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[发明专利]固定薄膜溅射用衬底的装置及用此装置来固定衬底的方法-CN03142457.0有效
发明人：姜敞皓;张容源;金兑承 -专利权人：三星日本电气移动显示株式会社
申请日： 2003-06-02 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种用于固定薄膜溅射用衬底的装置，包括掩膜、掩膜压板、磁体和驱动单元。具有图案的掩膜位于衬底下方，以便在衬底上形成图案。掩膜压板位于衬底之上并以预定的压力朝向衬底背面运动并与之接触。磁体位于掩膜压板的上方并朝向掩膜压板运动，从而可通过磁体的磁力而使掩膜紧密地粘附在衬底上。驱动单元施加驱动力以移动磁体。当掩膜压板下降时，掩膜压板紧密地粘附在衬底上。之后，磁体朝向衬底背面下降，衬底由掩膜压板支撑。衬底下方的掩膜通过磁体的磁力而紧密地粘附在衬底的正面上。因此，由于衬底被多级式地支撑，掩膜在衬底下方的对齐不会发生错位。
固定薄膜溅射衬底装置方法

[发明专利]衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底-CN201811599397.5在审
发明人：伊藤冬马;吉水康人;北川白马 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够适当地抑制衬底的翘曲的衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底。一实施方式的衬底处理装置具备衬底保持部，该衬底保持部保持设有膜的衬底。所述装置还具备膜处理部，该膜处理部基于所述衬底的翘曲，以所述膜包含具有第1膜质或膜厚的第1区域和具有与所述第1膜质或膜厚不同的第2膜质或膜厚的第2区域的方式对所述膜进行处理，抑制所述衬底的翘曲。
衬底处理装置半导体制造方法加工

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202180047244.3在审
发明人：田原香奈 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：衬底处理方法包括：处理膜形成工序，向衬底的表面供给处理液，使前述衬底的表面上的处理液固化或硬化，由此在前述衬底的表面形成处理膜；光照射工序，向前述处理膜照射光，使前述处理膜在前述衬底的表面上分裂；和处理膜除去工序，其在前述光照射工序后向前述衬底的表面供给处理膜除去液，利用前述处理膜除去液将前述分裂后的前述处理膜从前述衬底的表面除去。
衬底处理方法装置

[发明专利]用于使产品衬底与载体衬底脱离的设备和方法-CN201310126332.X有效
发明人： F.P.林德纳;J.布格拉夫 -专利权人： EV集团有限责任公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于借助如下装置使产品衬底与通过连接层同该产品衬底连接的载体衬底脱离的设备：膜框架；与该膜框架连接的柔性膜，所述柔性膜在膜的接触面区段中具有用于容纳产品衬底的粘结层，其中该膜在膜的围绕接触面区段的附着区段中与膜框架连接；以及通过膜框架和膜形成的、尤其是容积变化的用于容纳用于分离连接层的溶剂的储溶剂器，其中产品衬底和连接层可被容纳在该储溶剂器中；和用于将溶剂引入储溶剂器中的引入装置以及用于使产品衬底与载体衬底脱离的脱离装置此外，本发明还涉及一种用于通过如下方式来使产品衬底与和产品衬底脱离的方法：构造通过膜框架和与膜框架连接的柔性膜形成的用于容纳用于分离连接层的溶剂的储溶剂器，以及将产品衬底和连接层容纳在储溶剂器中以及将溶剂引入储溶剂器中并且使产品衬底与载体衬底脱离
用于产品衬底载体脱离设备方法

[发明专利]用于使产品衬底与载体衬底脱离的设备和方法-CN201180011757.5有效
发明人： F.P.林德纳;J.布格拉夫 -专利权人： EV集团有限责任公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用于借助如下装置使产品衬底与通过连接层同该产品衬底连接的载体衬底脱离的设备：膜框架；与该膜框架连接的柔性膜，所述柔性膜在膜的接触面区段中具有用于容纳产品衬底的粘结层，其中该膜在膜的围绕接触面区段的附着区段中与膜框架连接；以及通过膜框架和膜形成的、尤其是容积变化的用于容纳用于分离连接层的溶剂的储溶剂器，其中产品衬底和连接层可被容纳在该储溶剂器中；和用于将溶剂引入储溶剂器中的引入装置以及用于使产品衬底与载体衬底脱离的脱离装置此外，本发明还涉及一种用于通过如下方式来使产品衬底与和产品衬底脱离的方法：构造通过膜框架和与膜框架连接的柔性膜形成的用于容纳用于分离连接层的溶剂的储溶剂器，以及将产品衬底和连接层容纳在储溶剂器中以及将溶剂引入储溶剂器中并且使产品衬底与载体衬底脱离
用于产品衬底载体脱离设备方法

[发明专利]多功能热真空空气加压形成机器-CN201310177696.0有效
发明人：吴思平;胡班洪;任奥利维;C·R·希尔 -专利权人：弗莱克斯电子有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： B44C1/17 文献下载
摘要：向衬底涂敷装饰膜的系统和方法，其减少在向衬底涂敷装饰膜期间膜起皱的出现，并且保证装饰膜上的图案或者图像向衬底的更均匀传送。相同系统和方法可以用来涂敷向衬底层叠的装饰膜。用于在从装饰膜向衬底传送图像或者图案之后冷却装饰膜并且从衬底去除用过的装饰膜的系统和方法。
多功能真空空气加压形成机器

