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[实用新型]一种基于场效应管的整流桥电路及整流装置-CN202222604210.4有效
发明人：蔡灿焕;邢才旺;黄建国;王燕;邓良中;蔡灿锋;赵康乐 -专利权人：深圳市富迪电子有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于场效应管的整流桥电路及整流装置，电路包括：第一整流单元、第二整流单元、第三整流单元及第四整流单元；第一场效应管的漏极分别与第二场效应管的栅极、电源输入的正极或负极、第三场效应管的源极及第四场效应管的栅极电连接，第一场效应管的栅极分别与第二场效应管的漏极、第四场效应管的源极及第三场效应管的栅极电连接，第一场效应管的源极分别与第二场效应管的源极及电压输出端电连接；第二场效应管的漏极与电源输入的正极或负极电连接，第三场效应管的漏极及第四场效应管的漏极接地。
一种基于场效应整流电路装置

[发明专利]串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备-CN202310723234.8在审
发明人：杨明;徐东林 -专利权人：哈尔滨西恩科技有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本申请涉及电子电路技术领域，公开一种串扰抑制电路，该串扰抑制电路包括负压产生电路，负压产生电路设置于驱动芯片和场效应管之间，负压产生电路被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态在场效应管关断的情况下，通过负压产生电路在场效应管的栅极产生负电压，进而保持场效应管的关断状态，从而抑制了场效应管之间的串扰现象，避免了场效应管的受到串扰影响而开通的现象。
抑制电路驱动电子设备

[实用新型]一种设有散热装置的场效应管-CN201721571770.7有效
发明人：李洪毅 -专利权人：宁波市鄞州堃信工业产品设计有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种设有散热装置的场效应管，包括场效应管基板以及设置在场效应管基板下方的散热装置，其特征在于：所述散热装置上位于场效应管基板的两侧还分别设有弹性压片，所述弹性压片的一端固定在散热装置上，另一端为自由端并压紧在场效应管基板上，所述场效应管基板与散热装置之间还设有第一硅胶导热层。该设有散热装置的场效应管可使场效应管基板与散热装置充分良好接触以利于散热，并在场效应管受热膨胀时提供一定的弹性空间而使场效应管不易受损。
场效应管散热装置基板效应管弹性压片硅胶导热层弹性空间良好接触受热膨胀自由端散热压紧受损

[实用新型]一种基于场效应管的电子开关模块-CN201921500560.8有效
发明人：郑阿东;王大丽;贾锋涛;樊启蒙 -专利权人：奇瑞汽车股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提出一种基于场效应管的电子开关模块，该电子开关模块具有寿命长、静音的优点，可以替代传统的继电器来实现负载电路的通断控制。本实用新型的基于场效应管的电子开关模块包括电路板及安装于电路板上的PNP型三极管和P型场效应管，所述三极管的基极通过第一电阻与电子开关模块的控制端子相连，三极管的发射极通过第二电阻与三极管的基极相连，三极管的集电极接地；所述场效应管的源极与电子开关模块的电源输入端子相连，场效应管的栅极通过第三电阻与三极管的发射极相连，场效应管的漏极与电子开关模块的电源输出端子相连。
一种基于场效应电子开关模块

[实用新型]一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管-CN201520433434.0有效
发明人：郑亚开;唐莹;韦一;彭应全;陈真 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管。一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管包括衬底、栅极、栅介质层、N型有源层、P型有源层、源极和漏极，其中N型有源层和P型有源层并排交叉排列在源漏电极和栅介质层之间组成纵向叠层结构。该结构使N型有源层和P型有源层交界面处激子离解充分，提高有机双极型场效应管中电子和空穴的载流子迁移率。因此本实用新型能有效提高双极型有机场效应管的性能。
一种纵向结构双极型有机场效应

