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[发明专利]腔室-CN201611061883.2在审
发明人：杨敬山;郭浩 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室，包括用于承载被加工工件的承载件，以及设置在其上方的加热装置，该加热装置用于朝向被加工工件辐射热量，加热装置包括：安装板，设置在承载件的上方；热源，设置在安装板的下方，且沿安装板的周向间隔分布本发明提供的腔室，其可以满足对多种尺寸的被加工工件的加热均匀性的要求。
安装板被加工工件加热装置热源调节组件承载件腔室加热均匀性辐射热量径向移动周向间隔种腔室承载

[发明专利]腔室的内衬和腔室-CN201710357147.X有效
发明人：张军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种腔室的内衬和腔室。该腔室的内衬包括抽气内衬和均流内衬，所述均流内衬环绕设置于所述抽气内衬的内侧，所述均流内衬至少包括本体和隔离部，所述隔离部上开设有至少两个孔洞，以将所述均流内衬与所述抽气内衬之间的间隙隔离为连通的进气区域与出气区域；所述腔室内的气体经所述进气区域进入所述孔洞进行均流后，进一步通过所述抽气区域连通的排气口排出至所述抽气内衬的外部。该腔室的内衬，实现了对出气口与进气口之间的空间区域的划分，实现了工艺气体及副产物经过匀流后被真空抽走，实现了气体分布的均匀性。
内衬

[发明专利]腔室组件及反应腔室-CN201810457537.9有效
发明人：师帅涛;丁安邦;陈鹏;史小平;李春雷;兰云峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室组件及反应腔室，该腔室组件包括：电极板，其与射频源电连接，且在电极板上设置有进气口；匀流部件，其采用绝缘材料制作，且与电极板共同构成匀流空间，进气口与匀流空间连通，并且在匀流部件上设置有多个出气口，出气口分别与匀流空间和反应腔室连通。本发明提供的腔室组件，其避免产生空心阴极放电，从而可以提高等离子体的稳定性。
组件反应

[发明专利]腔室组件及反应腔室-CN201811511088.8有效
发明人：王帅伟;兰云峰;王勇飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室组件，包括腔体、腔室盖，其特征在于，还包括铰接模块，所述铰接模块设置在所述腔体与所述腔室盖之间，用于实现所述腔室盖的开合，且在所述铰接模块内设有气体通路，所述气体通路用于将外部气源提供的工艺气体经所述腔体和所述腔室盖通入所述腔体的内部即使腔室盖处于开启状态，气体通路仍然处于封闭状态，而不会暴露在大气环境中，从而避免了在开启腔室盖，以取放衬底或者维护腔室时，因人为操作导致的颗粒掉落进气体通路，进而可以保证腔室的洁净度，降低薄膜的颗粒缺陷
组件反应

[发明专利]智能腔室及智能腔室元件-CN201910307866.X在审
发明人：西蒙·尼古拉斯·宾斯;布赖恩·T·韦斯特;罗纳德·维恩·肖尔;罗杰·M·约翰逊;迈克尔·S·考克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。
监控装置腔室主体腔室盖智能腔天线元件处理组件设置腔室耦接邻近通信

[发明专利]腔室冷却装置及反应腔室-CN201910160484.9有效
发明人：弓利军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室冷却装置及反应腔室，包括槽状本体、隔水板、冷却管和多个喷嘴，其中，冷却管设置在槽状本体相对的两个侧边，且用于向多个喷嘴中通入冷却介质，多个喷嘴用于向槽状本体中通入冷却介质，隔水板覆盖在槽状本体上本发明提供的腔室冷却装置及反应腔室，其能够避免空气在槽状本体中无法排除，并且减少槽状本体中冷却介质乱流的情况发生，从而提高腔室冷却装置的冷却效果。
冷却装置反应

[发明专利]组合处理腔室和处置腔室-CN201910130024.1有效
发明人：王安川;X·陈;Z·李;H·哈玛纳;Z·陈;C-M·徐;J·黄;N·K·英格尔;D·卢博米尔斯基;S·文卡特拉马;R·撒库尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。
组合处理处置

[实用新型]用于处理腔室的腔室部件-CN201820695755.1有效
发明人：邬笑炜;D·芬威克;詹国栋;J·Y·孙;M·R·赖斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：公开了一种用于处理腔室的腔室部件。腔室部件包括：由金属或陶瓷中的至少一种构成的制品；以及在所述制品的至少一个表面上的钇基氧氟化物层，所述钇基氧氟化物层具有10nm至300μm的厚度，并且其中所述钇基氧氟化物层具有选自由以下构成的组的成分
腔室部件氧氟化物钇基处理腔室复合陶瓷第二相陶瓷金属自由

