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[发明专利]一种制备硅基纳米柱阵列的方法-CN200910244521.0无效
发明人：贾锐;岳会会;陈晨;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅基纳米柱阵列的方法，用以提高晶体硅太阳能电池效率和制造硅异质结太阳能电池，该方法包括：A、配置氢氟酸基腐蚀液；B、利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀；C、利用酸溶液清洗硅片，去除表面银颗粒；D、利用氢氟酸对硅片进行漂洗，形成纳米柱阵列。本发明提供的这种制备硅基纳米柱阵列的方法，利用湿法化学腐蚀形成硅基纳米柱阵列，能够极大降低因干法刻蚀所造成的损伤，减少最终的纳米柱阵列的缺陷，从而提高其最终硅基纳米柱阵列非晶硅薄膜异质结太阳能电池的转化效率另外，本发明与气-液-固三相生长的硅基纳米柱相比，可规则的形成硅基纳米柱阵列结构，其工艺过程简单，成本低，能够大面积制作规则的纳米柱阵列。
一种制备纳米阵列方法

[发明专利]一种光子纳米喷射的微柱阵列、制备方法及光学系统-CN202211560119.5在审
发明人：吴一辉;邢燚;周文超;王越 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B27/58 文献下载
摘要：本发明涉及光学技术领域，具体提供一种光子纳米喷射的微柱阵列、制备方法及光学系统，利用高折射率介质材料和微柱内部结构的波叠加作用，进一步压缩束宽，当改变微柱内部某一结构参数使其谐振时，束宽存在极小值；越接近谐振状态，束宽越窄，改变微柱内部结构，可以使光斑出射。同时，为了易于加工和使用，光子纳米喷射的微柱阵列可产生具有百纳米以下束宽的双光束纳米喷射，降低了加工和使用难度，这些结构可用于激光加工提高刻蚀精度，超分辨成像提高成像分辨率和单分子探测等领域。
一种光子纳米喷射阵列制备方法光学系统

[发明专利]自洁净薄膜的制备方法-CN201410842761.1无效
发明人：叶向东;蔡安江;闫观海 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种自洁净薄膜的制备方法，通过制备的微纳复合结构模板对热塑性聚合物薄膜进行热压印，便可以制备出自洁净薄膜，该自洁净薄膜表面具有微纳复合结构，其中，微米结构是微米级的凹凸结构；纳米结构是纳米孔或纳米柱阵列结构如果纳米结构为纳米孔阵列，则该自洁薄膜具有超亲水性能；如果纳米结构为纳米柱阵列，则该自洁薄膜具有超疏水性能。
洁净薄膜制备方法

[发明专利]一种ZnO纳米材料以及合成ZnO纳米材料的方法-CN201310744149.6有效
发明人：汤洋;陈颉;郭逦达 -专利权人：神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C25D9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO纳米材料，相邻的ZnO纳米柱的平均间距为大于100nm至400nm。本发明还公开了一种合成ZnO纳米材料的方法，该方法包括在电化学沉积条件下，将含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液与生长基底接触，以在所述生长基底上制得ZnO纳米结构阵列，其中，所述含有锌源前驱体以及选择性含有的氧源的溶液中还含有铵盐，所述铵盐与锌源前驱体的摩尔比为M，所述材料的ZnO纳米柱平均间距为L nm，所述M与L之间成正比，并且所述M与L之比为0.14‑0.7。本发明采用电化学沉积法制备纳米结构材料，通过在含有锌源前驱体的溶液中加入铵盐，成功操控ZnO纳米柱平均间距和纳米结构阵列的密度，并提高了得到的ZnO纳米柱的光学质量。
一种 zno 纳米材料以及合成方法

[发明专利]一种具有表面修饰的ZnO纳米柱材料的制备方法-CN201310064604.8无效
发明人：李美成;姜永健;李晓丹;余悦;赵兴;余航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了属于纳米材料技术领域的一种具有均匀表面修饰的ZnO纳米柱材料的制备方法，此方法使Zn(CH3COO)2、乌洛托品水溶液进行水热反应，制备的ZnO纳米柱材料结构形貌均一，且具有排列均匀的凹坑进行表面修饰将此材料与P25进行物理掺杂，得到的复合结构兼具了ZnO纳米柱的电子直线传输通道功能，又因P25的加入提高光阳极的比表面积，P25可很好的填充于氧化锌纳米柱表面的凹坑中，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力，增强了两种材料的表面接触，降低了两种结构之间的界面复合。相对于单纯的氧化锌纳米柱更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流。
一种具有表面修饰 zno 纳米材料制备方法

[发明专利]一种离子注入制作SERS基底的方法-CN201910357475.9有效
发明人：远雁;李超波;刘丽花;解婧;王欢 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种离子注入制作SERS基底的方法，包括：采用等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理，使单晶硅的表面形成纳米柱阵列结构；在形成有纳米柱阵列的单晶硅表面蒸镀贵金属膜，使纳米柱阵列结构的侧壁上形成贵金属纳米点阵列，获得SERS基底；本发明制作的SERS基底，增强了基底的拉曼信号，解决了现有技术中基底纳米点阵列不够灵敏的缺点。
一种离子注入制作 sers 基底方法

[发明专利]用于液体处理的具有自清洁性的部件-CN202080010388.7在审
发明人：特奥多尔·尼尔森;艾丽西亚·约翰逊;拉塞·霍伊伦德·埃克伦德·泰姆德鲁普 -专利权人：尼尔技术有限责任公司
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B29C33/42 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理液体和/或能够被液体接触的超疏水表面，所述表面包括至少一个疏水液体接触表面部分，其中所述疏水液体接触表面部分呈现微纳米分级图案化结构，所述结构包括：‑均匀分布的微米尺寸柱(1)，和‑在所述微米尺寸柱的上表面均匀分布的纳米尺寸柱(2)，优选地所述柱(2)的尺寸小于1微米，和‑在所述纳米尺寸柱的上表面的纳米尺寸突起(3)，所述突起以非周期性的不规则图案定位。本发明还涉及这种具有微纳米分级图案化结构的表面的用途，例如在处理热液体中的用途，以及相应的制造工艺，例如使用注射成型工艺生产聚合物部件。
用于液体处理具有清洁部件

