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[发明专利]一种超疏水纸及其制备方法-CN201710816908.3有效
发明人：陈庆;司文彬 -专利权人：邱禹
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： D21H25/02 文献下载
摘要：本发明涉及功能纸技术领域，特别是涉及一种超疏水纸及其制备方法，所述超疏水纸的制备方法，包括以下步骤：（1）对纸张进行羟基化改性；（2）采用等离子刻蚀法对纸张进行刻蚀；（3）以Ar为气源对纸张进行等离子体预处理；（4）采用等离子体化学气相沉积法在纸张表面沉积超疏水薄膜。本发明采用等离子刻蚀法对纸张进行刻蚀能够在纸张表面上制备微结构，增加纸张的比表面积，使纸张的粗糙增加，使纸张得表面难以被水浸润，有利于提高接触角，进行氟改性,通过等离子体化学气相沉积法在纸张表面沉积含氟的超疏水薄膜
一种疏水及其制备方法

[实用新型]一种支撑底座及等离子蚀刻机-CN202320158710.1有效
发明人：骆晔 -专利权人：迈捷克纳米科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： F16M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及蚀刻机技术领域，具体为一种支撑底座及等离子蚀刻机，包括：等离子刻蚀机，连接柱和调节螺杆，所述等离子刻蚀机连接有支撑腿，所述连接柱侧壁开设有螺纹槽一和环形槽，所述调节螺杆连接有调节环和固定板首先根据地面的平整度转动调节环，使得凸块与环形槽进行分离，随后通过螺纹槽一与调节螺杆之间的螺纹连接，对调节螺杆进行转动，当调节到适当的高度时，再通过橡胶条回旋调节环，将凸块插入到环形槽当中，以此来防止地面不平整造成等离子刻蚀机的晃动的同时通过调节环进一步加强调节螺杆与连接柱的连接，以便于防止螺纹槽一与调节螺杆之间产生松动，进而影响等离子刻蚀机的正常使用。
一种支撑底座等离子蚀刻

[发明专利]控制3D NAND闪存结构中沟道关键尺寸的方法-CN201711166878.2有效
发明人：何佳;刘藩东;王鹏;张若芳;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存结构的沟道刻蚀过程中控制3D NAND闪存结构的沟道关键尺寸的方法，通过在沟道刻蚀工艺前增加湿法清洗的工艺步骤，能够有效清除衬底背面形成的有害的氧化物绝缘材料；由于衬底背面形成的有害的绝缘材料被去除，从而有利于衬底一侧的电极集聚更多的负电荷，进而增强等离子源正负电极之间正、负电荷的吸引力，从而保证等离子源的垂直下行，以使得等离子刻蚀尽量各向异性的垂直于衬底表面向下刻蚀，避免其他方向的无益、甚至是有害刻蚀；基于等离子刻蚀各向异性刻蚀的强化，更便于控制沟道的关键尺寸(CD)，从而有效保证了沟道关键尺寸的精度，进而提高了3D NAND闪存的整体性能。
控制 nand 闪存结构沟道关键尺寸方法

[发明专利]等离子体刻蚀设备-CN201510445160.1有效
发明人：郑锦华;王俊杰;廖晓燕;吴双;魏新煦 -专利权人：郑州大学
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀设备，包括有阴极结构，所述阴极结构包括阴极板、用于罩所述阴极板的阳极罩筒和绝缘板，所述阳极罩筒的一端用于设置玻璃工件，使所述玻璃工件与所述阳极罩筒和所述绝缘板配合形成电气绝缘腔所述等离子体刻蚀设备简单，加工效率高；而且该设备采用低温等离子技术降低等离子体对加工工件的热辐射，达到在加工工件表面进行低温快速、高效细微刻蚀加工的目的。
等离子体刻蚀设备

[发明专利]等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统-CN201611253676.7有效
发明人：赵馗;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。
等离子体刻蚀方法装置及其射频系统

