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[发明专利]一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底-CN201811392946.1在审
发明人：顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，分别由第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层所组成；其中：所述第一衬底层为非（0001）面的蓝宝石衬底,且所述第一衬底层的表面和蓝宝石（0001）面的夹角大于30^o,所述第一衬底层上具有周期性的图形化结构。本发明的优点在于：通过在第一衬底层上制备周期性的具有特定晶面暴露的图形化结构，以此为基础外延生长出具有周期性高、低缺陷密度区域的第二衬底层，然后通过光刻制程选择性的在高缺陷密度区域上制备出相同周期性的第三衬底层，从而使用本发明的复合衬底生长氮化物外延层时,可以从复合衬底上的第二衬底层的低缺陷密度区域向上生长,得到高品质的氮化物外延层。
衬底层衬底氮化物外延层复合低缺陷密度区域图形化结构蓝宝石制备高缺陷密度区域生长氮化物光刻制程外延生长向上生长高品质外延层生长晶面暴露

[发明专利]半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法-CN202110055644.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法，半导体衬底层的处理方法包括：提供初始半导体衬底层；对所述初始半导体衬底层的表面进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述初始半导体衬底层中形成掺杂层，所述扩散退火处理适于将所述初始半导体衬底层内部的杂质迁移至所述掺杂层中所述半导体衬底层的处理方法能够降低半导体衬底层内部的缺陷。
半导体衬底处理方法太阳能电池形成

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202211686514.8在审
发明人：赵欢 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：显示面板包括：基板，包括第一衬底层和第二衬底层，第一衬底层至少位于至少部分显示区，第二衬底层至少分布于第一衬底层周侧。其中，第一衬底层的屈服性能大于第二衬底层的屈服性能。功能层，设置于基板的一侧。
显示面板显示装置

[发明专利]一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器-CN201910816518.5有效
发明人：程晓敏;冯金龙;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器，超晶格相变存储材料由第一、第二相变层交替堆叠而成；该制备方法包括：提供第一衬底层，在第一衬底层上沉积第一相变层；提供第二衬底层，在第二衬底层及已沉积第一相变层的第一衬底层上同步交替沉积第二相变层、第一相变层，直至第一衬底层和第二衬底层上的相变材料层的总量达到所需层数；在第一衬底层或第二衬底层的最外层沉积第二相变层；采用加压和退火组装的方法将第一衬底层、第二衬底层上的相变层对接在一起；本发明同时在两个衬底上交替沉积超晶格材料，然后将两个衬底上的相变层组装在一起，大大提高超晶格薄膜的生长速率及所用原材料的利用率。
一种双向生长晶格相变单元制备方法存储器

[实用新型]防撕标签-CN202022144208.4有效
发明人：陈劲柯 -专利权人：北京顺特科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本公开提供一种防撕标签，其包括：衬底层，所述衬底层呈长条状，在所述衬底层的一端形成有至少一个锯齿；所述衬底层铺设有第一胶层；标签本体，设置于所述衬底层；以及离型纸层，衬底层和离型纸层之间为所述第一胶层；
标签

[发明专利]存储器结构-CN201811092463.X有效
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。
存储器结构

[实用新型]存储器结构-CN201821529790.2有效
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层
导电区域衬底层存储器结构隔离结构存储层屏蔽层背面本实用新型存储器隔离外围包围贯穿

[发明专利]图像传感器-CN202210154463.8在审
发明人：李承旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器可以包括：基础衬底，包括衬底层、位于衬底层上的埋入绝缘层、以及位于埋入绝缘层上的半导体层；光感测器件，位于衬底层中；埋入杂质区，位于衬底层的上部，并且与光感测器件间隔开；转移栅极，包括延伸穿过半导体层和埋入绝缘层并延伸到衬底层的内部的竖直栅极，衬底层的该内部位于光感测器件和埋入杂质区之间；平面栅极，位于半导体层上；以及栅极绝缘层，位于衬底层与平面栅极之间。
图像传感器

[发明专利]一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法-CN201810034938.3在审
发明人：陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;田锋 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法，本发明中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起
硅衬底层射频异构射频系统射频芯片微系统三维硅基蚀刻芯片射频滤波器衬底材料传输损耗垂直互连三维集成射频功放射频开关低噪放硅晶圆硅通孔互连线晶圆级微组装堆叠高阻减小键合腔体封装制造

