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[发明专利]一种二维超薄非晶PtTe2-CN202211505199.4在审
发明人：方漪芸;赵稳;崔聪聪 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种二维超薄非晶PtTe2纳米片及其制备方法和应用，其制备方法包括制得体相PtTe2晶体，并对其进行切片处理后，采用切片后的体相PtTe2晶体作为阴极，铂片电极作为阳极，在四丁基四氟硼酸铵的二甲基亚砜溶液中进行电解剥离，得到二维超薄PtTe2纳米片；将得到的二维超薄PtTe2纳米片在空气中煅烧处理，得到所述二维超薄非晶PtTe2纳米片。该方法通过施加电压，体相PtTe2晶体在溶液中依次发生插层、膨胀、脱落，得到二维超薄晶态PtTe2纳米片，将得到二维超薄晶态PtTe2纳米片在空气中进行煅烧处理，即得到二维超薄非晶PtTe2纳米片，该制备方法操作便捷，设计合理，适宜于大规模应用
一种二维超薄 ptte base sub

[发明专利]PtTe2-CN202211044120.2在审
发明人：陈晟迪;高伟;黄颖;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明涉及一种PtTe2/MoTe2光电晶体管、制备方法和应用。其制备方法包括：获取半导体相MoTe2纳米片；获取拓扑半金属PtTe2纳米片；利用干法转移工艺将所述半导体相MoTe2纳米片转移到所述拓扑半金属PtTe2纳米片上，在所述半导体相MoTe2纳米片与所述拓扑半金属PtTe2纳米片的重叠位置形成垂直范德华异质结；在所述垂直范德华异质结的MoTe2纳米片侧以及PtTe2纳米片侧分别蒸镀所述金属电极；对带有所述金属电极的垂直范德华异质结在保护气体中进行退火处理，生成拓扑半金属PtTe2/半导体相MoTe
ptte base sub

[发明专利]一种PtTe2-CN202310001957.7在审
发明人：李京波;张梦龙;张俊海 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种PtTe2‑GaAs异质结光电晶体管及其制备方法，所述方法包括如下步骤：提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底表面沉积SiO2薄膜；对部分区域的SiO2薄膜进行刻蚀，直到暴露出底部的GaAs衬底表面；将PtTe2纳米片转移到所述GaAs衬底和SiO2薄膜的边界位置，所述PtTe2纳米片底部一部分与SiO2薄膜接触，另一部分和GaAs衬底接触形成垂直异质结；制备电极图案，在所述PtTe2纳米片两侧的GaAs衬底和SiO2薄膜表面形成源、漏电极；将上述整体器件退火，制得PtTe2‑GaAs异质结光电晶体管。
一种 ptte base sub

[发明专利]碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法-CN201910804843.X有效
发明人：梁凤霞;赵兴远;陈红云;罗林保;蒋静静 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法，是在绝缘基底上生长有PtTe2薄膜，在PtTe2薄膜上的局部区域生长有MAPbBr3钙钛矿单晶，PtTe2薄膜与MAPbBr3
碲化铂甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于二维碲纳米晶体制备二维超导PtTe2-CN202210670961.8有效
发明人：王一休;杨青;李凌;张亮;付翔 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维碲纳米晶体制备二维超导PtTe2及其制备方法和应用,铂和碲的化学计量比为1:2,包括以下步骤：步骤S1：将晶体二维碲烯溶解于去离子水中配置浓度为0.05mol/L的二维碲烯溶液；步骤S2：将氯铂酸用去离子水稀释，得到浓度为0.10mol/L的氯铂酸溶液；步骤S3：将二维碲烯溶液与氯铂酸溶液按摩尔比为3:1‑7:1的比例混合，反应一段时间后得到含有二维超导PtTe2的溶液；步骤S4：将二维超导PtTe2的溶液用去离子水和离心机清洗后得到二维超导PtTe2
一种基于二维纳米晶体制备超导 ptte base sub

