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[发明专利]一种半导体装置的制造方法-CN202310511164.X有效
发明人：大田裕之 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括：第一型区域形成工序，对半导体衬底注入第一型杂质，在第一场效应管形成区域的漏极侧，以及第二场效应管形成区域的源极侧和漏极侧形成第一型区域，其中，第一场效应管形成区域为形成第一场效应管的区域，第二场效应管形成区域为形成第二场效应管的区域；栅极电极形成工序；以及静放电保护区域形成工序，对第一场效应管形成区域的部分第一型区域注入第二型杂质，形成第二型区域，其中第二型杂质与第一型杂质的极性相反，其中第二型区域的界面位置比第一型区域浅，且第二型区域与第一型区域的极性相反，由此在第一场效应管形成区域形成静放电保护区域。
一种半导体装置制造方法

[发明专利]对讲机的信号处理电路-CN201610995195.7在审
发明人：曾国春 -专利权人：曾国春
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了对讲机的信号处理电路，包括电容一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管二及整流电压输出线，P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极连接有信号输入线一，P沟道增强型绝缘栅型场效应管二的源极连接有信号输入线二。本发明采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且能提高整流效率。
绝缘栅型场效应管整流电压输出线信号处理电路信号输入线源极连接电容对讲机整流效率接地衬底漏极

[实用新型]一种复合沟道的有机场效应管-CN201420758725.2有效
发明人：陈真;郑亚开;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本实用新型提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
一种复合沟道有机场效应

[实用新型]一种双极型耐高温场效应管-CN202223301746.5有效
发明人：杜永亿 -专利权人：深圳市立高通科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双极型耐高温场效应管，涉及场效应管技术领域，包括多个场效应管，多个场效应管连接在电子元器件的外侧，所述电子元器件活动放置在下防护壳内，下防护壳内的顶端活动插设有上防护壳，下防护壳上安装有便于对上防护壳进行卡紧定位的卡紧机构，电子元器件采用公开号为CN217182190U现有技术中的防护箱中内部的双极型相同结构，此双极型耐高温场效应管，区别于现有技术，该双极型耐高温场效应管，利用冷却液流动管，能够对该双极型场效应管工作时进行高效散热
一种双极型耐高温场效应

[发明专利]一种IGBT及其制作方法-CN200910110732.5有效
发明人：唐盛斌;朱超群;冯卫;陈宇;吴海平;刘林 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流，这种结构具有自夹断效果，使得IGBT的短路耐受量大大增加，能够很好的保护IGBT。
一种 igbt 及其制作方法

[发明专利]电压电流混源型并网逆变器拓扑-CN201310069154.1无效
发明人：吴卫民 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明公开的电压电流混源型并网逆变器拓扑包含：环路连接的第一场效应管、第一电感、第三二极管、第三场效应管、第六场效应管、第四二极管、第二电感、第四场效应管；第三场效应管、第六场效应管、第三二极管和第四二极管之间并联有第二场效应管和第五场效应管；第一电感与第二场效应管、第二电感与第五场效应管之间并联有第一二极管和第二二极管；第一二极管电流输入端电路连接第一直流电压源和第二直流电压源的连接点、第二场效应管和第五场效应管的连接点、输出滤波电容、交流电源；第三场效应管与第六场效应管之间电路连接输出滤波电容和第三电感，第三电感另一端连接交流电源。
电压电流混源型并网逆变器拓扑

[发明专利]一种场效应管制备方法及场效应管-CN202010785617.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：互升科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及场效应管领域，提供一种场效应管的制备方法及场效应管，用于提高场效应管的耐压性能。本发明提供的一种场效应管，包括：SOI衬底；第一外延层，所述第一衬底层同所述SOI衬底连接，所述第一衬底层为n型外延层，所述第一外延层上设置有多个p垂直槽；第二外延层，所述第二外延层同所述第一外延层连接可以提高场效应管的耐压性能。
一种场效应制备方法

[实用新型]一种场效应管调光装置-CN201821786626.X有效
发明人：魏国明;蔡培瑶 -专利权人：福建中科易讯科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明设备技术领域，尤其是涉及一种场效应管调光装置，包括电源、灯管E、桥式整流电路、绝缘栅型场效应管VT、电阻R、电位器RP、二极管VD5；上述各个电子元器件之间配合连接，本场效应管调光装置利用绝缘栅型场效应管输入阻抗极高的特点，通过调节绝缘栅型场效应管栅极偏压，以控制流过灯管的电流，从而实现调光过程，本实用新型元件少且成本低，价比高，适合大量生产，能够有效解决市场上现有场效应管调光装置成本偏高和调光电路相对复杂、不容易做稳定的问题
场效应管调光装置绝缘栅型场效应管本实用新型灯管桥式整流电路照明设备电子元器件二极管调光电路调光过程配合连接输入阻抗有效解决栅极偏压电位器电阻电源

