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[发明专利]一种多重响应波段的半导体探测器-CN201910284569.8有效
发明人：郑清团;王星河;叶芳 -专利权人：临沂市安福电子有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开一种多重响应波段的半导体探测器，依次包括衬底、第一导电型氮化物半导体，InxGa1‑xN/GaN量子阱，V‑pits，第一Au纳米颗粒，Ga2O3/ZnO核壳结构纳米柱，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga2O3)y/(GaN)z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒，第二导电型Si基板，其特征在于所述>O3/ZnO，第二Au纳米颗粒，SiC纳米柱核层，(Ga2O3)y/(GaN)z纳米柱壳层，第三Au纳米颗粒。
一种多重响应波段半导体探测器

[发明专利]一种纳米注塑技术及顶盖结构-CN202210660081.2在审
发明人：王盈来;郭锋;张欣瑞;黄文;李艳红;徐留扣;蒋勤虚;方玲 -专利权人：浙江南都电源动力股份有限公司;杭州南都动力科技有限公司;浙江南都鸿芯动力科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01M50/148 文献下载
摘要：本申请涉及电池盖领域，尤其涉及一种纳米注塑技术及顶盖结构。本申请公开的顶盖结构包括顶盖和正、负极柱，顶盖上分别形成有正、负极区域，正、负极柱与正、负极区域通过纳米注塑技术连接。纳米注塑技术包括以下步骤：先预处理；再将顶盖的正、负极区域和正、负极柱纳米化处理；最后通过注塑工艺分别填充正、负极柱与正、负极区域连接处的缝隙。电解池缓蚀剂由草酸和磷酸水溶液混合而成，在温度为25‑35℃，阳极载流电流密度为0.5‑5mA/m2，回料稳压源电压为20‑30V，电解电化学腐蚀时间为2‑15min的条件下进行纳米化处理本申请制得的顶盖结构提高电池顶盖与极柱之间的连接稳定性和密封性，从而提高电池的安全性能。
一种纳米注塑技术顶盖结构

[发明专利]一种基于金属微纳米结构的光学分束器及其制造方法-CN200610111316.3无效
发明人：孙志军 -专利权人：厦门大学
申请日： 2006-08-21 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种基于金属微纳米结构的光学分束器及其制造方法，涉及一种光学分束器，提供一种基于金属微纳米结构的光学分束器及制法。设有衬底，衬底上淀积金属薄膜，薄膜上设有至少2条宽度不同且平行的纳米缝隙，纳米缝隙正上方设金属柱，金属柱与金属薄膜间设支撑件。制造时在衬底上制备金属薄膜；用聚焦离子束刻蚀加工法，或在薄膜上涂电子束曝光胶后曝光，显影去掉被曝光的胶，以曝光胶为掩膜版制成纳米缝隙；在纳米缝隙上方制备金属柱：将金属柱制作为悬梁，两端设支撑件，或设在薄膜上方淀积作为支撑物的材料，在此材料上用电子束光刻与反应离子刻蚀或化学腐蚀的方法形成槽，在槽中淀积金属柱所用的材料，将支撑件材料腐蚀掉；制备支撑件。
一种基于金属纳米结构学分及其制造方法

[实用新型]一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构-CN201821593249.8有效
发明人：陈湛旭;万巍;陈泳竹;林家勇;何影记 -专利权人：广东技术师范学院
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构，是在传统LED结构的表面制备具有渐变折射率的纳米结构与微透镜阵列从而提高传统LED芯片出光效率。该新型的LED结构包括衬底，形成与衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上的多量子阱层，形成于所述多量子阱层上的p掺杂GaN层、形成于所述p掺杂GaN层上的ITO透明电极层、形成于所述ITO透明电极层上的纳米结构，所述的纳米结构包括ITO纳米柱阵列、在ITO纳米柱阵列间隙的聚苯乙烯材料和在表面的微透镜阵列结构。本实用新型提供的新型高效率LED结构，与其他结构相比，出光效率显著提高。
纳米结构渐变折射率非掺杂GaN层本实用新型多量子阱层纳米柱阵列出光效率纳米透镜传统LED 衬底微透镜阵列结构聚苯乙烯材料微透镜阵列新型高效率表面制备芯片

