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[发明专利]用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法-CN201710291608.8有效
发明人：尼古拉斯·文森特·利考西;E·S·科扎尔斯基;古拉密·波奇 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法，半导体胞元包括衬底、以及含至少五个实质平行鳍片的阵列，此等鳍片是以实质均等鳍宽布置于该衬底上。阵列内至少一对相邻鳍片间包括预定最小间隔距离。阵列具有用于n型半导体装置的第一n型鳍片、及用于p型半导体装置的第一p型鳍片。该第一p型鳍片是与该第一n型鳍片相邻而置并且以预定第一n至p距离与该第一n型鳍片相隔。该第一n至p距离大于该最小间隔距离，并且小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。
用于半导体装置结合 sadp 及其制造方法

[发明专利]一种应用于FinFET工艺中的集成电路芯片的静电保护装置及其制备方法-CN202010008162.5在审
发明人：姜一波;毕卉;赵伟 -专利权人：常州工学院
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于FinFET工艺中的集成电路芯片的静电保护装置及其制备方法，包括半导体基底、N型阱区、P型阱区、阳极P型重掺杂鳍片区、阳极N型重掺杂鳍片区、肖特基轻掺杂鳍片区、金属、阴极P型重掺杂鳍片区、阴极N型重掺杂鳍片区和鳍片隔离结构，所述N型阱区和P型阱区位于所述半导体基底内，所述阳极P型重掺杂鳍片区、N型阱区和P型阱区构成寄生的PNP结构BJT，所述N型阱区、P型阱区和阴极N型重掺杂鳍片区构成寄生的NPN结构BJT，所述PNP结构BJT和所述NPN结构BJT结构相互嵌入构成鳍栅结构可控硅，所述肖特基轻掺杂鳍片区和金属形成肖特基势垒，构成肖特基二极管，所述肖特基二极管作为所述鳍栅结构可控硅的触发机构
一种应用于 finfet 工艺中的集成电路芯片静电保护装置及其制备方法

[发明专利]具伸张应力鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构-CN201710584810.X有效
发明人：李凯霖;李志成;陈威任;康庭绚;何仁愉;黄泓文;陈纪孝;杨皓翔;石安石;谢宗翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构，其具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，包含提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区，接着形成二第一沟槽和二第二沟槽于基底中，第一沟槽定义出一鳍状结构，第二沟槽截断第一沟槽，然后进行一流动型化学气相沉积步骤，以形成一氧化硅层填入第一沟槽和第二沟槽，之后形成一图案化掩模只位于N型晶体管区，图案化掩模只重叠位于第二沟槽内的氧化硅层，然后以图案化掩模为掩模，去除部分的氧化硅层直至曝露出的氧化硅层的上表面低于鳍状结构的上表面。
伸张应力结构制作方法互补式鳍状晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210293573.9在审
发明人：尹海洲;蒋葳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上沿第一方向延伸的鳍片、鳍片上沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，其特征在于：鳍片的下部分的材料导电性小于鳍片的上部分。本发明还提供了一种半导体器件制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片沟道区下方刻蚀形成孔洞并且可以进一步填充氧化物，有效减小了沟道区底部泄漏电流同时还避免结电流和结电容增大，提高了器件性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610133540.6有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区域、环绕第一区域且与第一区域相邻的第二区域，以及环绕第二区域且与第二区域相邻的第三区域；刻蚀衬底，形成鳍部，第一区域的鳍部密度大于第二区域和第三区域的鳍部密度；在第一区域的鳍部内形成垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形的第一开口；在第一开口中形成第一连接层。由于第一区域的鳍部密度较大，鳍部与鳍部之间的距离较小，本发明通过形成垂直于所述衬底表面方向的剖面形状为U形的第一连接层，避免所述第一连接层因侧壁具有凸出形貌而发生互相连接，从而避免所述第一连接层的形貌对双极结型晶体管的性能稳定性造成不良影响
半导体结构及其形成方法

[发明专利]手提电脑用散热鳍片的扣合构造-CN200710134708.6无效
发明人：金铭 -专利权人：昆山市宝福通电子科技有限公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种手提电脑用散热鳍片的扣合构造，包括由多数单片式散热鳍片相互扣合组成的散热组件，散热鳍片具有一同向的上弯折部和下弯折部，上弯折部和下弯折部分别形成呈凸出的“T”型连接部，上弯折部和下弯折部上分别形成呈“T”型的连接孔，且“T”型连接孔延伸到散热鳍片本体，凸出的“T”型连接部和“T”型连接孔方向相同，各散热鳍片相连时，后一片散热鳍片的T型连接部恰好可置于前一片散热鳍片的T型连接孔中，后一片散热鳍片的T型连接部端头向散热鳍片本体内凹陷且凹陷端面止挡于前一片散热鳍片本体侧面，后一片散热鳍片T型连接部的肩部抵触于前一片散热鳍片T型连接孔的肩部。
手提电脑散热构造

[实用新型]手提电脑用散热鳍片的扣合构造-CN200720038694.3无效
发明人：金铭 -专利权人：昆山市宝福通电子科技有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手提电脑用散热鳍片的扣合构造，包括由多数单片式散热鳍片相互扣合组成的散热组件，散热鳍片具有一同向的上弯折部和下弯折部，上弯折部和下弯折部分别形成呈凸出的“T”型连接部，上弯折部和下弯折部上分别形成呈“T”型的连接孔，且“T”型连接孔延伸到散热鳍片本体，凸出的“T”型连接部和“T”型连接孔方向相同，各散热鳍片相连时，后一片散热鳍片的T型连接部恰好可置于前一片散热鳍片的T型连接孔中，后一片散热鳍片的T型连接部端头向散热鳍片本体内凹陷且凹陷端面止挡于前一片散热鳍片本体侧面，后一片散热鳍片T型连接部的肩部抵触于前一片散热鳍片T型连接孔的肩部。
手提电脑散热构造