[发明专利]一种超薄PtTe纳米线的制备方法及PtTe纳米线-CN201910655220.0在审
发明人：王亚宁;许航;沈桢;丁明梅;李洋 -专利权人：河海大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B01J23/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄PtTe纳米线的制备方法及PtTe纳米线，制备方法包括以下步骤：(1)将四氯铂酸钾在乙二醇中老化，形成的铂前驱体；(2)按质量比取PVP、亚碲酸钠、水合肼、氨水混合加热，冷却到室温，合成超薄Te纳米线；(3)将步骤(2)制备的Te纳米线分散到乙二醇溶液中，加入步骤(1)中经过老化四氯铂酸钾，摇动混合后离心收集产物，用无水乙醇洗涤数次，合成PtTe纳米线。
纳米线制备四氯铂酸钾合成老化无水乙醇洗涤氨水氧还原反应乙二醇溶液表面活性铂前驱体催化反应混合加热界面结构离心收集纳米微粒亚碲酸钠水合肼乙二醇质量比构建解吸离解位点摇动羟基冷却

[发明专利]坩埚、制作方法和用其生长二氧化碲晶体的方法-CN202211160531.8在审
发明人：薛帅;刘运连;狄聚青 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了坩埚、制作方法和用其生长二氧化碲晶体的方法，涉及一种坩埚以及晶体制备方法技术领域，一种坩埚，包括铂金埚体，所述铂金埚体内壁上设置有PtTe2膜。本发明的有益效果是：通过铂金坩埚内表面增加了一层PtTe2膜，避免了铂金与TeO2反应，减小了生长晶体过程中对于铂金的损耗TeO2的污染，通过本发明制得的坩埚，减小了生长晶体过程中对于铂金的损耗，降低了TeO2晶体生长的生产成本，同时使用PtTe
坩埚制作方法生长氧化晶体方法

[发明专利]基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法-CN202011162898.4在审
发明人：曾龙辉;梁凤霞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法，是在Si基底上生长二维PtTe2纳米薄膜，Si与PtTe
基于二维碲化铂纳米薄膜驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种可完全生物降解膜袋材料-CN202210128784.0在审
发明人：罗嘉瑜;汪红刚 -专利权人：罗嘉瑜
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C08L91/00 文献下载
摘要：该可完全生物降解膜袋材料是由以下组分的原料按重量份数混合制备而成：绿化垃圾10％～50％、植物油10％～30％、交联剂0.1％～1％、PBAT 10％～30％、PLA 10％～30％、PHA 10％～30％、PBS 10％～30％、PVA 10％～30％、PTTE
一种完全生物降解材料

[发明专利]一种金属铂的半金属化合物及其制备方法-CN201610552213.4有效
发明人：张柯楠;颜明哲;周树云;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属铂的半金属化合物，其中，所述半金属化合物为PtTe2单晶材料。
一种金属化合物及其制备方法

[发明专利]一种金属铂的半金属化合物的制备方法-CN201610552531.0有效
发明人：张柯楠;颜明哲;周树云;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：将反应后的反应容器降温至保温温度并保温一定时间得到反应产物，其中，降温速率为1摄氏度/小时～10摄氏度/小时，保温温度为400摄氏度～500摄氏度，且降温至保温温度后的保温时间为24小时～100小时；以及使反应产物中过量的熔融状态的助熔剂与PtTe
一种金属化合物制备方法

[发明专利]一种碲化铂二维材料、制备及其电学器件中的应用-CN201810218839.0有效
发明人：段曦东;段镶锋;马惠芳 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明还包括所述制备方法制得的碲化铂二维材料以及利用所述的碲化铂二维材料在光学器件，特别是PtTe₂场效应晶体管中的应用。
碲化二维材料制备铂纳米片挥发形貌场效应晶体管化学气相沉积纳米材料制备六边形电学器件光学器件基底表面载气流量结晶性铂粉碲粉应用

[发明专利]一种自旋电子器件及其制备方法、调控方法-CN201910112795.8有效
发明人：肖灿;王瑞龙;徐家伟;程路明;田亚文;孙华伟;杨昌平;梁世恒 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：以及在基体表面由下至上层叠设置的：LED构件层，势垒层，铁磁材料层以及二维外尔半金属层；其中，所述二维外尔半金属层选自MoTe2、WTe2、PtTe
一种自旋电子器件及其制备方法调控

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