“迈克尔·S·考克斯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于薄基板搬运的静电载体-CN201910019606.2有效
发明人： 迈克尔·S·考克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文所提供的实施方式大体涉及静电卡盘(ESC)。静电卡盘可包括减少数目的应力起始点，诸如穿过静电卡盘的孔，此举可改良静电卡盘的机械完整性。设置在静电卡盘中的电极可经由导电导线连接至电触点及电源，这些导电导线可被耦接成或形成为沿着静电卡盘的外围边缘。由此，可减少或消除对形成于静电卡盘中的孔的需求。此外，气体通道可形成于顶表面、底表面或顶表面与底表面两者上。气体通道可减少或消除对形成为穿过静电卡盘的气体通道的需求，及可有助于基板支撑件、静电卡盘与耦接至静电卡盘的基板之间的热传递。
用于薄基板搬运静电载体

[发明专利]霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统-CN202010085736.9有效
发明人： 迈克尔·S·考克斯;王荣平;布赖恩·韦斯特;罗杰·M·约翰逊;科林·约翰·迪金森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容涉及霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统。本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
霍尔效应增强电容耦合等离子体消除系统真空处理

[发明专利]与介电沉积一起使用的非消失的阳极-CN201780025858.5有效
发明人： 迈克尔·S·考克斯;劳拉·哈夫雷查克;布赖恩·T·韦斯特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般地涉及用于半导体处理腔室的阳极。更具体而言，本文描述的实施方式涉及处理配件，该处理配件包括屏蔽件，该屏蔽件用作在物理沉积腔室中的阳极。屏蔽件具有圆柱带，该圆柱带具有顶部和底部，该圆柱带尺寸设为围绕设置在靠近该顶部处的溅射靶的溅射表面和设置于底部的基板支撑件，该圆柱带具有内表面。纹理设置于内表面上。纹理具有多个特征结构。阴影区域设置于特征结构中，其中阴影区域对于溅射靶而言是不可见的。小的阳极表面设置在阴影区域中。
沉积一起使用消失阳极

[发明专利]透明静电载具-CN201680028308.4有效
发明人：莱昂·夸伊·李;迈克尔·S·考克斯;帕拉维·张 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：于此描述的实施方式提供用于传输基板的静电载具。静电载具可具有透明主体。透明主体可具有第一表面，调整第一表面的大小以运输基板进入及离开处理腔室。该静电载具也可具有一个或多个静电吸附电极，这一个或多个静电吸附电极耦接至该透明主体。这一个或多个静电吸附电极可包含透明传导氧化物材料。在某些实施方式中，透明传导氧化物材料为氧化铟锡材料。
透明静电

[发明专利]物理气相沉积的腔室内电磁铁-CN201980024765.X在审
发明人：布赖恩·T·韦斯特;迈克尔·S·考克斯;米罗斯拉夫·盖洛;丁克什·索曼纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：物理气相沉积(PVD)腔室沉积具有高厚度均匀性的膜。PVD腔室包括电磁线圈，当用直流电力通电时，所述线圈可改变PVD腔室的处理区域的边缘部分中的等离子体。线圈设置在PVD腔室的真空容纳部分内并且位于PVD腔室的处理区域外部。
物理沉积室内电磁铁

[发明专利]用于气体消除的方法及装置-CN201680043524.6有效
发明人：王荣平;曾继兵;大卫·姆曲英·胡;迈克尔·S·考克斯;原铮;杰姆斯·L·厄鲁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文中所公开的实施方式包括用于消除半导体工艺中所产生的化合物的等离子体源、消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，等离子体源包括介电管和围绕所述管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，且至少一个匝被短接。选择性地短接线圈天线的一个或多个匝帮助减少了线圈天线的电感，而允许向线圈天线供应覆盖更多处理容积的更高的功率。供应至线圈天线的更高功率和更大的处理容积带来了改良的DRE。
用于气体消除方法装置

[发明专利]用于稳定化高温沉积的气冷式基板支撑件-CN201580007946.3有效
发明人：布赖恩·韦斯特;迈克尔·S·考克斯;吴正勋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供用于稳定基板温度的设备及方法，通过：流动冷却气体流至基板支撑件中的冷却通道的入口，使用热交换器从冷却通道的出口接收冷却气体流，以及释放冷却气体至最近环境，例如清洁室或微环境。
用于稳定高温沉积气冷式基板支撑

[发明专利]用于等离子体处理的发弧检测设备-CN202010242936.0在审
发明人：琳·张;王荣平;简·J·陈;迈克尔·S·考克斯;安德鲁·V·勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
用于等离子体处理检测设备

[发明专利]具有背部冷却槽的溅射靶材-CN201810646078.9有效
发明人：布赖恩·T·韦斯特;迈克尔·S·考克斯;吴正勋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形槽，这些圆形槽彼此间隔开；及至少一个弓状通道，该弓状通道切割穿过这些圆形槽，且从该溅射板的径向内部区域延伸至该径向外部区域。环形背板界定暴露该溅射板的背部表面的开口环。
具有背部冷却溅射

[发明专利]用于等离子体处理的发弧检测设备-CN201680068256.3有效
发明人：琳·张;王荣平;简·J·陈;迈克尔·S·考克斯;安德鲁·V·勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
用于等离子体处理检测设备

[发明专利]霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统-CN201580012315.0有效
发明人： 迈克尔·S·考克斯;王荣平;布赖恩·韦斯特;罗杰·M·约翰逊;科林·约翰·迪金森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
霍尔效应增强电容耦合等离子体消除系统真空处理

[发明专利]用于较小晶片及晶片片段的晶片载具-CN201480065526.6有效
发明人： 迈克尔·S·考克斯;谢丽尔·A·克内佩弗莱雷 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及一种用于固定及传送基板的设备及方法。其中设置有一或更多个静电夹持电极的基板载具静电地将基板耦接至该载具。视情况地，也可将掩模静电地耦接至载具，且该掩模可设置于未由基板占据的载具的一区域之上。在一实施方式中，提供多个电极组件，以使得第一电极组件将基板夹持至载具，且第二电极组件将掩模夹持至该载具。在另一实施方式中，在载具中形成凹穴，且电极组件在该凹穴内提供夹持能力。
用于较小晶片片段

[发明专利]含有重原子的化合物的等离子体减量-CN201580003949.X有效
发明人： 迈克尔·S·考克斯;莫尼克·麦金托什;科林·约翰·迪金森;保罗·E·费舍尔;田中豊;原铮 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-19 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明描述一种等离子体减量工艺以用于减少来自处理腔室的含有化合物的流出物。等离子体减量工艺取用来自处理腔室(例如，沉积腔室)的气态前级管道流出物，并使该流出物在位于前级管线路径上的等离子体腔室内进行反应。该等离子体使流出物中的化合物解离，而将该流出物转化成较良性的化合物。减量剂可帮助减少所述化合物。该减量工艺可为挥发减量工艺或凝结减量工艺。代表性的挥发减量剂包括，例如，CH
含有原子化合物等离子体

[发明专利]智能腔室及智能腔室元件-CN201910307866.X在审
发明人：西蒙·尼古拉斯·宾斯;布赖恩·T·韦斯特;罗纳德·维恩·肖尔;罗杰·M·约翰逊;迈克尔·S·考克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。
监控装置腔室主体腔室盖智能腔天线元件处理组件设置腔室耦接邻近通信

[发明专利]减少沉积不对称性的沉积设备和方法-CN201610580821.6有效
发明人：艾伦·里奇;迈克尔·S·考克斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备，所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件，所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板，所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。
减少沉积对称性设备方法

1
2
下一页»
尾页
共 30 条