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[发明专利]自分离式氮化镓基光电子器件及其制作方法和应用-CN202211417527.5在审
发明人：王国斌;周溯沅 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述制作方法包括：在衬底上设置具有多个纳米孔的掩膜层；在所述衬底表面上沿所述多个纳米孔生长III族氮化物材料以形成多根纳米柱；在所述纳米柱生长至从相应纳米孔中露出之后，改变所述纳米柱的生长条件，使所述纳米柱逐渐扩径生长，直至所述多根纳米柱的顶部相互合并而形成合拢层；在所述合拢层上生长氮化镓基光电子器件的外延结构层；使所述多根纳米柱断裂，从而将所述衬底与所述外延结构层相互分离。
分离氮化光电子器件及其制作方法应用

[发明专利]一种AlN缓冲层结构及其制备方法-CN201810374639.4在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN缓冲层结构，包括衬底、AlN纳米柱阵列缓冲层、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P‑GaN。其中，AlN缓冲层结构为纳米柱阵列结构。相对于薄膜型缓冲层，纳米柱阵列缓冲层与衬底的接触面积小，应力容易得到释放，可大大缩短裂纹长度；纳米柱材料有缺陷自排除效应，可大大降低缺陷密度。基于以上两点，以AlN纳米柱阵列作为缓冲材料，更易获得无裂纹高质量的GaN薄膜，进而提升GaN基LED器件的整体性能。同时，本发明还公开了AlN缓冲层结构制备方法，采用两步法制备LED外延片，先用PECVD生长AlN纳米阵列缓冲层，再用MOCVD生长后续材料，明显提高了LED外延片的制备效率。
缓冲层纳米柱阵列制备衬底电子阻挡层多量子阱缓冲材料纳米阵列薄膜型两步法纳米柱生长释放

[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201610397088.4有效
发明人：卢太平;朱亚丹;赵广洲;许并社 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于光电子器件领域，具体为一种GaN基LED外延结构及其制备方法。GaN基LED外延结构包括在衬底上依次层叠的自组装GaN纳米棒、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN层、P型GaN接触层。本发明在衬底和GaN层之间自组装生长GaN纳米柱，形成了底部具有纳米柱的外延片，一方面纳米柱能够减少由于晶格失配引起的位错、V形坑等缺陷，提高外延片的晶体质量，另一方面纳米柱结构可以看作是表面粗化层能够减少全内反射因此，底部具有GaN纳米柱的LED外延结构能够提高LED器件的光电性能。
纳米柱外延结构外延片衬底制备光电子器件领域表面粗化层纳米柱结构自组装生长出光效率光电性能晶格失配全内反射依次层叠掺杂的纳米棒自组装位错源层

[发明专利]纳米颗粒莱可格斯杯器件及其制备方法-CN201910587497.4在审
发明人：刘钢;许浩 -专利权人：量准（上海）医疗器械有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米颗粒莱可格斯杯器件及其制备方法。本发明的纳米颗粒莱可格斯杯器件包括柱体结构，其中柱体结构包括布置在具有纳米孔道阵列结构的聚合衬底上的纳米柱、形成在纳米柱表面的Au层、形成在Au层表面的Ti粘附层以及在Ti粘附层表面的等离子体Au球形纳米颗粒
纳米颗粒柱体结构纳米柱粘附层制备等离子体纳米孔道阵列球形纳米颗粒衬底聚合

[发明专利]大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用-CN202010553969.7在审
发明人：邢志伟;赵宇坤;边历峰;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
大面积柔性透明半导体薄膜及其制法应用

[发明专利]用于硅基底的光吸收增强与减反结构及其制备、测试方法-CN202211516539.3在审
发明人：黄小丹;王艳;朱敏 -专利权人：常州机电职业技术学院
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于硅基底的光吸收增强与减反结构及其制备、测试方法，用于硅基底的光吸收增强与减反结构包括：位于硅基底上表面的半导体纳米柱多聚体周期阵列和覆在所述硅基底和所述半导体纳米柱多聚体的半导体纳米柱上表面的介质减反射层，所述半导体纳米柱多聚体周期阵列由半导体纳米柱多聚体周期性均匀排布而成。
用于基底光吸收增强结构及其制备测试方法

[发明专利]个体认证用结构体、其制造方法以及个体认证方法-CN202110568923.7在审
发明人：安藤雅郎;山崎裕之;竹内正树;中川胜;伊东骏也 -专利权人：信越化学工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06F21/36 文献下载
摘要：本发明提供一种个体认证用结构体、其制造方法以及个体认证方法。具体提供一种个体认证用结构体，其中在合成石英玻璃基板表面部分的至少一部分上形成包括由合成石英玻璃形成的多个纳米柱的柱图案区域。在柱图案区域中，如通过纳米压痕法测量的，纳米柱具有35至100GPa的压痕弹性模量，并且纳米柱塑性变形。
个体认证结构制造方法以及