[发明专利]SOI衬底的制造方法-CN200910005793.5有效
发明人：大沼英人;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-02-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明名称为SOI衬底的制造方法。准备半导体衬底和由绝缘体构成的支撑衬底，在半导体衬底上形成包含氯原子的氧化膜，通过隔着氧化膜对半导体衬底照射加速了的离子，来在离半导体衬底的表面有预定的深度中形成脆弱区域，对氧化膜施加偏压而进行等离子体处理，将半导体衬底的表面与支撑衬底的表面相对，以将氧化膜的表面与支撑衬底的表面接合，在将氧化膜的表面与支撑衬底的表面接合之后进行热处理，并以脆弱区域为边界进行分离，从而中间夹着氧化膜在支撑衬底上形成半导体膜
soi 衬底制造方法

[发明专利]振动传感器及其制造方法-CN202010794499.3有效
发明人：何政达;万蔡辛;杨吉升;刘新华 -专利权人：无锡韦感半导体有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01H11/06 文献下载
摘要：本发明公开了振动传感器及其制造方法，该振动传感器包括：衬底；固定膜，支撑在衬底上；振动膜，支撑在衬底上且设置于衬底和固定膜之间，振动膜和固定膜之间分离设置以形成电容；质量块，设置在振动膜的表面上；其中，振动膜和衬底之间以及振动膜和固定膜之间设置有抗粘黏结构，抗粘黏结构用于使振动膜避免粘黏在固定膜或衬底上。
振动传感器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN200610073514.5无效
发明人：申有哲;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供了具有单元场区和高压场区的半导体衬底。在衬底上提供器件隔离膜。器件隔离膜限定衬底的有源区。在包括器件隔离膜的衬底的单元场区上提供单元栅绝缘膜和单元栅导电膜。在具有器件隔离膜的衬底的高压场区上提供高压栅绝缘膜和高压栅导电膜。衬底的高压场区上的器件隔离膜至少部分地凹陷以在其中提供沟槽。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]检测掩模缺陷的方法,计算机程序和基准衬底-CN200910006142.8无效
发明人： J·E·范德沃尔夫;A·J·穆德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种检测掩膜缺陷的方法，其中掩膜制造之后立刻由掩膜在基准衬底上形成图案。当IC制造发生时，将所述基准衬底储存在洁净的条件中。当怀疑掩膜有缺陷时，通过掩膜曝光使涂覆抗蚀剂的衬底、也就是测试衬底形成图案。比较基准衬底和测试衬底上的图案，以确定掩膜是否有缺陷。通过扫描图案更小的区域可以找到掩膜缺陷的位置。
检测缺陷方法计算机程序基准衬底

[发明专利]衬底刻蚀方法-CN201410604591.3有效
发明人：张君;王春 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，同时对各个衬底及其上的掩膜进行刻蚀，直至外部衬底上的掩膜完全被消耗；第二主刻蚀步骤，仅对内部衬底上的掩膜进行刻蚀，以减少该掩膜的剩余厚度；过刻蚀步骤，继续同时对各个衬底及内部衬底上剩余的掩膜进行刻蚀，同时修饰衬底的沟槽形貌。本发明提供的衬底刻蚀方法，其可以使内部衬底的刻蚀高度与外部衬底的刻蚀高度一致，从而可以提高内部衬底与外部衬底之间刻蚀高度的均匀性。
衬底刻蚀方法

[发明专利]在衬底上制备膜层的装置和方法-CN202111205805.6在审
发明人：汪远;周学通;张博;吴禹 -专利权人：南京微纳科技研究院有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明提供一种在衬底上制备膜层的装置和方法。在衬底上制备膜层的装置包括：盛液容器和驱动单元和连接组件；盛液容器具有容纳腔，容纳腔用于容纳可在衬底上成膜的成膜液体；连接组件用于与衬底连接，驱动单元与连接组件连接，以通过连接组件驱动衬底浸入成膜液体内，或者移出成膜液体。本发明提供的在衬底上制备膜层的装置，能提高膜层制备效率。
衬底制备装置方法

[实用新型]在衬底上制备膜层的装置-CN202122495648.9有效
发明人：汪远;周学通;张博;吴禹 -专利权人：南京微纳科技研究院有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种在衬底上制备膜层的装置。在衬底上制备膜层的装置包括：盛液容器和驱动单元和连接组件；盛液容器具有容纳腔，容纳腔用于容纳可在衬底上成膜的成膜液体；连接组件用于与衬底连接，驱动单元与连接组件连接，以通过连接组件驱动衬底浸入成膜液体内，或者移出成膜液体。本实用新型提供的在衬底上制备膜层的装置，能提高膜层制备效率。
衬底制备装置

[发明专利]多层掩膜层的形成方法和涂布方法-CN200710044348.0有效
发明人：安辉;张迎春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层掩膜层的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底表面已形成前一掩膜层；向所述衬底表面喷洒湿润剂，保持所述衬底静止；向所述衬底表面喷洒后一掩膜材料；旋转所述衬底，在所述衬底表面上形成后一掩膜层本发明还公开了相应的多层掩膜层的涂布方法，采用本发明的多层掩膜层的形成方法和涂布方法，可以提高前一掩膜层表面的湿润度，进而改善了后一掩膜层在前一掩膜层上的涂布质量。
多层掩膜层形成方法

[发明专利]指纹识别装置及其制造方法、电子装置-CN201810032052.5有效
发明人：祝文秀;孙艳六 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种指纹识别装置及其制造方法、电子装置，该指纹识别装置包括衬底膜、检测电路、粘胶层。检测电路在衬底膜的第一侧，粘胶层在衬底膜的第一侧上且在衬底膜和检测电路之间以将检测电路粘贴在衬底膜上。
指纹识别装置及其制造方法电子

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