[其他]用于处理腔室的腔室元件-CN202090000944.8有效
发明人：林丽萍;斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏;艾娜．王 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：揭示了用于处理腔室的腔室元件。在一个实施方式中，用于处理腔室的所述腔室元件包括具有一体式整体构造的元件部件主体。元件部件主体具有外表面。在外表面上形成设计复合表面。
用于处理元件

[发明专利]智能腔室及智能腔室元件-CN201580008206.1有效
发明人：西蒙·尼古拉斯·宾斯;布赖恩·T·韦斯特;罗纳德·维恩·肖尔;罗杰·M·约翰逊;迈克尔·S·考克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。
智能元件

[发明专利]等离子腔室的腔室屏蔽-CN02817066.0无效
发明人：布瑞·詹姆斯·古德 -专利权人：现代半导体美国公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于诸如离子植入机的源腔室之类的等离子腔室的屏蔽系统，包括：一个顶屏蔽板(502)，构形成附着在等离子腔室的顶部内表面；一个底屏蔽板(504)，构形成附着在等离子腔室的底部内表面；和一个后屏蔽板(506)，构形成附着在等离子腔室的后部内表面，其中，顶屏蔽板(502)的后缘与后屏蔽板(506)的顶缘相交，底屏蔽板(504)的后缘(528)与后屏蔽板(506)的底缘相交，从而顶屏蔽板(502)、底屏蔽板(504)和后屏蔽板(506)装配在一起基本上盖住腔室的内表面，从而在等离子腔室工作时减少在等离子腔室内侧表面上的沉积。
等离子屏蔽

[其他]用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室-CN201790001227.5有效
发明人：甘加达尔·希拉瓦特;卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达;考希克·维迪亚;波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：于此公开用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室。在一个实施方式中，用于处理腔室的腔室部件具有基底部件主体。所述基底部件主体具有外部表面，所述外部表面经配置以面对所述处理腔室的处理环境。纹理化表层顺应于所述外部表面。所述第二侧具有多个设计特征，所述设计特征经配置以在所述处理腔室的使用期间增强所述纹理化表层上所沉积材料的附着性。
用于处理部件屏蔽设计以及

[发明专利]负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统-CN201610153803.X有效
发明人：周仁;范川;吕光泉;张孝勇;方仕彩;廉杰;门恩国 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明所揭露之内容为一种负载腔室，包括一腔室本体，该腔室本体包括：至少一对腔室，用于承载一或多个晶圆基板；及至少一内部管线，设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室，以提供该对腔室之气体回填或抽取。所述负载腔室具有多层结构，而该等多层结构之任一者包含该对腔室。所述腔室本体包含一框架，该框架具有复数个内壁，该等内壁定义该对腔室。所述腔视本体更包含复数个盖板，该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架，并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。
负载及其使用之多处理系统

[发明专利]蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法-CN201810741728.8在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;黄艾东 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。又由于第三内壁以及所述第四内壁上设置有多个齿状突起，可以增加腔室壁内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁以及所述第四内壁的结合强度，从而以提升腔室壁表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落
内壁蚀刻腔室蚀刻半导体晶圆表面高能粒子轰击半导体晶圆齿状突起发生装置高能粒子高频电场更换部件溅射蚀刻生产安全生产效率影响产品电场粗糙度飞溅物结合力腔室壁提升腔抓持力掉落飞溅室壁粘附堆积加工攻击保证

[发明专利]腔室进气结构以及反应腔室-CN201811550798.1在审
发明人：徐刚;张军;郑波;马振国 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种腔室进气结构以及反应腔室，其中的腔室进气结构包括：设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘；连接件装置设置有第一混合腔，喷气盘设置有第二混合腔；多种不反应气体在第一混合腔中进行混合，混合气体通过第一混合气体通道、第二混合气体通道进入腔室内；反应气体通过第一反应气体通道、第二反应气体通道并经过第二混合腔进入腔室内。本发明的腔室进气结构以及反应腔室，能够避免发生反应的气体与其他反应气体在进入腔室前进行混合；将不直接反应的两种其他反应气体提前混合均匀，发生反应的气体通过匀流板和喷气板进行两次匀流，达到提高反应气体的在硅片上方混合和扩散均匀性的目的
反应气体进气结构混合腔腔室反应腔室进入腔反应气体通道混合气体通道连接件装置喷气盘室内扩散均匀性混合气体气体通过直接反应喷气板匀流板种腔室硅片上盖

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