[发明专利]单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法在审

申请号：	201910850370.7	申请日：	2019-09-10
公开（公告）号：	CN110729375A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	胡伟达;吴峰;王鹏;王芳;张莉丽;王振;李庆;陈效双;陆卫	申请（专利权）人：	中国科学院上海技术物理研究所
主分类号：	H01L31/109	分类号：	H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18
代理公司：	31311 上海沪慧律师事务所	代理人：	郭英
地址：	200083 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS
搜索关键词：	异质结耗尽光电转换效率探测器异质结场效应晶体管太阳能电池领域金属源漏电极电子束光刻高量子效率二硫化钼高效快速工艺制备机械剥离界面复合界面缺陷金属源极量子效率器件结构器件制备有效抑制响应独特性辅助的硅衬底耗尽区信噪比衬底漏极砷磷制备捕获应用
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【主权项】：

1.一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器，其特征在于，器件结构自下而上依次为：衬底(1)，氧化物层(2)、AsP二维半导体(3)、MoS

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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