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[实用新型]一种大电流场效应管的封装结构-CN202023166304.5有效
发明人：谭丛辉;王言豪 -专利权人：深圳市新芯矽创电子科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型属于场效应管技术领域，且公开了一种大电流场效应管的封装结构，包括场效应管机构、导电基座、电路板、场效应管主体和微型风扇，所述场效应管机构包括导电基座，所述场效应管机构的顶端安装有电路板，所述电路板的顶端均匀安装有场效应管主体，所述导电基座的顶端设置有封装机构，所述封装机构包括连接块，所述场效应管主体的外侧设置有散热机构。本实用新型使得用户可方便的对导电基座、电路板和场效应管主体进行封装，降低了用户安装和拆卸的难度，方便用户对场效应管主体的使用情况进行查看和分辨，可在场效应管主体运转时进行散热，避免因为场效应管主体过热，而影响场效应管主体的正常运转。
一种电流场效应封装结构

[实用新型]一种模型车用电机驱动控制装置-CN200920245773.0无效
发明人：赵轩;马建;曹仁磊;秦绪鑫;史骏;张伟方;甄娜;王冀白 -专利权人：长安大学
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H02P7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模型车用电机驱动控制装置，包括直流电动机，在直流电动机两端配置有4个场效应管，每一个场效应管的输入端连接有接地电阻和电压比较器，其中，第一场效应管与第四场效应管通过直流电动机串联连接，第二场效应管与第三场效应管通过直流电动机串联连接，组成H型双极模式转换电路；在所述的第一场效应管与第二场效应管之间接有升压电路和电源，第三场效应管和第四场效应管与各自的电压比较器之间还连接有稳压二极管
一种模型车用电驱动控制装置

[发明专利]基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法-CN202110218550.0在审
发明人：张苇杭;刘茜;张进成;张金风;付李煜;赵胜雷;黄韧;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p+GaN层本发明的基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管，在GaN/AlN异质结上设置有n‑GaN层，通过调节n‑GaN层的掺杂浓度和生长厚度，耗尽p+GaN层中的空穴，形成增强型器件，且阈值电压可由n‑GaN的厚度和掺杂浓度控制。
基于 aln 沟道增强 gan 异质结场效应制备方法

[发明专利]基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法-CN202210712707.X在审
发明人：许晟瑞;刘旭;贠博祥;张涛;张雅超;薛军帅;王心颢;卢灏;徐爽;高源;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法，主要解决现有GaN基CMOS载流子浓度和迁移率低的问题。其自下而上包括：衬底、缓冲层、GaN n型沟道层、YAlN势垒层、GaN p型沟道层、p‑GaN层、绝缘栅介质层，中间设有深度至n型沟道层中部的隔离槽；隔离槽右侧的p‑GaN层上设有右栅电极，且YAlN势垒层两端设有右源、漏电极，形成n型场效应管；隔离槽左侧的绝缘栅介质层上设有左栅电极，其p‑GaN层两端设有左源、漏电极，形成p型场效应管，这两个场效应管互联。
基于 gan yaln 异质结 cmos 器件及其制造方法

[实用新型]一种适配型的灯组驱动模块-CN201921080757.0有效
发明人：陈小平;陈品良;黄豪荣 -专利权人：佛山市云米电器科技有限公司;陈小平
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适配型的灯组驱动模块，包括电路板，所述电路板上安装有MCU芯片；所述电路板上设有调试接口、按键电路、稳压模块、第一场效应管电路、第二场效应管电路和PIN接口；所述MCU芯片与调试接口电连接；所述按键电路的两端分别与MCU芯片和供电电源电连接；所述稳压模块与第一场效应管电路和第二场效应管电路电连接，所述第一场效应管电路和第二场效应管电路与MCU芯片电连接，所述第一场效应管电路和第二场效应管电路分别与PIN接口电连接；所述MCU芯片与PIN接口电连接，所述PIN接口与LED芯片组以及外部单片机电连接；本实用新型旨在提供一种能够适配LED芯片组的LED灯珠个数并能够提供多种显示模式的适配型的灯组驱动模块
一种适配型驱动模块

