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[发明专利]形成结晶半导体层的方法、制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示设备-CN201980000235.1有效
发明人：曲连杰;赵合彬;齐永莲;邱云;王丹 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种形成结晶半导体层的方法，包括：在基底基板上形成绝缘结晶诱导层；通过在绝缘结晶诱导层上沉积半导体材料来在绝缘结晶诱导层的远离基底基板的一侧形成半导体材料层，半导体材料在诱导半导体材料结晶的沉积温度下沉积；在半导体材料层的远离绝缘结晶诱导层的一侧形成包括合金的合金结晶诱导层；以及，使合金结晶诱导层退火以进一步诱导半导体材料结晶，从而形成结晶半导体层。执行使合金结晶半导体层退火以使合金中的相对更导电的元素富集至远离基底基板的一侧，从而形成经退火的结晶诱导层。
形成结晶半导体方法制造薄膜晶体管显示设备

[发明专利]一种晶圆无损测试装置及测试方法-CN201811450952.8有效
发明人：陈立军;姚大平 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆无损测试装置，包括：可诱导绝缘体‑导体转变探针组；以及设置在与所述可诱导绝缘体‑导体转变探针组的每个可诱导绝缘体‑导体转变探针耦合的绝缘体‑导体转变诱导控制单元。
一种无损测试装置方法

[发明专利]锥形空气诱导器-CN201810592676.2在审
发明人：彭小勇;熊寒;郑玉兰;胡艳;熊军;柳建祥 -专利权人：南华大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： F04F5/16 文献下载
摘要：锥形空气诱导器，包括锥状诱导体、球形罩壳、连接架及进气管；锥状诱导体呈锥形，其侧壁面上设有科恩达曲面，其底面为外凸的弧面，弧面与科恩达曲面平滑过渡；球形罩壳一端设有进风口，另一端设有出风口，其通过连接架连接在锥状诱导体上，其出风口正对锥状诱导体的弧面，并与锥状诱导体之间形成环形出风口；进气管一端为进气端，另一端为出气端，其出气端连接在球形罩壳的进风口上。本发明基于科恩达效应的锥形空气诱导器在空间作为独立的空气诱导装置来使用时，能实现小流量小功率诱导出风，诱导率高达10～15倍，可将周围空气集中在锥状诱导体1的前沿柱状区域上引射，这可以极大的提高这条直线上气流流量
诱导体锥状球形罩壳锥形空气诱导器弧面出风口出气端进风口进气管连接架曲面平滑过渡环形出风口空气诱导气流流量周围空气柱状区域进气端小功率小流量诱导率侧壁出风底面上引外凸正对诱导

[实用新型]锥形空气诱导器-CN201820893898.3有效
发明人：彭小勇;熊寒;郑玉兰;胡艳;熊军;柳建祥 -专利权人：南华大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： F04F5/16 文献下载
摘要：锥形空气诱导器，包括锥状诱导体、球形罩壳、连接架及进气管；锥状诱导体呈锥形，其侧壁面上设有科恩达曲面，其底面为外凸的弧面，弧面与科恩达曲面平滑过渡；球形罩壳一端设有进风口，另一端设有出风口，其通过连接架连接在锥状诱导体上，其出风口正对锥状诱导体的弧面，并与锥状诱导体之间形成环形出风口；进气管一端为进气端，另一端为出气端，其出气端连接在球形罩壳的进风口上。本实用新型基于科恩达效应的锥形空气诱导器在空间作为独立的空气诱导装置来使用时，能实现小流量小功率诱导出风，诱导率高达10～15倍，可将周围空气集中在锥状诱导体1的前沿柱状区域上引射，这可以极大的提高这条直线上气流流量
诱导体锥状球形罩壳锥形空气诱导器弧面出风口出气端进风口进气管连接架曲面平滑过渡本实用新型环形出风口空气诱导气流流量周围空气柱状区域进气端小功率小流量诱导率侧壁出风底面上引外凸正对诱导

