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[发明专利]一种低应力金属硬掩膜层的制备方法-CN201110347738.1有效
发明人：周军;胡彬彬;傅昶;贺忻 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种低应力金属硬掩膜层的制备方法。本发明一种低应力金属硬掩膜层的制备方法，通过增加反应腔体内通入的氮气和氩气气流量，增大反应腔体内的压力，和在氮化钛金属硬掩膜层生长过程中进行加热，相当于采用退火工艺，从而于整体上有效的降低了氮化钛金属硬掩膜层的应力
一种应力金属硬掩膜层制备方法

[发明专利]用于LED磷光体封装的反射焊接掩膜层-CN201480069463.1在审
发明人： Y.荣;F.S.戴安娜;T.朱;G.古思 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种安装衬底（40）具有图案化金属层，其限定用于结合到LED管芯的底金属结合盘的多个顶金属结合盘。焊接掩膜层（52）在该安装衬底之上形成，其中该掩膜具有暴露顶金属结合盘的开口并且保护衬底上的金属迹线。掩膜层是高反射性的白色涂料。暴露的顶金属结合盘然后用焊料润湿。LED管芯的底金属结合盘然后被焊接到该暴露的顶金属结合盘，使得掩膜层包围每一个LED管芯以反射光。来自LED管芯和磷光体的所有向下光被环和焊接掩膜层向上反射。
用于 led 磷光体封装反射焊接掩膜层

[发明专利]一种用于制造半导体器件的方法-CN201210232175.6有效
发明人：宋兴华;周磊;白凡飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成有层间介电层、位于所述层间介电层上的第一硬掩膜层和位于所述第一硬掩膜层上的第二硬掩膜层；蚀刻所述第二硬掩膜层，以在所述第二硬掩膜层中形成第一开口；以所述第二硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成第二开口；以及对所述第一硬掩膜层进行蚀刻处理，以使所述第二开口的侧壁回缩。根据本发明的方法可以获得侧壁较为平直且顶部开口较大的沟槽用于填充互连金属，从而能够改善互连金属填充效果，且进而提高最终制得的半导体器件的电学性能。
一种用于制造半导体器件方法

[发明专利]一种掩膜板贴合系统及其贴合方法-CN202210921890.4在审
发明人：黄琦 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜板贴合系统及其贴合方法，贴合系统还与蒸镀机的升降机构相配合，所述贴合系统包括支撑框、左A压力传感器、左B压力传感器、右A压力传感器、右B压力传感器、金属掩膜板和衬底玻璃基板，支撑框四角表面分别设置有左A压力传感器、左B压力传感器、右A压力传感器和右B压力传感器，所述金属掩膜板设置在所述支撑框的上方，且所述金属掩膜板的四角分别架设在对应的压力传感器上，所述衬底玻璃基板设置在金属掩膜板的上方，并通过蒸镀机的升降机构将支撑框和金属掩膜板抬起并与所述衬底玻璃基板相贴合本发明能够保证金属掩膜板四个角平衡地贴合在衬底玻璃基板上面，不产生缝隙，也不会压弯衬底玻璃基板，大大提高产品的质量。
一种掩膜板贴合系统及其方法

[实用新型]一种掩膜板贴合系统-CN202222022205.2有效
发明人：黄琦 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掩膜板贴合系统，贴合系统还与蒸镀机的升降机构相配合，所述贴合系统包括支撑框、左A压力传感器、左B压力传感器、右A压力传感器、右B压力传感器、金属掩膜板和衬底玻璃基板，支撑框四角表面分别设置有左A压力传感器、左B压力传感器、右A压力传感器和右B压力传感器，所述金属掩膜板设置在所述支撑框的上方，且所述金属掩膜板的四角分别架设在对应的压力传感器上，所述衬底玻璃基板设置在金属掩膜板的上方，并通过蒸镀机的升降机构将支撑框和金属掩膜板抬起并与所述衬底玻璃基板相贴合本实用新型能够保证金属掩膜板四个角平衡地贴合在衬底玻璃基板上面，不产生缝隙，也不会压弯衬底玻璃基板，大大提高产品的质量。
一种掩膜板贴合系统