[发明专利]一种硅基三维微电池纳米电极结构-CN201310101495.2有效
发明人：李静;岳闯;吴孙桃 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基复合三维微电池纳米电极结构。该纳米电极结构包括硅纳米柱阵列以及复合于硅纳米柱外层的材料层。制作方法包括将清洗、活化处理后的硅衬底上采用旋涂法自组装单层六方密排的聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球做为掩膜，利用掩膜和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀；依次用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物；最后利用薄膜沉积、材料生长技术得到瓶状硅基复合纳米柱阵列三维电极结构。这种结构一方面可以在硅纳米柱外层沉积锂离子阻挡层，进而形成硅衬底不参与锂离子嵌入/脱出的一种三维微电池的结构支撑，另一方面形成的硅或者硅复合材料，可以作为锂离子电池的阳极材料参与电极反应。
一种三维电池纳米电极结构

[发明专利]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910156062.4在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
钙钛矿纳米柱衬底周期阵列结构硅基异质结太阳能电池异质结透明导电薄膜金属背电极表面设置轴向柱体制备载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]金刚石氮-空位色心阵列传感器-CN202111373155.6在审
发明人：汤琨;赵耕右;朱顺明;叶建东;顾书林 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。
金刚石空位色心阵列传感器

[发明专利]一种制备蛾眼减反结构的方法-CN202110162968.4在审
发明人：张琬皎;龙眈 -专利权人：杭州欧光芯科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备蛾眼减反结构的工艺方法。方法包括：在原始硅模具的表面制备纳米柱阵列；具有纳米柱阵列的PDMS软模板的制备；在基片上制备第一金属层；在第一金属层上制备图形转移层，将PDMS软模板图形复制转移到图形转移层的表面，并得到若干个纳米柱；纳米柱阵列结构表面修饰；半球形曲面掩膜的刻蚀和成蛾眼减反结构的刻蚀。本发明通过纳米压印将纳米圆柱结构转移到基片表面并转化加工得到弧形曲面掩膜，最终在基片刻蚀得到蛾眼减反结构，避免了电子束/光学光刻—刻蚀、自组装法等制备蛾眼减反结构慢、昂贵、工艺复杂，自组装法不可控、不能大面积批量制备的技术缺点，以较低的成本实现了蛾眼减反结构高效、可控、批量的制备。
一种制备蛾眼减反结构方法

[发明专利]AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法-CN201710464683.X有效
发明人：刘斌;戴姜平;张荣;陶涛;谢自力;陈敦军;韩平;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括：一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的Al_xGa_1‑xN层；并刻蚀形成贯穿Al_xGa_1‑xN层、AlN插入层，深至GaN缓冲层的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列中，Al_{x纳米柱阵列发光器件的制备方法。本发明利用纳米柱结构，释放异质外延薄膜中的应力，提高器件发光效率；通过改变阵列结构参数，调控光场分布，提高紫外光的抽取效率。采用优化的三层胶紫外软压印技术，可克服AlGaN外延片表面粗糙带来的缺陷，压印图形边缘平滑无锯齿，可实现大面积制备，且纳米柱阵列形状、直径大小可调，结构可转移。}
algan 异质结纳米阵列发光器件及其制备方法

[实用新型]一种台阶型动力电池顶盖板组件-CN202022100170.0有效
发明人：翁泽华;刘海涛 -专利权人：靖江市东达新能源科技有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01M50/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种台阶型动力电池顶盖板组件，包括顶盖片，顶盖片中间开有防爆片孔，防爆片孔两侧分别设有左极柱孔和右极柱孔，防爆片孔中安装防爆片，左极柱孔和右极柱孔中分别设置正极纳米塑胶件和负极纳米塑胶件，正极纳米塑胶件和负极纳米塑胶件中安装正极柱和负极复合极柱，顶盖片下方安装下塑胶。本实用新型结构简单，占用空间小；正极柱和负极柱,通过纳米注塑工艺注塑至顶盖片的极柱孔内,以此紧密连接，保证整个动力电池盖板组件的密封性。
一种台阶动力电池盖板组件

[发明专利]ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品及其制备工艺-CN200510048905.7无效
发明人：邱东江;吴惠桢;余萍 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明的ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度c－轴取向(即垂直于衬底表面)的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，然后再在ZnO纳米柱阵列之上形成取向随机但几乎平行于衬底表面的、高密度的ZnO纳米晶丝。
zno 纳米复合结构产品及其制备工艺

[发明专利]一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与应用-CN202011562286.4有效
发明人：李国强;刘乾湖;林静;曾庆浩;张志杰;莫由天;邓曦 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与其应用。该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述的光阳极结构从下至上依次为衬底、衬底上的石墨烯、生长在石墨烯上的InGaN纳米柱，所述的光阴极结构从上至下依次为衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱；本发明使用石墨烯不仅拓宽了衬底的选择范围，同时可以充当导电电极使用，降低了成本；石墨烯还能与纳米柱之间的形成肖特基势垒，有利于分离光生载流子，增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时石墨烯的透光性能够制备InGaN纳米柱集成光电极，能拓宽光谱吸收、提高水分解所需光电压，实现无偏压光电水分解产氢。
一种基于石墨 ingan 纳米电极偏压电化学制系统应用