“范德华异质结负”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果367683个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种范德华异质结负折射聚焦器件-CN202210085143.1在审
发明人：戴庆;胡海;陈娜;滕汉超 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种范德华异质结负折射聚焦器件，包括由下至上依次设置的基底层、氧化钼层和石墨烯层；金属天线设置在氧化钼层上以及石墨烯层上；氧化钼层和石墨烯层构成石墨烯氧化钼范德华异质结。本发明通过基于氧化钼和石墨烯的范德华异质结来实现深亚波长负折射。无需复杂的微纳加工过程，能够有效避免反射和散射损耗。氧化钼声子极化激元与石墨烯表面等离激元所形成的混合拓扑极化激元可以通过对石墨烯费米能的调控实现对其色散轮廓的调控，从而实现界面处的深亚波长负折射，在此基础上，通过控制金属天线的位置，实现了全角负折射聚焦
一种范德华异质结负折射聚焦器件

[发明专利]一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法-CN202310520932.8在审
发明人：高峻峰;张艳雪;常远 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明属于光催化和太阳能电池技术领域，具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法，采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计，筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后；相较于未插层的范德华异质结超胞模型，对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析，能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方法具有简单，可推广的优点，适用于整个TMDC异质结家族。
一种环境气体分子调节范德华异质结光电转化性质预测方法

[发明专利]一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器-CN201810888810.3在审
发明人：黄安平;张新江 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明所述一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层。其中阻变功能层为黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。本发明具有如下优点：本发明利用黑磷容易自然氧化成氧化磷的特点设计了BP和P₄O_x范德华异质结，将黑磷在应用中的不足变为可利用的优点。同时，利用BP和P₄O_x范德华异质结对阳离子的束缚作用和电导可变特性设计了基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器。本发明电学性能优异，且具有良好的散热性。本发明的制备方法简单，成本低，存储稳定，可使用领域广泛，有利于黑磷德华异质结忆阻器的大规模生产及产业化应用。
黑磷异质结忆阻器氧化物功能层产业化应用存储稳定底电极层电学性能顶电极层金属离子可变特性自然氧化散热性阳离子氧化磷掺入衬底电导异质制备束缚应用

[发明专利]一种范德华异质结及其制备方法、阳极材料、场效应管-CN201910761581.3在审
发明人：施建章;陈奕恺;王梦华;任盼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，公开了一种范德华异质结及其制备方法、阳极材料、场效应管，所述范德华异质结由二硫化铪和二硫化钼复合而成。该异质结的合成步骤为：用化学气相沉积法在SiO
异质结制备场效应管二硫化钼硫化衬底半导体场效应管高分子材料技术二硫化钼薄膜化学气相沉积载流子迁移率表面活性光电催化合成步骤阳极材料制备过程分解水高纯度可控的禁带异质污染物复合生长

[发明专利]一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法-CN202310630703.1在审
发明人：齐云飞;王汉文;韩拯;刘健鹏 -专利权人：中国科学院金属研究所;上海科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法，以及采用该方法设计的二维范德华多铁性异质结器件。以二维层状铁磁材料作为沟道材料，以二维层状绝缘材料作为封装层，以二维层状金属材料作为栅极层和接触电极层，利用二维层状铁电材料的铁电性及二维层状铁磁材料的铁磁性，基于二维层状材料无悬挂键的特点，实现具有多铁性的二维范德华异质结器件的构建该方法工艺简单，可以摆脱传统三维块体多铁异质结外延生长所需的晶格匹配、高温等严苛条件，能够获得性能优异、稳定可控、具有多铁性的二维范德华异质结器件。
一种构建二维范德华多铁性异质结器件方法

[发明专利]一种二维范德华异质结及其应用-CN202010083606.1有效
发明人：罗洋辉;王聪;张岚;林呈琪;冯煜轩;方文霞;王佳莹;孙伯旺 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维范德华异质结及其应用，该二维范德华异质结由两种不同的超薄二维MOFs纳米片进行范德华杂化而成，其制备方法如下：1）合成三维MOFs前体材料；2）将三维MOFs前体材料分别在溶液中剥离，制备超薄二维MOFs纳米片；3）两种不同的超薄二维MOFs纳米片在溶液中1:1混合（mol/mol），搅拌、静置，去除沉淀，旋干即得到所述的二维范德华异质结。所述的二维范德华异质结制备简单，价格低廉，稳定性强，具有超强的空气水捕获能力，在无能耗空气水捕获装置、智能吸湿窗户和湿度检测器等方面具有广泛的应用前景。
一种二维范德华异质结及其应用

