基材包括金属层预留区和位于金属层预留区至少一侧的剥离区，预设图案的金属层设置于金属层预留区；在基材的一侧形成牺牲层，其中，牺牲层覆盖金属层预留区和部分剥离区；在牺牲层背离基材的一侧形成位于剥离区的掩膜层；释放牺牲层，在剥离区形成开口结构；以掩膜层作为掩膜图形在基材的一侧形成金属层；去除位于剥离区的掩膜层以及覆盖掩膜层的金属层，以保留位于金属层预留区的预设图案的金属层。本发明实施例提供的技术方案降低了掩膜层中底切（undercut）形貌的尺寸控制难度，且降低了金属层的制备成本。
一种金属制备方法声波滤波器以及

[发明专利]一种适用于高PPI的精细金属掩膜板制作方法-CN202010270343.5有效
发明人：隋鑫;宋平;晁亮;尹小江 -专利权人：山东奥莱电子科技有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及金属掩模板制作技术领域，具体涉及一种适用于高PPI的精细金属掩膜板制作方法。包括如下制作步骤：(1)根据高PPI像素的排列，制备与之对应的低PPI精细金属掩膜板；(2)使用张网机将低PPI掩膜张网并焊接到框架上，制成半成品精细金属掩膜板，张网完成后对掩膜进行涂覆PI，形成膜层；(3)使用曝光机对涂覆PI后的半成品进行曝光即图形定义，再进行显影完成图形显现，在原有的大开口内加工了小开口,形成高PPI掩膜板开口效果。本发明先通过张网简单的低PPI掩膜制品，然后再经过涂覆PI和曝光显影形成较小的高PPI开口，以实现高PPI掩膜板张网。达到高PPI的开孔效果，且避免了蚀刻高PPI掩膜时产生的良率低、原材料薄、蚀刻困难等问题。
一种适用于 ppi 精细金属掩膜板制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910027655.0在审
发明人：张海洋;韩秋华;王梓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、位于衬底上的介质层、位于介质层上的介质掩膜材料层以及位于介质掩膜材料层上的图形定义层；在图形定义层上形成多个分立的图形掩膜层；以图形掩膜层为掩膜刻蚀图形定义层，形成金属阻断层；图形化介质掩膜材料层，形成介质掩膜层；形成介质掩膜层后，以金属阻断层和介质掩膜层为掩膜刻蚀介质层，在介质层中形成多个介质凹槽以及位于介质凹槽之间的介质隔层，介质隔层顶面与介质掩膜层底面齐平，且在刻蚀介质层的过程中，刻蚀工艺对介质层的刻蚀速率大于对金属阻挡层的刻蚀速率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版-CN202110157006.X在审
发明人：钱超;杨波;洪明;王有明 -专利权人：江苏高光半导体材料有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明属于掩膜版技术领域，尤其是涉及一种AMOLED用的掩膜版制作方法及掩膜版，包括掩膜版基板，掩膜版基板的一端板面上设有图形块，掩膜版基板与图形块之间设有透明板，透明板与图形块和掩膜版基板均固定连接，掩膜版基板背离透明板的一侧设有涂层，掩膜版基板中嵌合有多道与图形块相对应的金属条，金属条的上端贯穿涂层设置，多条金属条相互连接，且其两端分别有端头平行伸出掩膜版基板的断层外，通过端头可与外部电源的正负极相连接优点在于：可通过对多余散射光线进行吸收防反射的方式来使得光源的光线更好的配合图形来进行照射作用，从而提高了掩膜版作业的质量。
一种 amoled 掩膜版制作方法

[发明专利]一种金属掩膜板表面氧化铝膜层及其制备方法-CN202211603496.2在审
发明人：吕先锋;邱俊;黄熙;王永涛 -专利权人：四川富乐德科技发展有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：本发明属于金属掩膜板表面处理技术领域，提供了一种金属掩膜板表面氧化铝膜层及其制备方法。该方法包括：(1)依次去除掩膜板的表面颗粒物和水分，高温烘烤后将掩膜板预抽真空；(2)掩膜板于工艺腔中溅射纯铝膜层；(3)接着将金属掩膜板输送至微弧氧化槽；(4)微弧氧化工艺包括：先将电压上升至280‑320V，并保持5‑10s，然后将阳极氧化电压上升至430‑480V，采用电解液进行电解5‑10min；(5)接着将掩膜板依次进行清洗、封孔、干燥。该制备方法通过采用磁控溅射纯铝与微弧氧化工艺相结合，配合本申请的工艺条件，能够显著减少膜层的制备时间，并同时提高膜层的均匀性，制备得到质量优异的金属掩膜板表面氧化铝膜层。
一种金属掩膜板表面氧化铝及其制备方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201210124740.7有效
发明人：田上政由 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种形成半导体器件的方法，半导体器件包括使用包括金属掩膜和介电掩膜的多层硬掩膜形成的互连层。在第一步骤中使用该多层硬掩膜之后，对准第一图案形成第二开口图案，然后在第二步骤中，使用该介电掩膜在绝缘层中形成嵌入结构，随后去除该金属掩膜。
形成半导体器件方法

[发明专利]一种金属掩膜板及其制造方法-CN201810224416.X在审
发明人：刘盛娟;范爽;兰兰 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种金属掩膜板及其制造方法，该金属掩膜板包括掩膜板本体，掩膜板本体具有用于进行掩膜的掩膜区域和位于掩膜区域两侧、用于被夹持的夹持区域，且掩膜区域具有至少一个有效显示区，有效显示区为镂空的网状格结构在夹持上述掩膜板本体进行操作时，力分散区可分散被夹持部位的集中受力，从而避免掩膜板本体局部受力过大产生褶皱；或者，在对上述掩膜板进行焊接操作时，由于掩膜板本体上形成有力分散区，力分散区可分解掩膜板本体局部受热产生的热应力，进一步避免掩膜板本体产生褶皱变形的现象，从而可降低掩膜板本体产生褶皱隆起划伤玻璃的风险。
掩膜板分散区褶皱金属掩膜板掩膜区域有效显示区夹持区域夹持焊接操作夹持部位局部受力镭射工艺受热镂空变形的可分解可分散热应力网状格划伤隆起受力掩膜制造玻璃

[实用新型]一种掩膜板、显示面板及显示装置-CN202020040735.8有效
发明人：马晓旭;李治朝 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种掩膜板、显示面板及显示装置。该掩膜板包括显示区掩膜部和非显示区掩膜部；非显示区掩膜部围绕显示区掩膜部；其中，显示区掩膜部用于对显示面板的显示区进行掩膜，非显示区掩膜部用于对显示面板的非显示区进行掩膜；显示区掩膜部包括遮光部、透光部以及半透光部；非显示区掩膜部包括多个遮光条；遮光部呈网格状；透光部以及半透光部位于遮光部的网孔内；遮光部用于对显示面板的显示区的公共电极并联金属进行掩膜；透光部用于对显示面板的显示区的公共电极通孔进行掩膜。本实用新型实施例提供的掩膜板可以避免显示面板中显示区边缘的公共电极并联金属缺失的问题。
一种掩膜板显示面板显示装置