[发明专利]基于硅纳米柱的结构色成像结构、测试系统及制备方法-CN202010256966.7有效
发明人：尚潇;史丽娜;牛洁斌;李龙杰;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本公开提供一种基于硅纳米柱的结构色成像结构、测试系统及制备方法，所述基于硅纳米柱的结构色成像结构，包括：衬底；以及多个硅‑铬圆柱纳米结构形成的硅‑铬圆柱纳米结构阵列，位于所述衬底上，用于呈现结构色，每个所述硅‑铬圆柱纳米结构包括：硅圆柱纳米结构，以及覆于其上表面的金属掩膜铬。其能够有效缓解现有技术中结构色成像结构的饱和度低、纯净度低以及效率低等技术问题。
基于纳米结构成像测试系统制备方法

[发明专利]基于PtSe2-CN202110062494.6有效
发明人：刘欢;杜宇轩;贾金梅;赵季杰;文帅;白民宇;解飞;谢万鹏;杨媚;吴嘉元;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。
基于 ptse base sub

[发明专利]一种多重响应波段的半导体探测器-CN201811460341.1有效
发明人：王星河 -专利权人：王星河
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：，AlN纳米柱，Al2O3纳米柱，β‑Ga2O3纳米颗粒、AlN纳米柱、Al2O3纳米柱，β‑Ga2O<，所述AlN纳米柱和第一Au纳米颗粒形成第二响应波段，Al2O3纳米柱和β‑Ga2O3:III纳米柱构成核壳结构形成第三响应波段，所述β‑Ga2O3:III纳米柱/第二Au纳米颗粒/第二导电型Si基板形成第四响应波段，从而在将多重响应波段集成在单个探测器的外延结构中。
一种多重响应波段半导体探测器

[发明专利]一种双焦消色差超构透镜及其设计制备方法与应用的成像装置-CN202211740754.1在审
发明人：胡跃强;池汉彬;段辉高;贾红辉 -专利权人：湖南大学;湖南大学深圳研究院;湖大粤港澳大湾区创新研究院（广州增城）
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了双焦消色差超构透镜，包括介质衬底、电介质纳米柱结构单元阵列，所述电介质纳米柱结构单元阵列设置在介质衬底上，所述电介质纳米柱结构单元阵列包括若干不同形状的电介质纳米柱结构单元。本发明通过设计超构透镜阵列的相位分布以及结构匹配优化，获得正交偏振双通道的消色差超构透镜阵列，通过调节入射光的线偏振状态，实现具有三种不同的聚焦模式的光场成像，能对不同景深范围进行光场成像，从而实现景深扩展
一种双焦消色差透镜及其设计制备方法应用成像装置

[发明专利]用于结构性着色的纳米结构-CN201480050871.2在审
发明人：杰普·克劳森;尼尔斯·阿斯格·莫滕森;安德斯·克里斯滕森;埃米尔·荷耶伦特·尼尔森;克劳斯·杰普森;亚历山大·布罗恩·克里斯琴森 -专利权人：丹麦技术大学
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有结构性着色的表面的纳米结构化的产品。纳米结构化的产品包括具有纳米结构化的表面的基板，其中纳米结构化的表面具有延伸入基本或从基板延伸出的、以周期性图案布置的纳米尺寸化的柱或孔。纳米尺寸化的孔的底部或纳米尺寸化的柱的顶部提供有电孤立且远离纳米结构化的表面的基础表面的金属层。透明或半透明保护层覆盖基板和金属层。
用于结构性着色纳米结构

[发明专利]基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法-CN201910240257.7有效
发明人：金立川;王宇;张岱南;张怀武;钟智勇;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用
基于柔性纳米石墨赫兹调制器制备方法

[发明专利]一种微纳米多级柱结构的自组装制备方法-CN201910654445.4有效
发明人：陈华伟;郭雨润;张力文 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微纳米多级柱结构的自组装制备方法，涉及微纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：在铝基AAO模板的表面蒸镀有机薄膜，然后将预聚物浇注到铝基AAO模板的表面、固化，得到固化样品；腐蚀去除固化样品中的铝基AAO模板，并用有机溶剂洗涤，得到有机溶剂润湿的纳米柱阵列；最后经过预冷冻和冷冻干燥，形成微纳米多级柱结构。本发明通过冷冻干燥，将有机溶剂从固态直接转化为气态，可以降低干燥过程中液体挥发时表面张力对纳米柱阵列形貌的影响，即纳米柱间不会相互拉扯且团簇得很紧；通过控制有机溶剂的预冷冻温度，可以实现对纳米柱自组装尺度大小的调节
一种纳米多级结构组装制备方法

[发明专利]一种宽波段光吸收纳米柱阵列-CN201811629978.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州菲柏斯科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明为一种宽波段光吸收纳米柱阵列。该结构由单晶硅衬底上周期排布的硅纳米柱阵列小单元构成。通过综合利用不同种类的纳米柱结构的优秀性能，将不同的纳米柱组合促使优异的性能进行累加，从而在可见光波段内实现较宽范围的低反射率。本发明在叠层太阳能电池、滤光片中都存在重要的应用价值。
一种波段光吸收纳米阵列