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[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及处理液-CN202180060520.X在审
发明人：吉田幸史;田原香奈 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理方法，包括：处理膜形成工序，对基板的表面供给处理液并使前述基板的表面上的处理液固化或者硬化，由此于前述基板的表面形成处理膜；蚀刻成分形成工序，对前述处理膜进行蚀刻成分形成处理，由此在前述处理膜中形成蚀刻成分；蚀刻工序，通过在前述蚀刻成分形成工序中形成的蚀刻成分来蚀刻前述基板的表层部；以及处理膜去除工序，对前述处理膜的表面供给剥离液，由此将前述处理膜从前述基板的表面剥离从而将前述处理膜从前述基板的表面去除。
处理方法装置以及

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202180061485.3在审
发明人： 田原香奈 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：基板处理方法包括：蚀刻工序，在基板的表面形成含有具有蚀刻功能的第1聚合物及具有固体形成功能的第2聚合物的半固态的涂布膜，通过前述基板上的前述第1聚合物，对前述基板的表层部进行蚀刻；和蚀刻停止工序，通过固体形成处理，使前述涂布膜中的前述第2聚合物固化从而将前述涂布膜转化为固态化膜，由此使前述基板的表层部的蚀刻停止。
处理方法装置

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202180047244.3在审
发明人： 田原香奈 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：衬底处理方法包括：处理膜形成工序，向衬底的表面供给处理液，使前述衬底的表面上的处理液固化或硬化，由此在前述衬底的表面形成处理膜；光照射工序，向前述处理膜照射光，使前述处理膜在前述衬底的表面上分裂；和处理膜除去工序，其在前述光照射工序后向前述衬底的表面供给处理膜除去液，利用前述处理膜除去液将前述分裂后的前述处理膜从前述衬底的表面除去。
衬底处理方法装置

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202180047544.1在审
发明人： 田原香奈 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：衬底处理方法包括：第1处理液供给工序，将包含硫酸及过氧化氢水中的一者的第1处理液涂布于衬底的表面；第2处理液供给工序，将包含硫酸及过氧化氢水中的另一者且粘度比前述第1处理液低的第2处理液供给至涂布有前述第1处理液的前述衬底的表面；混合液处理工序，利用前述第1处理液及前述第2处理液在前述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对前述衬底的表面进行处理；冲洗工序，在前述混合液处理工序之后，向前述衬底供给冲洗液，从而将前述硫酸过氧化氢水混合液从前述衬底的表面冲走。
衬底处理方法装置

[发明专利]基板处理装置-CN202010823739.8有效
发明人：山口贵大;山口直子;藤田惠理;髙桥贤二郎;樋口鲇美;脇田明日香;相原友明;田原香奈 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。基板处理装置(1)包括：药液罐(30)；与药液罐连接的第一循环配管(31)；泵，向第一循环配管(31)送出药液罐内的药液；第二循环配管(32)，与第一循环配管(31)分支连接；过滤器(39)，安装于第一循环配管(31)中的比第二循环配管(32)的连接位置(P2)更靠上游侧的上游侧部分(33)；以及压力调整单元，调整流经上游侧部分(33)的药液的压力。压力调整单元包括调整第二循环配管的开度的调节器(71)。调节器(71)使在基板处理装置的循环空闲状态下流经上游侧部分(33)的药液的压力与在基板处理装置的就绪状态下流经上游侧部分的药液的压力一致或接近。
处理装置