[发明专利]基于痘病毒成分结合体的拟免疫诱导体，其制备方法和其作为药物的应用-CN95191784.6无效
发明人：安东·迈耶 -专利权人：安东·迈耶
申请日： 1995-01-17 - 公布日： 1997-02-05 - 主分类号： A61K35/76 文献下载
摘要：本发明描述了多用拟免疫诱导体，其基于源于具有致拟免疫性的各种痘病毒的痘病毒成分的结合体，并与公知的拟免疫诱导体相比改善了其效力和拟免疫相关活性。本发明还涉及制备这些拟免疫诱导体的方法以及这些拟免疫诱导体作为药物的应用。
基于痘病毒成分结合免疫诱导制备方法作为药物应用

[发明专利]一种声激活增强型铁死亡纳米诱导体系的制备方法-CN202310732636.4在审
发明人：李静超;张伊婧 -专利权人：东华大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种声激活增强型铁死亡纳米诱导体系的制备方法，包括：血胺氧化酶稳定的半导体聚合物纳米颗粒的制备；声激活增强型铁死亡纳米诱导体系的制备；声激活增强型铁死亡纳米诱导体系的性能验证；声激活增强型铁死亡纳米诱导体系在细胞层面的性能和疗效验证；声激活增强型铁死亡纳米诱导体系在动物层面性能和疗效验证。本发明合成条件温和且操作简便；制备的声激活增强型铁死亡纳米诱导体系具有很好的抗肿瘤治疗效果，在癌症治疗方面存在潜在的应用价值，可应用于介导联合治疗。
一种激活增强死亡纳米诱导体系制备方法

[发明专利]具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200510075361.3有效
发明人：陈建豪;蔡邦彦;张志坚;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极/漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层。该应力诱导层可以位于源极/漏极间的凹陷区域或非凹陷区域。本发明提供一种方法，利用锗硅化物的氮化或氧化工艺使源极/漏极区域产生应力诱导层，此应力诱导层上层可形成氮化或氧化薄膜，并使锗得以进入应力诱导层下层。本发明提供另一方法，产生反应层覆盖于应力诱导层之上，使该反应层与应力诱导层产生交互作用。
具有局部应力结构金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610707132.7在审
发明人：宋学昌;张智强;李昆穆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括衬底、应变诱导层和外延结构。应变诱导层设置于衬底上和外延结构嵌入在应变诱导层中并且不与衬底接触。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路装置及制造该集成电路装置的方法-CN201980029795.X在审
发明人： J-P·拉斯金;M·瑞克 -专利权人：法语天主教鲁汶大学
申请日： 2019-05-02 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：集成电路装置(100)包括具有至少为100Ω.cm的电阻率的半导体衬底(101)。电绝缘层(102)与所述半导体衬底(101)接触。所述电绝缘层(102)易于在所述半导体衬底(101)中诱导与所述电绝缘层(102)相接的寄生表面传导层。电路(103)位于所述电绝缘层之上。所述电路(103)包括能够在所述半导体衬底中诱导电场的部分(105)。所述集成电路装置(100)包括耗尽诱导结(108、109)，所述耗尽诱导结(108、109)的至少一部分包含在所述半导体衬底(101)中。所述耗尽诱导结(108、109)能够在所述半导体衬底(101)中自主地诱导耗尽区，所述耗尽区与所述电绝缘层(102)的位于所述电路(103)的两个部分(104、105)之间的部分相接。
集成电路装置制造方法

[发明专利]借由提供阶化嵌入应变诱导半导体区于晶体管的效能增进-CN201310512223.1有效
发明人： E·M·巴齐齐;A·扎卡;G·迪利维;B·拜 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及借由提供阶化嵌入应变诱导半导体区于晶体管的效能增进。在精密半导体装置中，晶体管可基于利用嵌入应变诱导半导体合金的有效应变诱导机构来形成。可提供该应变诱导半导体材料作为将应变平滑地转移至相邻沟道区的阶化材料以便减少晶格缺陷数以及增进应变条件，接着它直接转化成优异的晶体管效能。借由在选择性外延生长制程期间选择适当的制程参数，可实现阶化应变诱导半导体材料的优异架构而不会导致额外的制程复杂性。
提供嵌入应变诱导半导体晶体管效能增进

