专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]墨盒和供墨装置-CN201110383788.5有效
  • 神户智弘;中村宙健 - 兄弟工业株式会社
  • 2011-11-28 - 2012-07-11 - B41J2/175
  • 透光构件包括第一反射表面,当第一反射表面与墨室中存储的墨接触时第一反射表面对于经由供墨口进入且通过透光构件的光具有第一反射,当第一反射表面不与墨室中存储的墨接触时第一反射表面对于经由供墨口进入且通过透光构件的光具有第二反射,其中第一反射不同于第二反射
  • 墨盒装置
  • [发明专利]热处理方法及热处理装置-CN201911167490.3在审
  • 野崎仁秀;上野智宏 - 株式会社斯库林集团
  • 2019-11-25 - 2020-07-07 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能够确认形成在衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚的热处理方法及热处理装置。将针对形成有多种膜种类及膜厚的薄膜的硅衬底通过模拟所求出的多个理论反射与膜种类及膜厚建立关联地预先注册于数据库。对半导体晶圆的表面照射光而测定反射。根据所获取的实测反射推算半导体晶圆的理论反射。从注册于数据库的多个理论反射提取与半导体晶圆的理论反射近似的理论反射,特定出形成在半导体晶圆表面的薄膜的膜种类及膜厚。基于所特定出的薄膜的膜种类及膜厚,决定半导体晶圆的处理条件。
  • 热处理方法装置
  • [实用新型]一种高反射陶瓷COB线路支架-CN202020729886.4有效
  • 董达胜;欧阳响堂;雷长琦 - 深圳市鑫聚能电子有限公司
  • 2020-05-07 - 2020-10-30 - H01L33/48
  • 本实用新型公开了一种高反射陶瓷COB线路支架,包括高反射陶瓷基板、线路层、表面处理层和绝缘高反射油墨层,线路层由银浆在高反射陶瓷基板的表面印刷形成,线路层需要焊接处的上方设有表面处理层,线路层不需要焊接处的上方设有绝缘高反射油墨层,表面处理层形成线路电极、电源正极、电源负极。本实用新型采用高反射陶瓷基板可提高光效、降低光衰,在高反射陶瓷表面印刷银桨形成导电线路,并且进行表面处理使其表面具有可焊性和邦定性,可避免银出现硫化、氧化、碳化、溴化等四化问题;在生产制作中可直接取代
  • 一种反射率陶瓷cob线路支架
  • [发明专利]硅基液晶面板-CN201610105472.2有效
  • 范纯圣 - 豪威科技股份有限公司
  • 2016-02-25 - 2021-08-03 - G02F1/1335
  • 一种高反射硅基液晶(LCOS)面板,其包括在基板上的像素电极,每一个像素电极具有第一反射的顶表面。连续的反射涂层覆盖在像素电极和其间的基板表面上,形成多个具有涂层的像素电极,其具有超过第一反射的增强的反射。一种用于增加LCOS面板中的像素的反射的方法,其包括沉积连续的反射涂层覆盖在(1)基板上的多个像素电极,和(2)多个像素间基板之上,及将层沉积在连续的反射涂层上。
  • 液晶面板
  • [发明专利]电池表面氧化层厚度分布的检测方法和系统-CN202210857886.6在审
  • 张双玉;李蕊怡;杨阳;陈如龙 - 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
  • 2022-07-20 - 2022-11-11 - G06T7/00
  • 本发明提供一种电池表面氧化层厚度分布的检测方法和系统,其中,所述方法包括以下步骤:通过反射检测仪获取待检测电池和比对电池的RGB图像;将两个RGB图像及其色阶图进行灰度化处理,得到相应的灰度图;分别在两个RGB图像的色阶图的灰度图上选取多个固定点,并获取多个固定点的反射值和灰度值;根据多个固定点的反射值和灰度值拟合其对应关系;根据两个RGB图像的灰度图获取两个电池每一点的灰度值,并分别根据每个电池的反射值和灰度值对应关系计算每个电池每一点的反射值;根据两个电池每一点的反射值计算两个电池相应点的反射差值;根据两个电池相应点的反射差值获取待检测电池表面的氧化层厚度分布。
  • 电池表面氧化厚度分布检测方法系统
  • [发明专利]一种待激光切割晶圆的筛选系统以及激光切割装置-CN201911379882.6有效
  • 杨秋爱;林旭明;蔡秋月;蔡吉明;郭明兴 - 厦门三安光电有限公司
  • 2019-12-27 - 2022-02-15 - B23K26/70
  • 一种待激光切割晶圆的筛选系统,包括:承载台,用于承载晶圆,所述晶圆一表面侧具有反射层;反射检测器,包括:第一光源和/或第二光源;检测模块和对比模块,能执行如下步骤:检测晶圆的反射表面对第一光源的第一反射T1,然后比对第一反射T1与一指定的第一反射阈值T1',如果比对结果为T1>T1',则输出结果以指示该晶圆不能够正常取像,反之则输出结果以指示该晶圆能执行取像;和/或,能执行如下步骤:检测晶圆的反射表面对第二光源的第二反射T2,然后比对第二反射T2与一指定的第二反射阈值T2',如果比对结果为T2>T2',则输出结果以指示该晶圆不能执行激光切割,反之则输出结果以指示该晶圆能执行切割。
  • 一种激光切割筛选系统以及装置

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