[发明专利]用于等离子刻蚀设备的上盖和等离子刻蚀设备-CN201410824996.8有效
发明人：李宗兴 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于等离子刻蚀设备的上盖，所述上盖包括导电的壳体，其中，所述上盖还包括分隔板，所述分隔板与所述壳体围成空腔，所述分隔板包括彼此相连的介质窗部和导电板部，所述介质窗部环绕所述导电板部设置，平面线圈设置在介质窗部上并位于所述空腔中本发明还提供一种等离子刻蚀设备。在利用所述等离子刻蚀设备对晶片进行等离子刻蚀时，所述导电板部与下平板电极相对，因此，可以减小下平板电极的射频功率直接以电场的形式传输到腔室主体中时的阻抗，提高了射频功率的传输效率，增强了晶片表面的电场强度，提高了离子对晶片的轰击作用。
等离子刻蚀设备上盖导电板部分隔板介质窗下平板电极射频功率晶片等离子刻蚀传输效率晶片表面平面线圈腔室主体电场成空腔壳体围导电减小壳体空腔阻抗轰击离子环绕传输

[发明专利]一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法-CN201010110100.1有效
发明人：倪图强;高山星一;陶铮 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法，包括相互独立进行的刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，并且在刻蚀过程中交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。其中，在刻蚀步骤中提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含硅的绝缘材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；在侧壁钝化步骤中，提供一含硫成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含硫成份的聚合物，沉积或附着在所述刻蚀界面的侧壁表面。本发明刻蚀方法实现了对含硅绝缘层的快速刻蚀和对侧壁的保护，取得较好的外观轮廓，解决了现有技术刻蚀中刻蚀沟道或通孔出现的弧形侧壁和关键尺寸偏移的问题。
一种绝缘等离子刻蚀方法

[发明专利]AlGaN材料的刻蚀方法及其应用-CN202111576471.3有效
发明人：李利哲;刘宗亮 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN材料的刻蚀方法及其应用。所述AlGaN材料的刻蚀方法包括：将AlGaN材料置于刻蚀设备的刻蚀腔室内；向所述刻蚀腔室内通入包含HBr、O2和SF6的刻蚀气体，且以等离子体功率源将所述刻蚀气体转化为等离子体，再使所述等离子体与AlGaN材料表面的选定区域接触。本发明实施例提供的一种AlGaN材料的刻蚀方法，通过以特定比例的O2和SF6作为辅助刻蚀气体与主刻蚀气体配合作用，不仅能够防止刻蚀残余物的形成及去除刻蚀残余物，形成平坦的刻蚀表面，也不会影响刻蚀的速率，并且，在刻蚀过程中，不使用含Cl的刻蚀气体，从而不会形成难以去除的AlGaClx凸起残余物，进而提高刻蚀的质量。
algan 材料刻蚀方法及其应用

[发明专利]一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺-CN202010995271.0在审
发明人：杨宇新;李佳鹤;刘鹏;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺，采用了反应离子刻蚀与等离子束刻蚀相结合的方法。反应离子刻蚀的工艺是：顶电极功率为100‑500W，底电极功率为100‑1500W，刻蚀腔体压力为2‑20mT，气体流量为10‑500sccm，刻蚀到底部绝缘层之下至介质之上停止；等离子束刻蚀的工艺是：离子束角度为45°‑90°，离子能量为50‑600V，离子加速偏压为50‑1000V，气体流量为10‑500sccm；刻蚀量5‑15nm。本发明可以调整MRAM结构底部的陡直度，达成MTJ层侧壁均无金属沉积的刻蚀结果，可以提高MRAM结的TMR，进而提高MRAM器件的性能。
一种 mram 隧道底部陡直控制工艺

[发明专利]一种飞秒等离子体光栅直写制造大面积体光栅的方法-CN202011283167.5有效
发明人：曾和平;南君义;胡梦云 -专利权人：华东师范大学重庆研究院;上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学;重庆华谱科学仪器有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;云南华谱量子材料有限公司;广东朗研科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞秒等离子体光栅直写制造大面积体光栅的方法，其特点在于该方法利用超快激光脉冲先在玻璃内形成等离子体光栅，然后再移动玻璃样品直接刻蚀出局域的预制体光栅，接着改变等离子体光栅刻蚀的位置，并且等离子体光栅中的部分光丝与预制体光栅重合，利用局域体光栅的波导耦合特性，可以无缝、整齐地随着等离子体光栅的刻蚀而直写出大面积体光栅。
一种等离子体光栅制造大面积方法

