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[发明专利]基于双柱电介质超表面的偏振器件-CN202110736705.X在审
发明人：邓子岚;涂清安;李枫竣;李向平 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件，包括电介质基底、电介质纳米柱阵列，所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子，N≥2，所述的双原子超构分子位于电介质基底上，所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱，两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角，两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面；通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和，实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。本发明通过利用电介质双原子结构实现了衍射光振幅、偏振的同时独立调控，增加了自由度，激发了超构表面偏振光学的应用潜能，提供了更多的超构表面应用场景。
基于电介质表面偏振器件

[发明专利]一种倒装纳米LED芯片及其制备方法-CN201310526518.4有效
发明人：陈志忠;焦倩倩;姜显哲;姜爽;李俊泽;李顺峰;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸及位置，将纳米压印和电子束曝光结合起来，将模板重复运用有利于芯片的批量化生产；对纳米柱的侧壁实施去损伤处理，使侧壁损伤得到修复，减少了漏电流的产生，起到防止短路的作用；将纳米LED芯片与倒装结构相结合，使得器件具有更高的光提取效率，更好的散热效果以及更均匀的电流扩展，提高了器件的性能；分立的结构，实现了单个纳米LED的独立电致发光，改变了现有的纳米柱阵列一齐发光的研究现状
一种倒装纳米 led 芯片及其制备方法

[发明专利]偏振阶数可调且可连续变焦的柱矢量光束透镜及构造方法-CN202010951978.1有效
发明人：梁聪玲;郑国兴;李子乐;单欣;李仲阳 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种偏振阶数可调且可连续变焦的柱矢量光束透镜，包括两片级联的超表面阵列，每片超表面阵列包括多个纳米砖结构单元，纳米砖结构单元包括工作面以及设置在工作面上的纳米砖；用线偏振光入射级联的两片超表面阵列时产生柱矢量光束；以线偏振光入射时，固定第一片超表面阵列，绕光轴旋转第二片超表面阵列，实现出射柱矢量光束的偏振阶数连续调节和连续变焦；本发明还提供上述柱矢量光束透镜的构造方法，该方法根据偏振阶数调节范围确定纳米砖转向角排布，根据焦距调节范围和精度确定纳米砖尺寸参数的排布。本发明可以实现任意阶数柱矢量光束的产生和连续变焦，解决目前柱矢量光束生成中光学系统复杂、难以连续变焦等问题。
偏振可调连续变焦矢量光束透镜构造方法

[实用新型]一种高强度台阶型动力电池顶盖板组件-CN202022100251.0有效
发明人：翁泽华;刘海涛 -专利权人：靖江市东达新能源科技有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01M50/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高强度台阶型动力电池顶盖板组件，包括顶盖片，顶盖片中间开有防爆片孔，防爆片孔两侧分别设有左极柱孔和右极柱孔，左极柱孔外周设有数个左侧通孔，右极柱孔外周设有数个右侧通孔，中间防爆片孔中安装防爆片，左极柱孔和左侧通孔中安装正极纳米塑胶件，右极柱孔和右侧通孔中安装负极纳米塑胶件，正极纳米塑胶件和负极纳米塑胶件中分别安装正极柱和负极复合极柱，顶盖片下方安装下塑胶。本实用新型结构简单，占用空间小；纳米塑料通过注塑工艺注塑至顶盖片的左右极柱孔和通孔中，并包裹正极柱和复合极柱，以此紧密连接，保证整个动力电池盖板组件的密封性及增强塑胶注塑后强度。
一种强度台阶动力电池盖板组件

[发明专利]制备微纳米柱发光二极管的方法-CN201210579063.8无效
发明人：安铁雷;孙波;孔庆峰;魏同波;段瑞飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括：在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方式，将周期结构图形掩模转移至发光二极管外延片，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充中间绝缘介质；去除发光二极管外延片上周期结构图形掩模，以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。
制备纳米发光二极管方法