[发明专利]一种P型鳍式场效应晶体管及制造方法-CN201510627918.3有效
发明人：张严波;殷华湘;朱慧珑;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型鳍式场效应晶体管，包括：衬底；鳍体，位于所述衬底上，所述鳍体包括：第一部分、第二部分，且所述第二部分材料的价带顶高于所述第一部分材料的价带顶，二者价带顶之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压与单位电荷之积；隔离，部分填充于所述鳍体之间；栅堆叠，位于所述鳍体之上并垂直于所述鳍体，所述栅堆叠包括栅极和栅介质层；源/漏区，位于所述栅极两侧的鳍体上。本发明提供的FinFET由于所述鳍体的第二部分材料的价带顶高于所述第一部分材料的价带顶，之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压与单位电荷之积，使所述第一部分作为阻挡层减小所述第二部分与所述衬底之间的漏电流
一种型鳍式场效应晶体管制造方法

[发明专利]基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管及其加固方法-CN202310856139.5在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，保证了n型鳍式场效应晶体管在辐射环境下正常工作。
基于衬底偏压型鳍式场效应晶体管及其加固方法

[发明专利]SRAM FINFET器件的结构和方法-CN201410778074.8有效
发明人：江国诚;冯家馨;吴志强;卡洛斯·H.·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FINFET)器件的实施例。该器件包括设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的氧化硅锗(SiGeO)层和设置在SiGeO层上方的锗(Ge)部件。该器件还包括位于p型FinFET(PFET)区域中的衬底上方的第二鳍结构。第二鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的凹进的氧化硅锗(SiGeO)层、设置在凹进的SiGeO层上方的外延硅锗(SiGe)层以及设置在外延SiGe层上方的锗(Ge)部件。
鳍结构凹进的氧化硅衬底硅层鳍式场效应晶体管外延硅

[发明专利]半导体装置-CN201910003735.2在审
发明人：李允逸;朴星一;朴宰贤;李炯锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离
鳍型图案栅极结构半导体装置虚设延伸基底方向交叉上表面

[实用新型]具有环型鳍片的马达框架-CN201920915910.0有效
发明人：彭奂森;徐子权;许华弦 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H02K5/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有环型鳍片的马达框架，包含一框架本体以及多个环型鳍片组件。框架本体具有一自一第一端沿一轴心方向延伸至一第二端的外周面。多个环型鳍片组件沿轴心方向排列设置于外周面，且每一环型鳍片组件包含一第一弧型鳍片以及一第二弧型鳍片。第一弧型鳍片设置于外周面，沿一垂直于轴心方向的弧形路径延伸。第二弧型鳍片设置于外周面，沿弧形路径延伸，并与第一弧型鳍片间隔设置而形成一缺口。本实用新型的马大框架可有效提升散热效率。
弧型鳍片外周面环型轴心方向鳍片组件本实用新型弧形路径框架本体延伸马达框架排列设置散热效率鳍片间隔大框架第一端垂直

[实用新型]整合型热交换器-CN200720003123.6无效
发明人：李森墉;林水木 -专利权人：李森墉
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本新型提供一种整合型热交换器，主要是将一热交换单元整合于离心式风扇上，其中，所述热交换单元包括设置于离心式风扇内部且排列于风扇叶片外围的大量散热鳍片及一固设于离心式风扇底座上的热管；所述散热鳍片兼具导流作用且热管内部是装填有冷却介质；由此，令待散热的流体流经热管，则热管的高温将传导至底座及散热鳍片，而离心式风扇则可将冷空气导入并流经散热鳍片后自出风口流出，达致散热诉求并具有缩减热交换器的体积及发挥最佳散热效能的优点及功效。
整合热交换器

[发明专利]万能套式弹性无对中联轴器-CN201210469464.8无效
发明人：谢铮一;禹中 -专利权人：新余市泰成机械有限责任公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： F16D3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种万能套式弹性无对中联轴器，包括第一半联轴器和第二半联轴器，第一半联轴器的外周设置有第一连接鳍，第一连接鳍两侧为平面且设置有通孔，第二半联轴器的外周设置有与第一连接鳍相对应的第二连接鳍，U型连接件一端为封闭端，另一端为开口端，第一半联轴器和第二半联轴器通过U型连接件连接，U型连接件开口端设有通孔，并与第一半联轴器连接鳍上通孔相对应，U型连接件卡于第一连接鳍和第二连接鳍上，其开口端的通孔与第一半联轴器连接鳍上的通孔通过紧固件连接
万能弹性联轴器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310002575.6在审
发明人：姜明昊;金勇儿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一有源鳍，具有第一鳍型图案和在其间的第一分离区；第二有源鳍，具有第二鳍型图案和在其间的第二分离区，其中第一有源鳍和第二有源鳍之间的第一沟槽区具有第一深度，并且第一鳍型图案和第二鳍型图案被第一沟槽区合并；与第一有源鳍相邻的第三有源鳍，其中第一有源鳍和第三有源鳍之间的第二沟槽区具有大于第一深度的第二深度；以及与第一有源鳍和第二有源鳍以及第三有源鳍交叉的至少一条第一栅极线。
半导体器件及其制造方法