[发明专利]一种ESD保护电路-CN201811113733.0有效
发明人：蒋其梦;李玉山;王汉星 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种ESD保护电路，包括负向ESD保护模块和正向ESD保护模块，负向ESD保护模块包括第一电阻、充电电容、第一场效应管和第二场效应管，正向ESD保护模块包括第四场效应管。当出现负向ESD事件时，P型GAN增强型功率器的栅极相对于源极会出现一个较大的瞬态电压，从而再充电电容上产生一个从P型GAN增强型功率器的源极到栅极的位移电流，该位移电流在第一电阻上产生压降可以使得第一场效应管开启时，第一场效应管和第二场效应管形成一个通路，从而释放来自于栅极相对于源极的负向ESD能量。同时当栅极相对于源极施加一负向稳态电压时，第一场效应管处于关断状态，所以可以兼容稳态下的负向电压测试。
一种 esd 保护电路

[发明专利]一种自补偿的气敏集成场效应管结构-CN202110084730.4有效
发明人：袁震;太惠玲;蒋亚东;梁俊阁;赵秋妮;段晓辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了气敏集成场效应管结构，属于气体传感器技术领域，具体涉及一种自补偿的气敏集成场效应管结构，该结构包括主敏感单元场效应管与补偿单元场效应管，采用双同型场效应管共极结构，利用主敏感单元与补偿单元场效应管敏感栅的吸附敏感功能，调制双场效应管分压，实现气敏场效应管结构对主测试气体的选择性自补偿信号输出。本发明所述的自补偿气敏集成场效应管结构可消除特定干扰气体对气敏场效应管敏感特性的影响，提升气敏场效应管的气敏选择性，提高气敏场效应管输出信号可靠性，在环境监测、食品安全及军事等领域均具有广泛的应用前景。
一种补偿集成场效应结构

[实用新型]一种场效应管固定装置-CN202122181647.7有效
发明人：吴迪;李聪浩 -专利权人：迪龙新能源科技河北有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场效应管固定装置，该场效应管固定装置由接触部分、连接部分与固定部分构成，且该连接部分的内凹位置为弧形结构，且该场效应管固定装置用于固定场效应管，所述场效应管上开设有连接孔，所述场效应管与场效应管固定装置之间安装有绝缘垫片该一种场效应管固定装置，在将场效应管安装到散热腔上时，场效应管固定装置不需要螺栓穿过场效应管和绝缘垫片的中间圆孔，只需要用螺栓穿过固定部分的安装孔就可以实现场效应管的固定，节省了操作时间，方便操作。
一种场效应固定装置

[实用新型]一种无源浪涌抑制电路-CN202121192437.1有效
发明人：彭晓姣;罗彪 -专利权人：陕西三恒电子科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无源浪涌抑制电路，包括供电设备，供电设备连接有并行的电子管A和电子管B，电子管A和电子管B均连接至用电设备。电子管A为P型结型场效应管，电子管A连接控制电路A。电子管B为N型结型场效应管，电子管B连接控制电路B，本实用新型主要应用于恶劣工况下的直流供电领域，所形成的成果是一项共性技术，也可用于其他领域，如飞机、车载设备、电动工具等需要供电的场所。
一种无源浪涌抑制电路

[实用新型]一种蜂鸣器应用电路及设备-CN201822266330.1有效
发明人：钟添荣;陈小墙;符道永 -专利权人：厦门实锐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G10K9/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蜂鸣器应用电路及设备，包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、蜂鸣器；第一场效应管的G极用于与MCU相连，第一场效应管的S极与地相连，第一场效应管的D极与第二场效应管的G极相连，第二场效应管的S极与地相连，第二场效应管的D极与第三场效应管的G极相连，第三场效应管的D极与蜂鸣器的第一端相连，第三场效应管的S极用于与电源相连，蜂鸣器的第二端用于与电源相连，第四场效应管的D极与蜂鸣器第一端相连，第三场效应管的S极与地相连，第四场效应管的G极用于与MCU相连。基于本实用新型，通过蜂鸣器外接场效应管的布置，使得在蜂鸣器不工作的状态下，实现了在不工作的情况下的器件无消耗。
场效应管蜂鸣器本实用新型电源应用电路外接消耗