[发明专利]制备具有均匀分布多角度纳米柱的微纳两级结构的方法-CN202110259032.3有效
发明人：周天丰;贺裕鹏;许汝真;刘朋;赵斌;梁志强;刘志兵;解丽静;王西彬 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开一种制备具有均匀分布多角度纳米柱的微纳两级结构的方法，涉及微纳两级结构制备技术领域，包括以下步骤：步骤一、微沟槽模板制造；步骤二、微沟槽模板引导SiO2纳米球自组装；步骤三、将自组装有SiO2纳米球的微沟槽模板取出烘干；步骤四、第一角度刻蚀；步骤五、第二角度刻蚀；步骤六、去除自组装在微沟槽表面的SiO2纳米球，最终在微沟槽表面制备多角度排列的纳米柱结构。本发明能保证在微米级结构表面制备具有多角度的纳米柱，且能保证均具有很好的均一性，由于该两级结构在同一材料上，两级结构具有较好的强度；而且具有很好的操控性及较高的效率。
制备具有均匀分布角度纳米两级结构方法

[发明专利]一种双重陷光结构透明导电薄膜及其制备-CN201711330359.5在审
发明人：于晓明;余璇;陈立桥 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃基板/银纳米线/氧化锌/氧化锌纳米柱双重陷光结构透明导电薄膜及其制备方法。本发明在玻璃基底上引入银纳米线层，并用氧化锌薄膜覆盖于其上，之后制备氧化锌纳米柱。本发明制备得到的双重陷光结构透明导电薄膜具有以下优点：1)通过简单的方法将银纳米线负载在玻璃之上，可以发挥银纳米线的优势实现高电导率和高透过率的透明导电薄膜；原料来源丰富且操作简单，不需要高温，真空等严苛条件，制备的多层透明导电薄膜具有成本低等优点；2)利用银纳米线的表面等离子体激源效应和对光的宽光谱散射能够实现第一次对光的散射；利用氧化锌纳米柱结构能够实现对光的第二次有效散射，能够实现对光的多次，不同方向的散射
银纳米线透明导电薄膜散射制备陷光结构氧化锌纳米柱多层透明导电薄膜制备氧化锌纳米表面等离子体氧化锌薄膜玻璃基板高电导率高透过率玻璃基宽光谱氧化锌激源并用玻璃引入覆盖

[发明专利]铝塑无胶复合用铝箔及其制备方法-CN201510495250.1有效
发明人：袁志庆;陆国良;梁锦明;王梦蕾 -专利权人：东莞市泰和塑胶制品有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：该铝塑无胶复合用铝箔的表面结构为纳米柱阵列结构，纳米柱的高度为0.5～3微米，直径为80～300纳米，纳米柱之间的间距为100～2000纳米。制备方法包括（1）先在铝箔表面涂布光刻胶，然后覆盖纳米孔阵列掩模；（2）将覆盖有掩模的铝箔在紫外光下进行曝光和显影，然后用酸液对铝箔表面进行腐蚀，再去除铝箔表面的光刻胶，便得到铝塑无胶复合用铝箔。
铝塑无胶复合铝箔及其制备方法

[发明专利]一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体-CN200910243548.8有效
发明人：罗先刚;冯沁;赵泽宇;胡承刚;崔建华 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体，制作步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米为的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米至45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米至25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成
一种基于波长金属阵列电磁完美吸收体

[实用新型]一种动力电池顶盖结构-CN201821931367.5有效
发明人：路宝;黄晓伟 -专利权人：芜湖天弋能源科技有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01M2/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于动力电池零部件技术领域的动力电池顶盖结构，所述的动力电池顶盖结构的每个极柱(2)与盖板(1)上的一个连接孔(5)连接，每个极柱(1)上分别设置纳米注塑塑胶套圈(6)，每个纳米注塑塑胶套圈(6)外表面设置沿纳米注塑塑胶套圈(6)外表面一周布置的凹进环槽(7)，极柱(2)与盖板(1)连接时，每个连接孔(5)边沿设置为能够卡装在一个装纳米注塑塑胶套圈(6)的凹进环槽(7)内。本实用新型所述的动力电池顶盖结构，使得顶盖的极柱和盖板之间通过纳米注塑实现连接，有效起到绝缘、密封、固定连接作用，有效保证动力电池使用时的安全性的同时，全面减轻动力电池重量。
动力电池注塑顶盖结构极柱套圈塑胶盖板本实用新型连接孔凹进环槽固定连接作用顶盖绝缘卡装密封零部件应用保证