[发明专利]高深宽比金属光栅的制备方法及器件-CN202211697108.1在审
发明人：王云翔;李瑾;李燕 -专利权人：苏州研材微纳科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高深宽比金属光栅的制备方法及器件。其包括：提供支撑衬底以及中间衬底；在中间衬底上制备中间衬底掩膜层，并对所制备的中间衬底掩膜层图形化，利用中间衬底掩膜层以及中间衬底掩膜层图形化窗口对中间衬底刻蚀，以在刻蚀后得到金属沉积窗口；去除上述中间衬底掩膜层，并在中间衬底上方进行金属沉积，以得到填充在金属沉积窗口内的光栅金属柱，其中，所述光栅金属柱的下端部与金属种子层接触连接；去除上述的中间衬底、粘结层以及支撑衬底，以得到金属种子层以及若干支撑于所述金属种子层上的光栅金属柱本发明能有效制备高深宽比金属光栅，与现有工艺兼容，提高金属光栅的制备效率与工艺稳定性。
高深金属光栅制备方法器件

[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置-CN202010740588.X在审
发明人：夏玉明;卓恩宗;李伟 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层；在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜的厚度范围为1.7μm‑1.8μm；利用掩膜板对所述光刻掩膜进行曝光，并使所述掩膜板的半曝光区内的所述光刻掩膜的均匀度达到预设均匀度；基于曝光后的所述光刻掩膜制备形成阵列基板。
阵列制备方法显示装置

[发明专利]金属掩膜材料及其制造方法、金属掩膜-CN201980063786.2在审
发明人：米村光治;藤本直树;木村圭太;海野裕人 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供使蚀刻导致的翘曲量减小的OLED用的金属掩膜材料及其制造方法和金属掩膜。本发明的金属掩膜材料及金属掩膜的特征在于，以质量％计，含有Ni：35.0～37.0％、Co；0.00～0.50％，剩余部分由Fe及杂质构成；板厚为5.00μm以上且50.00μm以下，将一边为100mm的正方形的上述金属掩膜材料的试样从其单侧进行蚀刻，到该试样的板厚变成2/5为止，将蚀刻后的上述试样载置在平台上时的、上述试样的4角的浮起量中的作为最大值的翘曲量为5.0mm以下。
金属材料及其制造方法

[发明专利]利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法-CN201410085670.8有效
发明人：黄旼;朱健;郁元卫;吴璟;禹淼 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积，介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调，产生的图形化金属薄膜具有斜坡状边缘，斜坡角度可根据需求控制；优点：金属薄膜上沿可平缓的降至衬底，其间高度不会有非连续性突变。在具有斜坡状边缘的金属薄膜上继续生长膜层时，膜层边缘结合力好，不会断裂或剥离。本发明中的金属薄膜生长方法基于介质膜掩膜板沉积工艺，斜坡的高度和倾角可通过改变介质膜掩膜板和衬底的间距来调节。
利用介质膜掩膜板实具有斜坡边缘金属薄膜图形方法

[发明专利]精细金属掩膜板及其制备方法-CN202211741482.7在审
发明人：陈霞玲;潘仲光 -专利权人：常州友机光显电子科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C22/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种精细金属掩膜板及其制备方法。此制备方法通过电铸形成掩膜层，在掩膜层上形成钝化层，以及在钝化层上通过电铸形成牺牲层，以获得具有堆叠结构的掩膜条。在后续将掩膜条固定在框架的步骤中，牺牲层可提升整体的结构强度，避免掩膜层在绷网的操作过程中产生折痕、褶皱等缺陷，并且使掩膜条容易固定在框架上。之后，将牺牲层从钝化层上移除，从而获得具有目标厚度的精细金属掩膜板。在本申请实施例中，通过上述制备方法可以提升产品良率、降低对张网设备的精度要求。
精细金属掩膜板及其制备方法