[发明专利]屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法-CN202310189400.0在审
发明人：梁嘉进;伍震威;单建安 -专利权人：安建科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为改善现有屏蔽栅沟槽型场效应管器件的可靠性，UIS性能，反向导通性能，并减少硅面积的浪费。本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应管，所述的场效应管利用集成的高电阻场板沟槽，改善器件开关过程中元胞不均匀开通导致的击穿问题，所述的高电阻场板沟槽还可以作为缓冲器，改善器件开关和反向恢复时的过冲电流。
屏蔽沟槽场效应及其制造方法

[实用新型]屏蔽栅沟槽型场效应管-CN202320362120.0有效
发明人：梁嘉进;伍震威;单建安 -专利权人：安建科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为改善现有屏蔽栅沟槽型场效应管器件的可靠性，UIS性能，反向导通性能，并减少硅面积的浪费。本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应管，所述的场效应管利用集成的高电阻场板沟槽，改善器件开关过程中元胞不均匀开通导致的击穿问题，所述的高电阻场板沟槽还可以作为缓冲器，改善器件开关和反向恢复时的过冲电流。
屏蔽沟槽场效应

[实用新型]一种场效应管的新型TO-220AB型封装装置-CN201521018414.3有效
发明人：许祥建 -专利权人：河北世纪恒兴电子技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场效应管的新型TO-220AB型封装装置，它涉及场效应管封装领域，它包含场效应管体、铝基板、散热器，场效应管体通过回流焊焊接在铝基板上，铝基板固定安装在散热器上。它利用铝基板良好的绝缘导热性能，解决了在安装过程中绝缘导热不良的问题，省去传统安装方式的绝缘粒与导热绝缘布，不仅可以提高场效应管的绝缘性能，还可以提高导热性能。
一种场效应新型 to 220 ab 封装装置

[实用新型]一种过流自动断电保护电路-CN201320076681.0有效
发明人：林锦毅 -专利权人：厦门菲斯科电子有限公司
申请日： 2013-02-02 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种过流自动断电保护电路，其关键点在于利用PNP三极管及P沟道增强型场效应管自身的开关特性，能够在电路中过流的情况下及时对电子元器件进行保护。将取样电阻两端的压降作为PNP三极管的Vbe，通过取样电阻设定需要保护的电流值，当电路中的电流超过设定的保护电流值时，PNP三极管的发射集和集电极被导通，此时P沟道增强型功率场效应管的栅极处于高电平状态，使得P沟道增强型场效应管为高阻抗，电路中的电流被截止，P沟道增强型场效应管起到开关的作用。当故障被排除后，PNP三极管处于截止状态，此时输入P沟道增强型功率场效应管栅极的电压为低电平，P沟道增强型场效应管处于导通状态，电路自动恢复到正常工作状态，无需人工更换器件。
一种自动断电保护电路

[实用新型]一种基于双面散热MOSFET的助力转向系统控制器-CN202320463994.5有效
发明人：吴夏青;陆劲锋;金方达;马海杰;王焘;石刘丽 -专利权人：博世华域转向系统有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02P6/00 文献下载
摘要：一种基于双面散热MOSFET的助力转向系统控制器，其特征在于：电子控制单元上嵌设有电机驱动三相全桥驱动电路，电机驱动三相全桥驱动电路包括场效应管、高精度采样电阻，电源正极分三路，分别三相桥上桥的场效应管一、场效应管二、场效应管三的三个漏极连接，场效应管一、场效应管二、场效应管三的三个源极分别与三相桥下桥的场效应管四、场效应管五、场效应管六的三个漏极及三相相分离的场效应管七、场效应管八、场效应管九的三个漏极连接
一种基于双面散热 mosfet 助力转向系统控制器