[实用新型]一种硅基三维异构集成的射频微系统-CN201820060293.6有效
发明人：陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;田锋 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统
硅衬底层射频异构本实用新型射频系统射频芯片微系统三维硅基蚀刻芯片射频滤波器衬底材料传输损耗垂直互连三维集成射频功放射频开关低噪放硅晶圆硅通孔互连线晶圆级微组装堆叠高阻减小键合腔体封装

[实用新型]成像像素-CN201821758762.8有效
发明人： S·威利卡奥;C·西尔斯比 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成像像素(100)，所述成像像素可设置有上衬底层(30)、下衬底层(32)、所述上衬底层中的浮动扩散区(52)、以及所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管(36)。所述成像像素还可包括所述下衬底层中的源极跟随器晶体管(62)以及所述上衬底层与所述下衬底层之间的互连层(34)。所述互连层可将所述浮动扩散区直接耦接到所述源极跟随器晶体管。所述成像像素可包括所述上衬底层中的重置晶体管(54)。所述成像像素可包括所述下衬底层中的金属层(58)、所述上衬底层中的转移晶体管(50)、以及将所述转移晶体管耦接到所述金属层的互连层(34‑2)。
成像像素上衬衬底层浮动扩散区互连层源极跟随器晶体管转移晶体管金属层本实用新型光电二极管重置晶体管

[其他]成像像素以及图像传感器-CN201690001087.7有效
发明人： S·威利卡奥;C·西尔斯比 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成像像素以及图像传感器，所述成像像素可设置有上衬底层(30)、下衬底层(32)、所述上衬底层中的浮动扩散区(52)、以及所述上衬底层中耦接到所述浮动扩散区的光电二极管(36)。所述成像像素还可包括所述下衬底层中的源极跟随器晶体管(62)以及所述上衬底层与所述下衬底层之间的互连层(34)。所述互连层可将所述浮动扩散区直接耦接到所述源极跟随器晶体管。所述成像像素可包括所述上衬底层中的重置晶体管(54)。所述成像像素可包括所述下衬底层中的金属层(58)、所述上衬底层中的转移晶体管(50)、以及将所述转移晶体管耦接到所述金属层的互连层(34‑2)。
成像像素上衬衬底层浮动扩散区互连层源极跟随器晶体管图像传感器转移晶体管金属层本实用新型光电二极管重置晶体管

[发明专利]柔性衬底、柔性显示面板及柔性衬底的制作方法-CN201910827058.6在审
发明人：张纯 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性衬底、柔性显示面板及柔性衬底的制作方法。柔性衬底设有弯折区和非弯折区；所述非弯折区包括第一衬底层；所述弯折区包括所述第一衬底层以及设于所述第一衬底层一侧的第二衬底层，在所述第二衬底层上设有多个呈阵列排布的凹槽，用于分散所述弯折区弯折时产生的拉力和应力柔性衬底的制作方法包括步骤：提供玻璃基板、制作第一衬底层、制作第二衬底层、弯折区图形化。柔性显示面板包括上述柔性衬底、阵列基板、发光层和偏光片。本发明通过凹槽来分散弯折时的拉力和应力，从而减小了弯折时产生的拉力和应力，而且设置所述第二衬底层能够提高其弯折次数，并能保持一定的挺性；从而加强了耐弯折性和抗撞击性。
衬底层弯折区衬底弯折柔性显示面板制作玻璃基板抗撞击性耐弯折性阵列基板阵列排布发光层偏光片图形化减小挺性

[发明专利]电光器件-CN201611248546.4在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种电光器件，包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。上述电光器件中的开关结构层，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的氮化镓晶体，从而有利于获得高质量的开关结构层，进而有利于制造出性能优异的电光器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容。
电光器件

[实用新型]电光器件-CN201621470412.2有效
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电光器件，包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层上述电光器件中的开关结构层，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的氮化镓晶体，从而有利于获得高质量的开关结构层，进而有利于制造出性能优异的电光器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容。
电光器件