[实用新型]一种一体支撑掩膜版及精细金属掩膜版-CN202221323407.4有效
发明人：李哲;周俊吉;郑庆靓 -专利权人：成都拓维高科光电科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种一体支撑掩膜版及精细金属掩膜版，包括Frame掩膜版，所述一体支撑掩膜版还包括网格掩膜版，该网格掩膜版由若干横条和若干竖条纵横交错而成，每一横条与每一竖条上表面在同一水平面，该网格掩膜版连接在Frame掩膜版上。本申请将传统支撑掩膜版Cover和Howling分开方式进行改善，提升蒸镀贴合效果。
一种一体支撑掩膜版精细金属

[发明专利]用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法-CN202310914663.3在审
发明人：燕羽;相忠诚;宋小会;许凯;范桁;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供一种用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法，其包括如下步骤：(1)在衬底上形成金属膜；(2)在所述金属膜上形成光刻胶涂层；(3)采用布尔函数取反变换对所述光刻胶涂层进行曝光和显影；(4)在步骤(3)曝光和显影后所形成的结构上形成掩膜层；(5)去除光刻胶以在所述金属膜上留下具有期望图案的掩膜层；(6)对步骤(5)所形成的结构中的金属膜进行刻蚀，以形成具有期望图案的金属膜；(7)去除掩膜层；其中，所述掩膜层由选自金和/或铂的材料形成。本发明的方法可以长时间稳定的刻蚀金属膜，用以制备高质量的基于金属膜的量子比特芯片。
用于刻蚀基于金属膜超导量子比特芯片方法

[发明专利]在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法-CN201110220660.7有效
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法，该方法包括：在半导体器件上提供一介质层上沉积金属硬掩膜层，在金属硬掩膜层上沉积硬掩膜层，提供具有沟槽图案及通孔图案的印章；将具有沟槽图案及通孔图案的印章压印在具有硬掩膜层和金属硬掩膜层的介质层上；以在介质层上的该压印沟槽图案及通孔图案为掩膜，刻蚀介质层，在介质层中形成沟槽和通孔。
半导体器件同时制作沟槽方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201510943662.7有效
发明人：韩秋华;郑喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有用于形成N型金属栅极的第一伪栅极和用于形成P型金属栅极的第二伪栅极，所述半导体衬底上还形成有包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介电层；去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极中的一个以形成第一填充开口，并在所述第一填充开口内形成第一金属栅极；在所述第一金属栅极上形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层为易于被等离子体去除的多孔聚合物层；以所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层为掩膜，去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极中的另一个以形成第二填充开口，并去除所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述第二填充开口内形成第二金属栅极。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]Cu湿法刻蚀方法-CN201711454959.2在审
发明人：朱丰;吴庆才;侯永涛;杨涛;刘杰 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cu湿法刻蚀方法，所述方法包括如下步骤：(1)将基板放置于PECVD沉积系统中，在所述基板上沉积形成氧化物层；(2)在所述氧化物层表面溅射生长第一金属层，在所述第一金属层的表面溅射生长第二金属层，再在所述第二金属层的表面溅射生长金属掩膜层；(3)在所述金属掩膜层的表面旋涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形；(4)干法刻蚀或湿法腐蚀所述金属掩膜层，再对所述第二金属层进行湿法腐蚀处理；(5)最后去除光刻胶，再湿法去除所述金属掩膜层。本发明方法步骤简单，操作方便，通过在第二金属层与光刻胶之间添加一层金属掩膜层，对横向腐蚀进行限制，以实现湿法腐蚀线条尺寸可控。
金属掩膜层第二金属层湿法腐蚀光刻胶溅射第一金属层湿法刻蚀去除生长氧化物层表面沉积系统尺寸可控干法刻蚀光刻图形横向腐蚀基板放置氧化物层基板湿法显影旋涂沉积线条曝光