专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]循环肿瘤细胞捕获装置-CN201120255677.1有效
  • 赖胜;杜昭辉 - 西门子公司
  • 2011-07-19 - 2012-06-20 - C12M1/00
  • 所述装置包括表面具有纳米阵列结构的三维纳米结构基质,所述纳米阵列结构与所述循环肿瘤细胞的表面突起结构相匹配,其中,所述三维纳米结构基质由生物相容的聚合物制成。由于该装置的三维纳米结构基质采用生物相容性聚合物,且通过纳米压印方法制造,因此成本低廉,易于产业化生产,可一次性用于临床诊断。
  • 循环肿瘤细胞捕获装置
  • [发明专利]一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法-CN201710154030.1有效
  • 蔡端俊;孙飞鹏;马吉 - 厦门大学
  • 2017-03-15 - 2019-02-26 - H01L41/37
  • 一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法,涉及纳米发电机。提供灵活性强,可操作性简单,容易集成耐磨材料,可用于衣服和鞋子,成功将身体的日常运动的机械能转化为电能,为智能服饰的开发和应用提供前提条件的一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法。在金属衬底直接生长整齐的氧化锌纳米阵列,得ZnO/h‑BN/金属复合结构;在ZnO/h‑BN/金属复合结构上旋涂PDMS透明硅胶填充纳米阵列,得弹性的氧化锌纳米阵列薄膜;去除金属衬底,获得埋藏氧化锌纳米阵列的透明PDMS薄膜结构;在PDMS/ZnO薄膜结构连帽压印上金属纳米线网络,退火得纳米焊接网络,做透明电极;连接上下电极至载体,即完发电机的制备。
  • 一种透明柔性压电纳米发电机制备方法
  • [发明专利]衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法-CN202010487579.4在审
  • 刘良宏;许彬;张海涛 - 无锡吴越半导体有限公司
  • 2020-06-02 - 2020-09-01 - C30B29/40
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供一种衬底,包括基底,所述基底上表面具有一个分布均匀且方向与厚度均保持一致的纳米层,所述纳米层高度为0.2~5um;任意两纳米之前间隔相等,所述间隔为0.2~5um;所述纳米层任一纳米的端面均为圆形端面或者正六边形端面本发明具有以下优点:(1)生长在纳米上的氮化镓材料同样具有纳米结构特性,位错很低;(2)在纳米层二维侧向生长GaN层过程中进一步降低位错;(3)纳米之间存在的均匀空隙,可以有效吸收HVPE异质外延产生的应力;(4)在降温时由于热胀冷缩不同的应力可以使氮化镓和衬底在纳米交界处更容易地剥离。
  • 衬底基于支撑gan及其制备方法
  • [发明专利]紫外LED结构及其制备方法-CN202011274999.0有效
  • 不公告发明人 - 至芯半导体(杭州)有限公司
  • 2020-11-16 - 2021-02-26 - H01L33/20
  • 本发明提供一种紫外LED结构及其制备方法,其中紫外LED结构,包括:衬底和依次生长在所述衬底的一个表面上的非掺杂AlN层、非掺杂AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、AlGaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层;在所述AlGaN电子阻挡层上纵向生长P型纳米;蒸镀N电极和P电极。根据本发明的紫外LED结构,P型纳米的直径可控,同时纳米的密度可控;金属薄层在退火后形成的金属小球,具有纳米生长的引导和催化剂作用,使纳米能够纵向生长;并且生长过程无需取出反应室中,采用原位生长法
  • 紫外led结构及其制备方法
  • [发明专利]基于纳米阵列的光电器件及其制作方法-CN201110235828.1有效
  • 张东炎;郑新和;李雪飞;董建荣;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2011-08-17 - 2011-11-23 - H01L31/0352
  • 一种基于纳米阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米阵列结构的n型或p型半导体层,该纳米阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区,该p型或n型区上覆设电流扩展层,该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极;该方法包括对纳米阵列模板进行填充、平面化,制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题,也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题,使器件不仅具有纳米结构特性,而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性
  • 基于纳米阵列光电器件及其制作方法
  • [发明专利]在ZnO纳米阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法-CN201610710000.X有效
  • 焦杨;杜利霞;姚合宝;郑新亮;李兴华;范海波 - 西北大学
  • 2016-08-23 - 2019-01-22 - C23C18/12
  • 本发明公开的在ZnO纳米阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒的方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、利用醋酸锌、二乙醇胺、无水乙醇及聚乙二醇制备前驱体;步骤2、将经步骤1得到的前躯体采用旋涂仪旋涂于氧化锌纳米阵列上;步骤3、经步骤2后,将旋涂有前驱体的氧化锌纳米阵列放置于恒温电热板上,于空气氛围下进行退火处理,实现在ZnO纳米阵列表面沉积生长ZnO纳米颗粒。本发明的方法,能使氧化锌纳米颗粒与纳米紧密结合、易对单根纳米柱形成良好包覆,从而有效提高纳米阵列表面积、表面粗糙度,使其能更好地应用于光伏器件、疏水性表面等领域,或作为制备氧化锌纳米分级结构的基础。
  • zno纳米阵列表面沉积生长颗粒方法

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