[发明专利]渗透膜单元、渗透压发电装置、渗透膜处理单元以及渗透膜单元的制造方法-CN201410776082.9在审
发明人：佐野健二;今田敏弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： B01D71/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式的渗透膜单元具有渗透压诱导体以及渗透膜。渗透压诱导体是使盐结构化合物与由金属形成的网状部件反应而成的。渗透膜被配置为与所述渗透压诱导体的至少一个面接触。
渗透单元渗透压发电装置处理以及制造方法

[发明专利]应力诱导电阻变化的补偿-CN201180046664.6无效
发明人：斯蒂芬·约翰·哈罗德;阿德里安·哈维·布拉特;乔纳森·拉塞莱特·哥德芬驰 -专利权人：亿欧塞米有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种用于对半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括所述半导体电阻器元件和参考设备，其中，所述参考设备包括金属参考电阻器(30)和半导体参考电阻器(32)；通过对所述金属参考电阻器的电阻和所述半导体参考电阻器的电阻的应力诱导改变，或者与所述应力诱导改变在功能上相关的至少一个量进行测量，来产生补偿参数；以及使用所述补偿参数来对所述半导体电阻器元件的电阻的应力诱导变化进行补偿
应力诱导电阻变化补偿

[发明专利]脂肪间充质干细胞诱导成肝脏样细胞的方法-CN201610565515.5在审
发明人：阎丽;徐丽娟;王军;王淑芳 -专利权人：中国人民解放军总医院
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本发明涉及脂肪间充质干细胞诱导成肝脏样细胞的方法，采用含多种细胞因子(HGF、FGF4、OSM、EGF、bFGF、aFGF)和生长因子(Dex、Vc、Vpp、ITS)的诱导体系，将脂肪干细胞进行诱导，短期内获得了大量有肝脏功能的肝脏样细胞采用本发明的诱导培养基诱导后的脂肪干细胞，形态为多角形，并表达ALB、AFP、CK18、CK19和CYP1A1等肝脏样细胞标志物。相比其它诱导体系，此诱导体系缩短了诱导时间，提高了成肝脏样细胞诱导率。由于脂肪干细胞获取容易，体外可大量增殖，又可被诱导成肝脏样细胞，因此是细胞移植和生物人工肝的理想种子细胞。
脂肪间充质干细胞诱导肝脏细胞方法

[发明专利]具有封装的压力源区域的半导体装置及制作方法-CN201110421113.5有效
发明人： S·弗拉克郝斯基;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种具有封装的压力源区域的半导体装置及制作方法。一种制作半导体装置结构的方法涉及以下步骤：形成上覆该半导体衬底的闸极结构，在该半导体衬底中该闸极结构附近形成凹槽，在该凹槽中形成压力诱导半导体物料，以及在该凹槽中形成上覆该压力诱导半导体物料的硅物料。在示范实施例中，形成在该凹槽的该硅物料是外延生长在该压力诱导半导体物料上。
具有封装压力区域半导体装置制作方法

[发明专利]一种高效促进间充质干细胞成软骨分化的诱导体系及方法-CN201910722207.2有效
发明人：李相鲁;吕品雷;张严冬;李莉;黄海波 -专利权人：广东万海细胞生物科技有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C12N5/077 文献下载
摘要：本发明涉及间充质干细胞技术领域，具体涉及一种高效促进间充质干细胞成软骨分化的诱导体系及方法，诱导体系包括第一诱导培养基和第二诱导培养基，所述第一诱导培养基包括生长培养基和KGN，所述第一诱导培养基中KGN的浓度为0.5‑3μmol/L，所述第二诱导培养基包括软骨诱导分化培养基和添加剂，所述添加剂包括KGN，所述第二诱导培养基中KGN的浓度为10‑500nmol/L。本发明间充质干细胞先通过KGN预处理，然后以低浓度KGN诱导体系对细胞进行诱导，间充质干细胞能够向软骨细胞高效分化，仅需要8天即可看到较好的软骨细胞形成，培养时间短，成本低，见效显著。
一种高效促进间充质干细胞软骨分化诱导体系方法

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