[发明专利]硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法-CN202211121131.6在审
发明人：张胜利;魏鹏飞;郭婷婷;宋秀峰;曾海波 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法。所述的异质结光电探测器自下而上依次为衬底、Ta2NiSe5薄片、WSe2薄片和金属源Sub>薄片，在此基础上转移WSe2薄片至Ta2NiSe5表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再制备金属源漏电极，形成范德华异质结光电探测器。本发明通过构建异质结，使得其在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，显著提高所制备的光电探测器的响应度和探测率。
硒化镍钽硒化钨异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种悬浮多电极范德华异质结电子器件及其制备方法-CN202210189985.1在审
发明人：韩拯;李小茜;张桐耀;闫宁;沙铉哲 -专利权人：山西大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种悬浮多电极范德华异质结电子器件及其制备方法。本发明将二维范德华纳米功能材料与传统纳米机电系统进行耦合，采用“自下而上”垂直堆叠将范德华异质结悬浮于带有底栅的阵列孔洞表面，并通过微纳加工与等离子刻蚀等技术手段，可获得多电极、阵列化悬浮范德华微纳器件，具有重复性高，普适性强等特性，有利于进一步集成至模块化电路，在一定程度上缩小了器件的尺寸，为基于范德华材料及其异质结的微纳传感器件制备提供了指导。
一种悬浮电极范德华异质结电子器件及其制备方法

[实用新型]一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器-CN201921497343.8有效
发明人：胡伟达;吴峰;王鹏;王芳;张莉丽;王振;李庆;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本专利公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。
一种单边耗尽高效快速范德华异质结探测器

[发明专利]一种二维材料二硫化钼/硫化镍/碳范德华异质结自支撑电极的制备方法-CN202210403663.2有效
发明人：张德亮;蔡晓明;袁雪娇;宋子一;白艳玲;牟红宇;武洪民 -专利权人：齐鲁理工学院
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料二硫化钼/硫化镍/碳范德华异质结自支撑电极的制备方法。本发明MoS2/NiSx/C范德华异质结自支撑电极的制备方法，包括如下步骤：1)将钼酸铵和多元醇混合制成低共熔溶剂；2将所述低共熔溶剂涂覆到泡沫镍上后转移至马弗炉中，在加热上游区放置升华硫，在惰性气氛下进行焙烧，得到所述二维材料MoS2/NiSx/C范德华异质结自支撑电极本发明二维材料MoS2/NiSx/C范德华异质结自支撑电极利用低共熔溶剂一步制备，制备方法操作简单，制备成本低，易工业化生产，所得MoS2/NiSx/C范德华异质结材料形貌规整，具有较好的晶型；MoS2
一种二维材料二硫化钼硫化碳范德华异质结支撑电极制备方法

[发明专利]单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法-CN201910850370.7在审
发明人：胡伟达;吴峰;王鹏;王芳;张莉丽;王振;李庆;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS
异质结耗尽光电转换效率探测器异质结场效应晶体管太阳能电池领域金属源漏电极电子束光刻高量子效率二硫化钼高效快速工艺制备机械剥离界面复合界面缺陷金属源极量子效率器件结构器件制备有效抑制响应独特性辅助的硅衬底耗尽区信噪比衬底漏极砷磷制备捕获应用

[发明专利]一种全金属有机框架范德华异质结层薄膜的制备方法及其所制备的薄膜和用途-CN201910684823.3有效
发明人：姚明水;徐刚;伍蔼倩 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种全金属有机框架范德华异质结层薄膜的制备方法及其所制备的薄膜和用途。本发明采用液相外延/界面法和印章/旋涂/滴涂法可有效制备厚度可控的、同质均一的MOFs范德华异质结薄膜，该方法可无视晶格失配问题，高效地制备出不同功能、组分和结构的高质量双/多层MOFs范德华异质结薄膜
一种全金属有机框架范德华异质结层薄膜制备方法及其用途

[发明专利]非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途-CN201810564781.5有效
发明人：何军;程瑞清;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的石墨烯纳米片、六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片；所述石墨烯纳米片和六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片有重叠的区域本发明还提供所述非对称范德华异质结器件的制备和应用。本发明的非对称范德华异质结器件可以实现超高性能与多种功能的有机统一。工作为晶体管时，器件展现出超高电流开关比，超小亚阈值摆幅以及明显的负跨导行为。
对称范德华异质结器件制备方法用途

[发明专利]一种范德华异质结WS2-CN202210378430.1在审
发明人：方运祺;孙阳;沈杭燕;刘薇;程芳;郭冰;董学杭;王馨悦;曾文 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种范德华异质结WS2/h‑BN及其自组装制备方法，属于滑动电接触材料制备技术领域。本发明采用阴、阳离子改性剂分别对二硫化钨、六方氮化硼表面进行修饰，促使六方氮化硼表面荷正电、二硫化钨表面荷负电，利用六方氮化硼与二硫化钨表面的静电吸引作用，驱动六方氮化硼、二硫化钨层层自组装形成范德华异质结本发明制备工艺简单，可大规模用于构建范德华异质结WS2/h‑BN。本发明合成的范德华异质结WS2/h‑BN是具有超滑性能的固体润滑材料，可作为润滑涂层、润滑油添加剂和自润滑复合材料润滑相等，具有广泛的应用。
一种范德华异质结 ws base sub

[发明专利]一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法-CN202010860334.1有效
发明人：刘孔;王智杰;曲胜春;贾晓皓;孙明飞;任宽宽;黄志涛;吴玉林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控
二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条