[发明专利]具有双微观结构的超疏水表面及其制作方法-CN200510019857.9无效
发明人：张鸿海;范细秋;贾可;马斌;江小平;刘胜;甘志银;汪学方 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2005-11-22 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双微观结构的超疏水表面及其制作方法。超疏水表面的结构为，在聚合物薄膜的表面上同时存在微米级阵列和纳米级阵列，微米级阵列中微柱的长、宽、高和阵列中各微柱之间的间距为10～100μm，纳米级阵列中纳米柱的高、直径和阵列中各纳米柱之间的间距为10本发明具有双微观结构的超疏水表面能克服微尺度下的表面效应导致的表面摩擦和粘附；能降低微流通道的沿程压力损失，增大流体的流动速度，改善流体在微流体器件中的流动特性。本发明制作具有双微观结构的超疏水表面的方法是以微加工和阳极氧化为基础，成品率较高；以纳米压印作为转移手段，模板可重复利用，容易进行大规模批量生产，降低了成本。
具有微观结构疏水表面及其制作方法

[发明专利]一种基于金属纳米介质柱的多频率谐振腔-CN201810603298.3在审
发明人：余观夏;董隽媛;付晶晶;杜文文;骆敏 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01P7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属纳米介质柱的多频率谐振腔，包括8个金属‑介质纳米柱，所述8个金属‑介质纳米柱中的4个金属‑介质纳米柱对称分布在周期半径为R1的内层圆形区域边界上，另外4个金属‑介质纳米柱对称分布在周期半径为本发明利用金属和介质表面等离子波的特性，实现外部光或电磁信号通过等离子波在结构单元内部的谐振，与传统谐振腔源在内部引起谐振不同，同时运用等离子波作用在纳米柱之间形成谐振，使得谐振腔既可以相互独立，又可以形成一个整体
纳米柱谐振腔金属谐振等离子波多频率对称分布金属纳米圆形区域介质柱电磁信号介质表面长度比外部光内层

[发明专利]一种基于MoS2-CN202210151326.9有效
发明人：李国强;梁杰辉;刘乾湖;谢少华 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoS2上的InN纳米柱及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底、生长在Si衬底上的MoS2基底、MoS2基底上生长的InN纳米柱。本发明制备的基于MoS2上的InN纳米柱，MoS2边缘活性位点数目多，能增强InN纳米柱光生载流子分离与转移效率，能显著提高InN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的基于MoS2上的InN纳米柱具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
一种基于 mos base sub

[实用新型]一种基于金属纳米介质柱的多频率谐振腔-CN201820907803.9有效
发明人：余观夏;董隽媛;付晶晶;杜文文;骆敏 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01P7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于金属纳米介质柱的多频率谐振腔，包括8个金属‑介质纳米柱，所述8个金属‑介质纳米柱中的4个金属‑介质纳米柱对称分布在周期半径为R₁的内层圆形区域边界上，另外4个金属‑介质纳米柱对称分布在周期半径为R₂的外层圆形区域边界上，所述R₁的长度比R₂的长度短。本实用新型利用金属和介质表面等离子波的特性，实现外部光或电磁信号通过等离子波在结构单元内部的谐振，与传统谐振腔源在内部引起谐振不同，同时运用等离子波作用在纳米柱之间形成谐振，使得谐振腔既可以相互独立，又可以形成一个整体
纳米柱谐振腔金属谐振等离子波多频率本实用新型对称分布金属纳米圆形区域介质柱电磁信号介质表面长度比外部光内层

[发明专利]基于石墨烯-氧化镓相结的自供电型光电探测结构、器件及制备方法-CN201910393485.8在审
发明人：郭道友;刘琦;王顺利;李培刚;唐为华 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯‑氧化镓相结的自供电型光电探测结构及相应的制备方法，以及光电探测器。所述结构包括：衬底、形成于所述衬底上的氧化镓相结纳米柱、形成于所述氧化镓相结纳米柱上的石墨烯薄膜。所述方法包括在衬底上通过水热、退火和高温退火生成氧化镓相结纳米柱，在所述氧化镓相结纳米柱上转移形成石墨烯薄膜。本发明具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。
氧化镓纳米柱衬底光电探测器石墨烯薄膜光电探测自供电型石墨烯制备退火光谱选择性高温退火制备工艺紫外光灵敏度响应度自供电日盲水热