[发明专利]电子控制器及车辆-CN202310340112.0在审
发明人：韩继伟;郭中良;李晖;邱龙 -专利权人：成都赛力斯科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：该电子控制器包括依次与供电电源连接的场效应管组合电路以及电阻型传感器；场效应管组合电路包括连接在供电电源和地之间的第一场效应管和第二场效应管，第一场效应管的栅极与第二场效应管的漏极连接，第一场效应管的漏极与供电电源连接，第一场效应管的源极与电阻型传感器的供电端连接，第二场效应管的栅极与分压电阻组的分压输出点连接，其中，分压电阻组包括连接在供电电源和地之间的第一电阻和第二电阻，分压输出点为第一电阻和第二电阻的连接点。
电子控制器车辆

[发明专利]一种双极型近红外光敏场效应管及其制备方法-CN202111524590.4在审
发明人：希治远;姚博;尹宇嘉;龚鑫益;张迅;杨文锦 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型近红外光敏场效应管及其制备方法，主要采用真空蒸镀法，以p型有机小分子酞氰铜和n型有机小分子全氟酞氰铜作为异质结有源层，以金属氧化物五氧化二钒和小分子有机物2T‑NATA组成的多层超晶格结构作为光敏层，以包含300nm二氧化硅的重掺杂n型(100)硅片为衬底，以金作为源/漏电极材料制备薄膜场效应管。本发明制备方法成熟、生产成本低，所得场效应管不仅结构简单、具有双极型场效应特性和较高的稳定性，还可以对波长1000‑1400nm范围内的近红外光有较高的光响应度，在光纤通信、生物医疗、红外探测和成像等方面具有潜在的应用价值
一种双极型近红外光敏场效应及其制备方法

[实用新型]大功率恒流电源-CN89214075.5无效
发明人：温建;朱锦堃 -专利权人：中山大学
申请日： 1989-07-15 - 公布日： 1990-08-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：它采用了大功率MOS场效应管、大功率结型场效应管或用场效应管推动大功率晶体三极管作为输出电路的中心元件，结合串联式稳压电路进行控制，利用电源取样并转换为电压，与基准电压进行比较、放大，实现恒流控制。
大功率流电

[发明专利]一种断电状况检测电路-CN201310587279.3无效
发明人：黄友华 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种断电状况检测电路，它包括光耦隔离器和场效应管，所述的光耦隔离器的输出端与地之间连接有电阻R2，所述的光耦隔离器的输出端连接在场效应管的栅极上，所述的场效应管的栅极与地之间连接有电容，所述的场效应管的漏极通过电阻R3与电源相连，所述的场效应管的漏极连接在二极管的阴极上，所述的二极管的阳极连接在场效应管的源极上，所述的场效应管的源极与地之间连接有蜂鸣器，所述的场效应为P型场效应管。
一种断电状况检测电路

[发明专利]一种欠压锁定电路-CN202010436858.8在审
发明人：刘玉山;刘玉龙;张梁堂 -专利权人：厦门易创芯诚微电子有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：一种欠压锁定电路包括P型场效应管MP1、MP2、MP3、MP4，电阻R1，N型场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、齐纳管D1，P型场效应管MPU1……MPUn‑1，MPUn和电源芯片功能电路；所述P型场效应管MP1、MP2、MP3连接为电流镜结构，所述N型场效应管MN1和MN2接成二极管连接方式；所述N型场效应管MN3和MN4接成电流镜结构；所述P型场效应管MP4的源极和漏极分别连接于N型场效管MN2的漏极和源极；所述齐纳管D1的阴极接欠压锁定信号UVLO输出信号，阳极接GND。
一种锁定电路

[实用新型]一种欠压锁定电路-CN202020835941.8有效
发明人：刘玉山;刘玉龙;张梁堂 -专利权人：厦门易创芯诚微电子有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：一种欠压锁定电路包括P型场效应管MP1、MP2、MP3、MP4，电阻R1，N型场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、齐纳管D1，P型场效应管MPU1……MPUn‑1，MPUn和电源芯片功能电路；所述P型场效应管MP1、MP2、MP3连接为电流镜结构，所述N型场效应管MN1和MN2接成二极管连接方式；所述N型场效应管MN3和MN4接成电流镜结构；所述P型场效应管MP4的源极和漏极分别连接于N型场效管MN2的漏极和源极；所述齐纳管D1的阴极接欠压锁定信号UVLO输出信号，阳极接GND。
一种锁定电路

[发明专利]一种仅由场效应管实现的恒温电流源-CN201410150779.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都锐成芯微科技有限责任公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种仅由场效应管实现的恒温电流源，包括一电源端、一接地端、一电流输出端和一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管、一第十场效应管，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管组合产生带温度补偿的电流源；所述第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第十场效应管提供必要的直流偏置本发明仅由晶体管实现，并未采用电阻和三极管，同时具备一阶温度补偿，结构简单，成本低廉。
一种场效应实现恒温电流

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