[实用新型]一种等离子刻蚀用硅片夹具-CN201320838272.X有效
发明人：万松博;孙祥;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子刻蚀用硅片夹具，包括上底板、下底板和螺杆，所述上下底板的四边各设有4个连接部，连接部内设有与所述螺杆配合的通孔；所述螺杆为4根；所述上下底板通过通孔套设于螺杆上。本实用新型设计得到了一种新的等离子刻蚀用硅片夹具，在上下底板的四边各设置1连接部，四边通过螺杆套接，从而使硅片的四边受力更加均匀，都得到充分的夹紧，杜绝了等离子气体钻入硅片之间，很好的解决了在等离子刻蚀过程中等离子气体对硅片表面磷硅玻璃层的破坏问题
一种等离子刻蚀硅片夹具

[发明专利]一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法-CN201610233942.3在审
发明人：张龙;徐海飞;王秋建 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2016-04-16 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，步骤如下：1）制作细孔刻蚀窗口，在用于金属互连的隔离介质层上一次光刻，制作出细孔刻蚀窗口；2）一次刻蚀，采用各向异性等离子体干法刻蚀工艺进行细孔一次刻蚀，一次刻蚀后的细孔深度小于所述隔离介质层厚度，所述隔离介质层厚度与一次刻蚀后的细孔深度之差等于T型孔大孔的厚度；3）制作大孔刻蚀窗口，采用等离子体干法去胶工艺去胶形成大孔刻蚀窗口；4)二次刻蚀，采用与步骤2）相同的刻蚀工艺，二次刻蚀时间比一次刻蚀时间短；5）去胶，采用等离子体干法去胶工艺去除光刻胶。该制备方法简单，仅需使用一台刻蚀设备即可完成T型孔刻蚀，降低了生产成本。
一种集成电路刻蚀制备方法

[发明专利]刻蚀方法以及形成浅沟槽隔离结构的方法-CN200910056453.5有效
发明人：韩秋华;王新鹏;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种刻蚀方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面形成图形化的刻蚀阻挡层；以及采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述单晶硅衬底中未被图形化的刻蚀阻挡层覆盖的区域。所述刻蚀单晶硅衬底的步骤进一步包括：采用第一刻蚀气体形成的等离子体对单晶硅衬底进行第一次刻蚀；以及采用第二刻蚀气体形成的等离子体对单晶硅衬底进行第二次刻蚀。所述第一刻蚀气体的刻蚀均匀性高于第二刻蚀气体，而第二刻蚀气体形成倾斜侧壁的能力优于第一刻蚀气体本发明的优点在于，采用了两次刻蚀以在单晶硅衬底表面形成具有倾斜侧壁的沟槽，并保证其深度的均匀性。
刻蚀方法以及形成沟槽隔离结构

[发明专利]改进半导体等离子体刻蚀工程特性的聚焦环-CN202210187605.0在审
发明人：全宰弘 -专利权人：亚新半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进半导体等离子体刻蚀工程特性的聚焦环。所述聚焦环为圆环形，在所述聚焦环的下部形成有沿周向彼此间隔开的多个狭槽，每个所述狭槽沿所述聚焦环的轴向从上到下逐渐增大或变小，使得所述狭槽具有不同尺寸的上部间距和下部间距，以使等离子气体均匀且迅速地扩散并排出该聚焦环不仅可以改进半导体等离子体刻蚀工程的特性、时间和部件使用寿命，而且可使等离子气体迅速且均匀地扩散以改进刻蚀工程的均匀性，还能减少或省略刻蚀的前序工程中不必要的陈化工程。
改进半导体等离子体刻蚀工程特性聚焦

[发明专利]类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法-CN201210536632.0无效
发明人：谭鑫;巴音贺希格;齐向东;吴娜;李文昊;孔鹏 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：类矩形全息光栅的等离子体刻蚀方法，涉及光谱技术领域，解决现有对全息光栅的刻蚀过程中引起侧壁及槽底粗糙度高的问题，本发明包括多个交替进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤、一个钝化沉积步骤和一个抛光步骤刻蚀步骤所采用的第一工艺条件、钝化沉积步骤所采用的第二工艺条件、抛光步骤第三工艺条件之间以时间间隔彼此分开，间隔时间大于前序步骤中反应气体等离子体寿命。使用该发明的等离子体刻蚀方法获得的类矩形全息光栅侧壁及槽底具有良好的光滑度，其杂散光强度低。
矩形全息光栅等离子体刻蚀方法