[实用新型]基于场效应管的短路保护电路-CN201620406483.X有效
发明人：徐克飞 -专利权人：厦门奥马科技有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于电路安全技术领域，具体涉及一种基于场效应管的短路保护电路。它包括电阻R1、场效应管Q1、电阻R4、场效应管Q2、稳压二极管Z1、场效应管Q3和电阻R3，电源正极经电阻R3分别接场效应管Q3的源极和稳压二极管Z1的负极，稳压二极管Z1的正极接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的源极接地，场效应管Q2的漏极接场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的栅极和漏极之间串接电阻R1，场效应管Q1的漏极接电源正极，场效应管Q1的源极经电阻R4接地，场效应管Q1的源极与场效应管Q3的栅极连接，场效应管Q3的漏极接电压输出端。
基于场效应短路保护电路

[发明专利]集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管-CN200710134474.5有效
发明人：易扬波;刘侠;李海松 -专利权人：无锡博创微电子有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底，在N型衬底上设置有N型外延，在N型外延上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，在所述的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管之间设有一隔离结构，该隔离结构包括浮置P型阱、二氧化硅介质层以及多晶硅场板，所述的浮置P型阱设置在N型外延上，所述的二氧化硅介质层设置在浮置P型阱的上端，所述的多晶硅场板设置在二氧化硅介质层中。与现有技术相比，本发明采用隔离机构将增强型和耗尽型两种垂直双扩散金属氧化物场效应管集成在一块芯片内，更有利系统的集成和小型化。
集成增强耗尽垂直扩散金属氧化物场效应

[实用新型]一种电压换相电路-CN202122256476.X有效
发明人：彭博;刘祥彪;刘健;李春雷;钟颖 -专利权人：恒天九五重工有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H02P7/03 文献下载
摘要：一种电压换相电路，包括电源正极、电源负极、第一行程开关、第二行程开关、第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管和泵的电磁阀；电源正极与第一行程开关、第二行程开关、第一场效应管和第四场效应管的漏极相连，第一行程开关另一端与第一场效应管和第三场效应管的栅极相连，第二行程开关另一端与第二场效应管和第四场效应管的栅极相连，第一场效应管的源极及第二场效应管的漏极与泵的电磁阀的第一接口相连，第三场效应管的漏极及第四场效应管的源极与泵的电磁阀的第二接口相连，第二场效应管和第三场效应管的源极均与电源负极相连。
一种电压电路

[发明专利]一种电源管理芯片的使能电路-CN202010436018.1在审
发明人：刘玉山;刘玉龙;张梁堂 -专利权人：厦门易创芯诚微电子有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种电源管理芯片的使能电路包括N型场效应管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5，二极管D1、D2、电阻R1、R2、R3，N型场效应管MNE1……MNEn‑1，MNEn和电源芯片功能电路；所述N型场效应管MNE1……MNEn‑1，MNEn的源极接地，漏极连接电源芯片功能电路后接电源，栅极相连后接于N型场效应管MN0的栅极。本发明采用常规的CMOS工艺设计，使能电路直接从芯片电源取电，快速决定电源芯片功能电路是否需正常工作；使能控制管可采用低压架构的场效应管，栅极电容较小，可以快速响应芯片的输入控制状态，并且在生产时可减少掩模成本和节省芯片面积
一种电源管理芯片电路

[发明专利]一种MOS场效应管及其制造方法-CN200510110711.5无效
发明人：伍宏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-11-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS场效应管及其制造方法。本发明一种MOS场效应管，其介于源/漏－衬底PN结和栅边缘的某个位置到源漏硅化物边缘的栅氧厚度大于介于源/漏－衬底PN结和栅边缘的位置之间的栅氧厚度。本发明一种制造MOS场效应管的方法，包括以下步骤：第一步，阱离子注入，阱离子注入退火，和牺牲氧化层剥离；第二步，生长或淀积一层厚栅氧化层；第三步，完全刻蚀中间区域的厚栅氧；第四步，生长薄栅氧；第五步，已有工艺方法的正常后续步骤本发明适用于半导体工艺中的MOS场效应管制造工艺。
一种 mos 场效应及其制造方法