[发明专利]单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备-CN202011440540.3在审
发明人：李科举;刘宝生 -专利权人：富满微电子集团股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备，所述单刀双掷开关包括四个场效应管单元，分别为第一场效应管单元、第二场效应管单元、第三场效应管单元和第四场效应管单元，每个场效应管单元均包括三个场效应管，每个场效应管单元的三个场效应管串联；所述第一场效应管单元的两端分别连接第一开关节点和第二开关节点；所述第二场效应管单元的两端分别连接所述第一开关节点和第三开关节点；所述第三场效应管单元的两端分别连接所述第二开关节点和地；所述第四场效应管单元的两端连接所述第三开关节点和地；在其中的N个场效应管单元中，同一场效应管单元中三个场效应管的衬底均连接于对应的一个衬底电阻单元，其中1≤N≤4。
单刀开关信号处理电路以及电子设备

[发明专利]终端-CN201811632158.5有效
发明人：蒋权 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H04R25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种终端，包括：编解码模块、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、电感、听筒；所述编解码模块的听筒信号正极管脚连接至所述第一场效应管和所述第二场效应管的漏极和所述听筒，所述编解码模块的听筒信号负极管脚连接至所述第三场效应管和所述第四场效应管的源极和所述听筒，所述第一场效应管的源极和所述第四场效应管的漏极连接至所述电感的一端，所述第二场效应管的源极与所述第三场效应管的漏极连接至所述电感的另一端，所述编解码模块的四个通用输入输出管脚分别连接所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管的栅极。
终端

[实用新型]单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备-CN202022940458.9有效
发明人：李科举;郭安华 -专利权人：富满微电子集团股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备，所述单刀双掷开关包括四个场效应管单元，分别为第一场效应管单元、第二场效应管单元、第三场效应管单元和第四场效应管单元，每个场效应管单元均包括三个场效应管，每个场效应管单元的三个场效应管串联；所述第一场效应管单元的两端分别连接第一开关节点和第二开关节点；所述第二场效应管单元的两端分别连接所述第一开关节点和第三开关节点；所述第三场效应管单元的两端分别连接所述第二开关节点和地；所述第四场效应管单元的两端连接所述第三开关节点和地；在其中的N个场效应管单元中，同一场效应管单元中三个场效应管的衬底均连接于对应的一个衬底电阻单元，其中1≤N≤4。
单刀开关信号处理电路以及电子设备

[发明专利]同时产生多种温度特性参考电流的带隙基准参考源电路-CN201710749296.0有效
发明人：李振国;胡毅;何洋;杨小坤 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：其中，零温度系数电压、正温度系数电流输出电路包括：第一电阻、第二电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管和第二N沟道场效应管；负温度系数电流输出电路包括第一电流镜、第三电阻和第三N沟道场效应管；零温度系数电流输出电路包括第二电流镜。
同时产生多种温度特性参考电流基准电路

[发明专利]一种检查低压晶体管可靠性的方法-CN201910173006.1有效
发明人：曹云;于明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种检查低压晶体管可靠性的方法，至少一个低压晶体管位于电路中，电路还包括至少一个高压晶体管，高压晶体管包括P型场效应管和N型场效应管，电路连接高压电源和低压电源，步骤一，直接确定每个低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至高压电源，若是，则对该低压晶体管进行标记；步骤二，将每个P型场效应管的源极和漏极进行短路后，确定每个低压晶体管的栅极、源极、漏极和衬底是否连接至高压电源，若是，则对该低压晶体管进行标记；步骤三，将每个P型场效应管的源极和漏极进行短路，确定每个N型场效应管的栅极是否连接高压电源，且该N型场效应管的源极是否连接一个低压晶体管的漏极，若是，则对该低压晶体管进行标记。
一种检查低压晶体管可靠性方法