[发明专利]以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法-CN201610621268.6在审
发明人：刘静;伊福廷;王波;张天冲;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，磁控溅射的方法包裹其他薄膜材料，形成异质结结构。其制作方法包括：在P型硅片表面用氯化铯纳米岛自组装的方法制备大高宽比纳米柱阵列；在背面制备铝背场；用磁控溅射的方法在硅纳米柱阵列表面包裹氧化锌、硫化镉等N型材料层；在N型材料层表面覆盖ITO透明导电层；这种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的异质结电池其优点在于：第一，可以有效增加基底的表面比，提高异质结的有效面积，增加对入射光的吸收；第二，借助于大高宽比纳米柱阵列良好的陷光作用，能够减小反射，提高异质结电池的性能
纳米阵列基底异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]半导体气敏传感器及其制备方法-CN201610179398.9有效
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：该半导体气敏传感器以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，包括：硅片；制备于硅片表面的大高宽比纳米柱阵列；包裹于大高宽比纳米柱阵列的气敏材料层；制备于气敏材料层表面的插指电极。该半导体气敏传感器的制备方法，包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹气敏材料层；在气敏材料层表面制备插指电极。本发明通过将大高宽比的纳米柱阵列以基底的形式应用于气敏传感器的表面，借助于硅表面的大高宽比柱状纳米结构，可以有效增加基底的表面比，提高单位面积上气敏材料量，增加气体分子的收集率与吸附性，从而实现提高气敏传感器性能的目的
半导体传感器及其制备方法

[发明专利]含氮化镓/氧化镓纳米柱阵列的自供电探测器及制备方法-CN202011107111.4有效
发明人：尹以安;李佳霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器的技术领域，具体涉及一种含氮化镓/氧化镓纳米柱阵列的自供电探测器及制备方法。所述探测器的结构为依次排布的电极、柔性衬底、p型氮化镓层、β‑氧化镓纳米柱阵列以及电极，所述填充层包裹β‑氧化镓纳米柱阵列的侧面，用于填充β‑氧化镓纳米柱阵列，所述β‑氧化镓纳米柱阵列以及电极之间还包括石墨烯透明电极本发明以氮化镓/氧化镓纳米柱阵列组成的异质结为器件核心，在氮化镓薄膜上制备氧化镓纳米阵列，氧化镓与氮化镓之间的界面处存在小的晶格失配和低的导带偏移，可以进一步提供高光电探测器的性能，且无需外接电源即可驱使探测器工作
氮化氧化纳米阵列供电探测器制备方法

[发明专利]一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法-CN201910870721.0在审
发明人：张小龙;张永军;王雅新;陈雷;赵晓宇;朱琪 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法，属于周期纳米材料制备技术领域，本发明的目的是解决目前一种制备方法仅能适用于一种材料的，无法推广到另一种材料的问题，本发明提出了一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法，该方法以二维胶体阵列为基础，采用二次模版方法，制备出了高度有序的纳米棒状结构阵列，这种棒状结构可以为金属、合金、半导体及其相关异质结构。
制备高度有序纳米柱纳米材料制备技术棒状结构结构阵列纳米棒状异质结构二维模版半导体合金金属

[发明专利]光纤准直器制作方法-CN202110160994.3有效
发明人：叶华朋;孙倩;张永瑛;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种光纤准直器制作方法，包括：获取目标相位分布；根据所述目标相位分布得到纳米柱分布图；对光纤进行切割处理，在物镜上滴光刻胶，并将所述光纤的端部浸入到光刻胶中；根据所述纳米柱分布图对所述光刻胶进行曝光处理，对未被曝光处理的部分光刻胶进行清除，以在所述光纤的端部形成超表面结构；其中，所述超表面结构包括衬底、设置于所述衬底表面的纳米柱，所述衬底与所述光纤耦合连接，所述纳米柱设置于所述衬底远离所述光纤一侧。该方法通过在光纤端面设置超表面结构，以制作满足微尺寸的光纤准直器，从而使得光纤系统更加轻薄化、高度集成化。
光纤准直器制作方法