[发明专利]一种超表面光学器件及其制作工艺-CN202210253719.0在审
发明人：孙磊;杨新征;邱兵 -专利权人：天津山河光电科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种超表面光学器件及其制作工艺，其中，所述超表面光学器件包括：衬底和设置在所述衬底端面之上的多个纳米柱，所述多个纳米柱的材料包括至少两种，所述至少两种材料的色散系数相互补偿。本发明采用至少两种材料构成全部纳米柱，且不同材料的折射率和色散系数均不相同，光线在经过纳米柱时，会产生不同的衍射效果，通过纳米柱不同的材料、结构和排列等，对出射光的波前进行调制，包括并不限于减小或增大色差
一种表面光学器件及其制作工艺

[发明专利]一种超透镜阵列及其设计方法-CN202111362695.4在审
发明人：张金平;杨俊波;吴加贵;袁欢;王泽豪;邓阳 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超透镜阵列，其特征在于，所述超透镜阵列由多个超透镜结构单元阵列分布组成，所述超透镜结构单元包括：纳米柱、铟锡氧化物层、衬底；所述纳米柱采用相变材料；所述铟锡氧化物层置于所述衬底和所述纳米柱之间，纳米柱相变材料的相状态通过加热所述铟锡氧化物层来调节；通过单独的控制纳米柱中相变材料的相状态，所述超透镜阵列能通过焦点在焦平面内的排列显示出任意的图形。
一种透镜阵列及其设计方法

[发明专利]用于太赫兹信号或皮秒电脉冲的三维光电导变换器-CN202080086302.9在审
发明人：鲍尔勒·克里斯托弗;鲁·珍·弗朗索瓦;乔治奥·乔戈斯 -专利权人：法国国家科学研究中心;格勒诺布尔综合理工学院;萨瓦勃朗峰大学;格勒诺布尔-阿尔卑斯大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：该变换器包括三维结构，该三维结构依次包括第一平面电极(E1)、嵌入在抗蚀剂(R)层中的纳米柱(C)的阵列、以及平行于第一平面电极的第二平面电极(E2)。纳米柱的高度以及抗蚀剂的厚度的范围在100nm与400nm之间。纳米柱的宽度在100nm与400nm之间，两个相邻的纳米柱之间的距离在300nm与500nm之间，纳米柱由III‑V族半导体制成。
用于赫兹信号电脉冲三维电导变换器

[发明专利]SBD器件结构及其制备方法-CN202010765355.5有效
发明人：黎大兵;陈雨轩;孙晓娟;蒋科 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种SBD器件结构及其制备方法，SBD器件结构包括衬底、生长于衬底上的外延层、制备于外延层上的容纳槽内的纳米柱阵列、制备于外延层上位于纳米柱阵列区域的肖特基接触电极和制备于衬底背离外延层一侧的欧姆接触电极本发明利用纳米柱实现SBD器件阳极肖特基型金属‑半导体肖特基接触面积的增大，从两个方面综合提升SBD器件的正向导通特性：一方面，纳米柱能够增大导通时的电流密度，从而提高饱和电流并降低导通电阻；另一方面，纳米柱能加强外接偏压对外延层的控制能力，有效提高SBD器件的电流驱动能力，从而降低了SBD器件的开启电压，减小开关损耗。
sbd 器件结构及其制备方法

[发明专利]高吸收纳米结构热电堆及其制作方法-CN202010874173.1在审
发明人：周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。
吸收纳米结构热电及其制作方法

[发明专利]一种纳米柱阵列异质结及其制备方法-CN201910290197.X有效
发明人：简基康;杨文龙;吴晶;杜炳生 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种纳米柱阵列异质结及其制备方法。本发明提供了一种纳米柱阵列异质结的制备方法，包括：首先打开Bi2Te3蒸发源于衬底上蒸镀Bi2纳米柱阵列异质结及其制备方法，解决了现有技术中缺少一维纳米柱阵列异质结以及利用真空热蒸发技术制备纳米柱阵列异质结的技术缺陷。
一种纳米阵列异质结及其制备方法